Записи с меткой ‘соединения’

СТРОИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

May 17, 2015

Общие сведения

Электрики, которые работают в проектных бюро, занимаются преимущественно схемами. Но схемы — это лишь маленькая часть электротехники. И схемы, и расчеты — только вспомогательные средства, чтобы строить машины, добывать электроэнергию, распределять ее, преобразовывать в другие виды энергии. Основа электротехники, ее фундамент — это материалы.

» Читать запись: СТРОИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Электроматериалы будущего

March 14, 2015

Как ни хотелось бы помечтать о новых необычайных перспективах, но в области проводниковых материалов это нам. пожалуй че улагтся Япятт ли что гмлжрт пттеснить и заменить когда-либо алюминий и медь. Неустанно ведутся исследования в области сверхпроводников, число их непрестанно увеличивается, но до технических применений еще далеко. Существуют идеи относительно монокристаллической меди, которая должна иметь проводимость во много раз более (высокую, нежели обычная поликристаллическая медь, но и здесь трудно высказать какие-либо определенные технические прогнозы.

» Читать запись: Электроматериалы будущего

Последовательное соединение светодиодов

April 24, 2014

Если светодиодов в изделии несколько и загораться они должны одновременно, то для повышения экономичности применяют их последовательное включение. Действительно, в схемах, подобных Рис. 2.2, а, б, львиная доля энергии бесполезно рассеивается на токоограничивающем резисторе R1. Гораздо выгоднее, если мощность будет рассеиваться на одном или двух дополнительных светодиодах (Рис. 2.4, a…e).

» Читать запись: Последовательное соединение светодиодов

Провода силовых цепей

July 19, 2013

Диапазон токонесущих проводов простирается от тонких проволочек в домашнем электрооборудовании до массивных шин, способных пропускать ток в несколько сот килоампер. Как правило, провода изготовляют из меди, однако и алюминий часто применяют для изготовления шин и обмоток трансформаторов. Площадь поперечного сечения тонких проводов определяется номером AWG^ (American Wire Gauge — Американская система стандартов толщины проводов). Для больших проводников поперечное сечение указывается в круговъюсмилах, D[1], где D — диаметр проводника в тысячных долях дюйма[2]\ Например, провод диаметром х/г дюйма будет иметь площадь 250000 круговых милов. Это может быть записано также как 250 kcm, а в старых таблицах писали 250 mcm. Для некруглых проводов сечение в круговых милах рассчитывается как их сечение в квадратных дюймах, умноженное на (4/л) x 106.

» Читать запись: Провода силовых цепей

Диаграммы состояния систем с ограниченной растворимостью компонентов

June 6, 2013

Диаграммы состояния с эвтектическим превращением. Рассмотрим более подробно диаграмму с эвтектическим превращением (рис. 4.8). Она состоит из шести фазовых областей: области жидкой фазы L, двух двухфазных областей (жидкая фаза L + твердый раствор α и жидкая фаза L

» Читать запись: Диаграммы состояния систем с ограниченной растворимостью компонентов

Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N

June 5, 2013

Для развития прикладной полупроводниковой электроники требуется получение полупроводниковых материалов с заданными свойствами. В рамках обычного эмпирического подхода с этой целью синтезируют большое число кристаллов разного состава, изучают их свойства и находят тот

» Читать запись: Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N

Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

May 21, 2013

ANB8−N

Проследим, каким образом реализуется ковалентная связь в полупроводниковых бинарных соединениях ANB8−N, у которых ∆X < 1. Было установлено, что неполярная ковалентная связь, приводящая к формированию алмазоподобной структуры (Zк = 4), наблюдается в гомеополярных кристаллах при образовании в них sp3-гибридных связей. Такие гибридные связи могут образовываться и в соединениях ANB8−N, поскольку во всех них среднее число валентных электронов на атом компонента

» Читать запись: Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

Полупроводниковые соединения других групп – основы материаловедения

May 14, 2013

Соединения AIVBVI

Из рассмотренных выше примеров может создаться неверное впечатление, что полупроводниковыми свойствами обладают только соединения с тетраэдрической или производной от нее координацией атомов. Соединения AIVBVI, к которым относятся халькогениды свинца, олова и германия, также обладают полупроводниковыми свойствами, хотя их структу

» Читать запись: Полупроводниковые соединения других групп – основы материаловедения

Степень ионности связи – основы материаловедения

May 8, 2013

Очевидно, что химическая связь в полупроводниковых соединениях является полярной ковалентной связью (ковалентно-ионной). Рассмотрим теперь вопрос о распределении электронной плотности между компонентами соединения.

При «чистой ковалентной» связи электронная плотность распределена совершенно симметрично между одинаковыми атомами, и ее центр симметрии располагается в середине межатомного расстояния. В «чисто ионных» соединениях распределение электронной плотности таково, что она в основном сосредоточена вокруг каждого иона и обладает (приближенно) сферической симметрией. В случае же промежуточной, ковалентно-ионной связи, логично предположить, что центр симметрии электронного облака смещен от середины межатомного расстояния к одному из соседних атомов. Величина этого смещения определяет степень ионности связи δ. Очевидно, что степень ионности связи должна быть пропорциональна разности электроотрицательностей.

» Читать запись: Степень ионности связи – основы материаловедения

P − T − X диаграммы состояния – основы материаловедения

April 28, 2013

Рассмотрим P T X диаграммы для бинарных систем. Интенсивные работы  по изучению P T X  диаграмм состояния показали, что  использование высоких давлений (десятки и сотни тысяч атмосфер) в ряде случаев приводит к изменению типа диаграммы состояния, к резкому изменению температур фазовых и полиморфных превращений, к появлению новых фаз, отсутствующих в данной системе при атмосферном давлении. Так, например, диаграмма с неограниченной растворимостью в твердом состоянии при высоких температурах и распадом твердого раствора α на два твердых раствора α1 + α2 при низких температурах может с увеличением давления постепенно переходить в диаграмму с эвтектикой (см. рис. 4.18,а). На рис. 4.18,б показана диаграмма состояния системы Ga–P, в которой образуется полупроводниковое соединение GaP. В зависимости от давления это соединение может плавиться конгруэнтно или инконгруэнтно. Соответственно изменяется и вид двойной диаграммы T X на различных изобарических сечениях тройной P T X диаграммы.

» Читать запись: P − T − X диаграммы состояния – основы материаловедения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты