Рассмотрим поведение примесей в полупроводниковых соединениях на примере соединений типа AIIIBV. Поведение примесей в соединениях типа AIIIBV так же, как и в элементарных полупроводниках, определяется положением примеси в периодической системе, однако оно становится более сложным из-за усложнения строения основного вещества. В соединениях возрастает число различных позиций, которые могут занимать примесные атомы.
» Читать запись: Примеси в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения
ANB8−N
Проследим, каким образом реализуется ковалентная связь в полупроводниковых бинарных соединениях ANB8−N, у которых ∆X < 1. Было установлено, что неполярная ковалентная связь, приводящая к формированию алмазоподобной структуры (Zк = 4), наблюдается в гомеополярных кристаллах при образовании в них sp3-гибридных связей. Такие гибридные связи могут образовываться и в соединениях ANB8−N, поскольку во всех них среднее число валентных электронов на атом компонента
» Читать запись: Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения
Очевидно, что химическая связь в полупроводниковых соединениях является полярной ковалентной связью (ковалентно-ионной). Рассмотрим теперь вопрос о распределении электронной плотности между компонентами соединения.
При «чистой ковалентной» связи электронная плотность распределена совершенно симметрично между одинаковыми атомами, и ее центр симметрии располагается в середине межатомного расстояния. В «чисто ионных» соединениях распределение электронной плотности таково, что она в основном сосредоточена вокруг каждого иона и обладает (приближенно) сферической симметрией. В случае же промежуточной, ковалентно-ионной связи, логично предположить, что центр симметрии электронного облака смещен от середины межатомного расстояния к одному из соседних атомов. Величина этого смещения определяет степень ионности связи δ. Очевидно, что степень ионности связи должна быть пропорциональна разности электроотрицательностей.
» Читать запись: Степень ионности связи – основы материаловедения
Предлагаемое устройство неоценимо при ремонте радиоаппаратуры. Оно позволяет локализовать повреждения в соединениях малых и средних частот. Схема состоит из усилителя низкой частоты и детектора высокой частоты. Вход усилителя низкой частоты следует подключить там, где ожидается наличие акустических сигналов. При переключателе вида работы, установленном в положении высокой частоты, вход пробника подключается к каскадам усилителей большой и промежуточной частоты в соединениях AM. Искатель сигнала может запитываться от блока питания исследуемой схемы, если величина напряжения не более 12 В. В случае когда чувствительность усилителя неудовлетворительна, можно попробовать уменьшить величину резистора R.1 до такой величины, чтобы не наступало возбуждение усилителя. Детектор работает по схеме удвоителя напряжения. Резистор R3 вызывает увеличение чувствительности детектора. Используя искатель сигнала, следует его вход подключать от входных ступеней к выходным, проверяя наличие сигнала и контролируя его качество. Когда обнаружим его исчезновение или плохое качество, поломку следует искать в этом каскаде. Следует обратить внимание, что входы искателя сигнала не следует подключать непосредственно к выходу усилителя мощности, напряжению питания или выводам сетевого трансформатора, так как это угрожает выходом из строя интегральной микросхемы US1.