Записи с меткой ‘состава’

Первая группа методов выравнивания состава кристаллов

June 8, 2013

Механическая подпитка расплава твердой фазой

Возможны два способа:

Рис. 7.2. Схема метода механической подпитки расплава твердой фазой: 1 — питающий кристалл; 2 — нагреватель  для  подогрева  питающего  кристалла; 3 — тигель; 4 — выращиваемый кристалл; 5 — расплав; 6 — основной нагреватель.

» Читать запись: Первая группа методов выравнивания состава кристаллов

Кристаллизация в неравновесных условиях – основы материаловедения

May 9, 2013

Все, что до сих пор говорилось о фазовых превращениях, относилось к равновесным при данной температуре состояниям, то есть предполагалось, что скорость изменения температуры так мала, что при каждой температуре в системе успевает установиться равновесие. Однако установление равновесия в системе, осуществляемое путем диффузии, требует времени, продолжительность которого зависит от природы диффундирующих элементов, среды, температуры, размера и степени совершенства кристаллов и других факторов. В реальных условиях время, необходимое для достижения равновесия, может изменяться от долей секунд до многих сотен часов. Кроме того, как отмечалось в начале главы, фазовое превращение при температуре фазового равновесия невозможно, так как в этом случае нет энергетического выигрыша, стимулирующего это превращение. Поэтому равновесную диаграмму состояния следует рассматривать как предельный случай, при котором скорость изменения температуры настолько мала, что фазовое превращение совершается с бесконечно малой скоростью. Тем не менее, этот предельный случай крайне важен для изучения реальных условий кристаллизации.

» Читать запись: Кристаллизация в неравновесных условиях – основы материаловедения

Методы выравнивания состава вдоль кристалла – основы материаловедения

May 5, 2013

Вопрос об однородности распределения примесей по длине и поперечному сечению выращиваемого монокристалла уже обсуждался в гл. 5 и гл. 6. Из рассмотренного материала можно сделать вывод, что существует несколько факторов, вызывающих появление неоднородностей состава в растущем кристалле. Неоднородности по причинам их возникновения можно разделить на две группы: сегрегационные и технологические.

» Читать запись: Методы выравнивания состава вдоль кристалла – основы материаловедения

P − T − X диаграммы состояния – основы материаловедения

April 28, 2013

Рассмотрим P T X диаграммы для бинарных систем. Интенсивные работы  по изучению P T X  диаграмм состояния показали, что  использование высоких давлений (десятки и сотни тысяч атмосфер) в ряде случаев приводит к изменению типа диаграммы состояния, к резкому изменению температур фазовых и полиморфных превращений, к появлению новых фаз, отсутствующих в данной системе при атмосферном давлении. Так, например, диаграмма с неограниченной растворимостью в твердом состоянии при высоких температурах и распадом твердого раствора α на два твердых раствора α1 + α2 при низких температурах может с увеличением давления постепенно переходить в диаграмму с эвтектикой (см. рис. 4.18,а). На рис. 4.18,б показана диаграмма состояния системы Ga–P, в которой образуется полупроводниковое соединение GaP. В зависимости от давления это соединение может плавиться конгруэнтно или инконгруэнтно. Соответственно изменяется и вид двойной диаграммы T X на различных изобарических сечениях тройной P T X диаграммы.

» Читать запись: P − T − X диаграммы состояния – основы материаловедения

Низкочастотный поисковый индикатор передачи сигнала по проводам (25—125 кГц)

September 9, 2012

   Данная схема может быть использована для обнаружения устройств, передающих информацию по проводам. Эти устройства используют приемники сигналов с проводной линии, имеющие диапазон частот, лежащий между звуковыми и радиочастотами. Высшую частоту диапазона такого приемника разумно ограничить величиной 100 кГц. Для этого есть несколько причин:

» Читать запись: Низкочастотный поисковый индикатор передачи сигнала по проводам (25—125 кГц)

Влияние гетеропереходов на сопротивление устройств

August 30, 2011

Применение гетероструктур позволяет улучшить эффективность светодиодов. Это происходит за счет ограничения носителей в активной области, что позволяет исключить диффузию неосновных носителей на большие расстояния. Для направления света в волновод часто применяют светодиоды с торцевым выводом излучения, также, как правило, на основе гетероструктур. В состав большинства современных полупроводниковых светодиодов и лазеров входят несколько гетеропереходов: между контактными слоями, активными областями и волноводами. Несмотря на то, что гетероструктуры позволяют улучшать характеристики светодиодов, их применение связано с рядом проблем.

» Читать запись: Влияние гетеропереходов на сопротивление устройств

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты