Записи с меткой ‘создания’

ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ И НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ СПУТНИКОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ В УКРАИНЕ НА СОВРЕМЕННОМ ЭТАПЕ

February 23, 2013

Мельник А. М. Украинский НИИ радио и телевидения ул. Бунина, 31, г. Одесса, 65026, Украина тел. 8 048 724 0204 е mail melnik@uniirt.com.ua

Аннотация – Представлены результаты анализа состояния спутниковых телекоммуникаций с обоснованием необходимости построения Национальной системы спутниковой связи (НССС). Предлагается на рассмотрение проект целевой программы создания НССС

» Читать запись: ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ И НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ СПУТНИКОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ В УКРАИНЕ НА СОВРЕМЕННОМ ЭТАПЕ

ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СОЗДАНИЕ И РАЗВИТИЕ НАЦИОНАЛЬНОЙ СПУТНИКОВОЙ СИСТЕМЫ СВЯЗИ И ВЕЩАНИЯ УКРАИНЫ

January 2, 2013

Бобров И. Н., Пызюк Д. Л. Государственное предприятие «Укркосмос» пр. Победы 37 (корп. 28), г. Киев, 03056, Украина тел.: (044)241-84-72, e-mail: Bobrov@ukrkosmos.kiev.ua, Pizuyk@ukrkosmos.kiev.ua Шевченко В. А., Липатов А. А. в/ч А0375 а/я 103, г. Киев, 01015, Украина тел.: 280-41-73

» Читать запись: ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СОЗДАНИЕ И РАЗВИТИЕ НАЦИОНАЛЬНОЙ СПУТНИКОВОЙ СИСТЕМЫ СВЯЗИ И ВЕЩАНИЯ УКРАИНЫ

НАНОФАЗНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИЯ И НАНОЭЛЕКТРОНИКА: КЛАСТЕРНЫЕ ВЕЩЕСТВА В МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ

July 11, 2012

Кашин В. В., Кислов В. В., Колесов В. В., Фионов А. С. Институт радиотехники и электроники РАН, Москва, Россия Губин С. П. Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва, Россия Солдатов Е. С. Московский государственный университет, Физический факультет, Москва, Россия Тел.: (095) 2021046; e-mail: kvv@mail.cplire.ru

» Читать запись: НАНОФАЗНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИЯ И НАНОЭЛЕКТРОНИКА: КЛАСТЕРНЫЕ ВЕЩЕСТВА В МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ И ПОЛЕВЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

June 27, 2012

Ж. И. Алферов, Н. А. Малеев, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов Физико-технический институт им. Иоффе РАН 194021, г. С-Петербург, Политехничская, 26 * тел. (+7-812) 247-91-32, e-mail: maleev@beam.ioffe.rssi.ru


Аннотация Представлены результаты по разработке конструкций и технологии изготовления эпитаксиальных гетероструктур для полевых СВЧ-транзисторов и полупроводниковых лазеров различного типа. Разработана технология получения гетероструктур в системах материалов AIGaAs/lnGaAs/GaAs, InAIAs/lnGaAs/lnP и AIGaN/GaN для полевых СВЧ-транзисторов. На основе псевдоморфных гетероструктур AIGaAs/lnGaAs/GaAs изготовлены полевые СВЧтранзисторы с коэффициентом шума 0,6-0,8 дБ при коэффициенте усиления свыше 11 дБ на частоте 12 ГГц. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках арсенида галлия получены гетероструктуры с квантовыми точками InAs/lnGaAs, на основе которых созданы одномодовые лазерные диоды и вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) диапазона длин волн 1300 нм. Разработана технология изготовления ВИЛ диапазона длин волн 960-980 нм с пороговыми токами менее 1 мА и максимальной выходной мощностью в непрерывном режиме при комнатной температуре более 3 мВт, пригодных для использования в монолитных матричных излучателях.

» Читать запись: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ И ПОЛЕВЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

ЗЕРКАЛЬНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ВОЛНОВОД – БАЗОВАЯ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ СОЗДАННИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ИЗЛУЧАЮЩИХ СИСТЕМ

April 13, 2012

Катрич В. А., Звягинцев А. А., Погарский С. А., Сапрыкин И. И., Майборода Д. В., Шаулов Е. А. Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина Пл. Свободы, 4, Харьков -61077, Украина Тел.: +38(057) 7075278; e-mail: Sergey.A.Pogarsky@univer.kharkov.ua

» Читать запись: ЗЕРКАЛЬНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ВОЛНОВОД – БАЗОВАЯ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ СОЗДАННИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ИЗЛУЧАЮЩИХ СИСТЕМ

УПРАВЛЯЮЩИЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ ЖЕЛОБКОВОГО ВОЛНОВОДА

April 8, 2012

Орлов В. Е., Вениг С. Б., Усанов Д. А. Саратовский государственный университет Астраханская ул., д.83, Саратов – 410026, Россия Тел.: +7(8452) 514563; e-mail: wenigsb@info.sgu.ru

Аннотация – Рассмотрена возможность создания на основе желобкового волновода преобразователя поляризации, детектора, вентиля и аттенюатора с использованием полупроводниковых структур.

» Читать запись: УПРАВЛЯЮЩИЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ ЖЕЛОБКОВОГО ВОЛНОВОДА

Световые гирлянды для новогодней елки.

September 22, 2011

Схема простейшего переключателя для создания световых эффектов на новогодней елке приведена на рис. 8.5. Это генератор прямоугольных импульсов, нагрузкой которого служат источники света. Они периодически загораются и гаснут. Естественно, световой эффект становится сильнее, если будет больше генераторов (например, два или три) с различными частотами (например, 2 Гц, 3 Гц и т. д.), а также цепей с осветителями. Несовпадение загораний отдельных групп ламп создает видимость естественного трепетания пламени горящих свечей.

» Читать запись: Световые гирлянды для новогодней елки.

Другие светодиоды с резонатором

September 20, 2011

Весьма вероятно, что уже в ближайшем будущем для создания светодиодов с резонатором и источников излучения с ограничением фотонов будут использоваться новые материалы. Возможно, некоторые из них будут те, которые в настоящее время применяются в системах связи и отображения информации. Устройства, основанные на принципе спонтанного излучения с ограничением фотонов, будут всегда конкурировать с обычными светодиодами, лазерами и другими излучателями. Через некоторое время не будет никаких проблем с подбором материалов для серийного выпуска устройств, излучающих свет на заданной длине волны, пригодных для соответствующих применений. Укажем несколько современных материалов, исследуемых с целью создания новых типов излучателей.

» Читать запись: Другие светодиоды с резонатором

плавающие огни

August 1, 2011

Это устройство служит для создания интересного светового эффекта, основанного на «плавании» световой тбчки справа налево и обратно. Устройство может служить украшением многих игрушек, магазинных витрин, для «оживления» елки и т. п.

» Читать запись: плавающие огни

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты