Записи с меткой ‘structures’

ОСОБЕННОСТИ РЕЗОНАНСНЫХ КВАЗИОПТИЧЕСКИХ СТРУКТУР В ТЕХНИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ КВЧ

February 28, 2013

Воробьёв Г. С., Петровский М. В., Журба В. О. Сумский государственный университет ул. Римского-Корсакова 2, г. Сумы, 40007, Украина тел.: (0542)-39-23-72, e-mail: vp@sumdu.edu.ua

Аннотация – Кратко изложены основные свойства «классических» открытых резонаторов (ОР) без неоднородностей. Рассмотрены свойства ОР с периодическими металлическими неоднородностями, связанных ОР, а также различных модификаций резонансных открытых металлодиэлектрических структур.

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ РЕЗОНАНСНЫХ КВАЗИОПТИЧЕСКИХ СТРУКТУР В ТЕХНИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ КВЧ

HEAT-RESISTANT Au-TiB^^n-GaN SCHOTTKY DIODES

February 20, 2013

A. E. Belyaev\ N. S. Boltovets^, V. N. Ivanov^, V. P. Kladko\ R. V. Konakova\ Ya. Ya. Kudryk\ A. V. Kuchuk\ O. S. Lytvyn\ V. V. Milenin\ Yu. N. Sveshnikov^ ^ V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine 41 Nauki Prosp., Kiev, 03028, Ukraine e-mail: konakova@isp.kiev.ua, Ph.: +(380-44) 525-6182 ^State Enterprise Research Institute «Orion» 8a Eugene PottierSt, Kiev, 03057, Ukraine e-mail: bms@i.kiev.ua; Ph.: +(380-44) 465-0548 ^Close Corporation «Elma-I\^alakhit» Zelenograd, Russia

» Читать запись: HEAT-RESISTANT Au-TiB^^n-GaN SCHOTTKY DIODES

МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ

January 31, 2013

Абрамов И. И., Баранов А. Л. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6., г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Для теоретического исследования одноэлектронной приборной структуры, изображенной на рис.1, была разработана модифицированная физикотопологическая модель, распространяющая предложенный подход [2,4 – 10] на случай композиционной структуры на основе кремния. Модель базируется на численном решении уравнения Пуассона и «основного уравнения» ( «master equation« ) одноэлектро- ники [2] для рассматриваемого случая (рис.1).

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ

OHMIC AND BARRIER CONTACTS TO SiC- AND GaN-BASED MICROWAVE DIODES

May 5, 2012

Boltovets N. S.1, Ivanov V. N.1, Sveshnikov Yu. N.2, Belyaev A. E.3, Avksentiev A. Yu.3, Konakova R. V.3, Kudryk Ya. Ya.3, Kurakin A. M.3, Milenin V. V.3 1 State Enterprise Research Institute “Orion”, tf, Eugene Pottier St., Kiev – 03057, Ukraine Tel.: +38044-465-0548, e-mail: bms@i.kiev.ua 2Closed Corporation “Elma-Malakhit”, Zelenograd, Russia 3V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine

» Читать запись: OHMIC AND BARRIER CONTACTS TO SiC- AND GaN-BASED MICROWAVE DIODES

NEW MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR InP EPITAXIAL LAYERS AND PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES MADE ON THEIR BASIS

April 15, 2012

Arsentiev I. N.1, Bobyl A. V.1, Boltovets N. S.2, Ivanov V. N.2, Konakova R. V.3,

Kudryk Ya. Ya.3, Lytvyn O. S.3, Milenin V. V.3, Tarasov I. S.1, Belyaev A. E.3, Rusu E. V.4 11offe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences 26, Polytekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg – 194021, Russia Tel.: + (7-812) 247-91-34, e-mail: tarasa@hpld.ioffe.rssi.ru 2State Enterprise Research Institute “Orion”

» Читать запись: NEW MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR InP EPITAXIAL LAYERS AND PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES MADE ON THEIR BASIS

КРЕМНИЕВЫЕ МДП-ВАРИКАПЫ С ДВУХСЛОЙНЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

April 5, 2012

Рожков В. А., Родионов М. А., Пашин А. В., Гурьянов А. М. Самарский государственный университет ул. акад. Павлова, 1, Самара – 443011, Россия Тел.: (8462)34-54-55; e-mail: rozhkov@ssu.samara.ru

Аннотация – Исследованы электрофизические свойства МДП-структур Al-Dy203-Gd203-Si. Установлено, что электропроводность МДП-структур на постоянном токе удовлетворительно описывается механизмом Пула – Френкеля. Определены значения плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник – диэлектрик, величины скорости поверхностной генерации и времени жизни неосновных носителей заряда. Показана перспективность использования исследованных структур в качестве МДП- варикапов и параметрических СВЧ диодов.

» Читать запись: КРЕМНИЕВЫЕ МДП-ВАРИКАПЫ С ДВУХСЛОЙНЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты