Записи с меткой ‘структур’

АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ КООРДИНАТОГРАФ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОПОЛОСКОВЫХ ПЛАТ МЕТОДОМ ГРАВИРОВКИ ПО ЛАКУ

February 28, 2013

Агафонов К. В., Беляев Б. А., Лексиков А. А. Институт Физики им. Л. В. Киренского СО РАН г. Красноярск, Академгородок, 660036, Россия Тел.: 3912-494591, e-mail: belyaev@iph.krasn.ru

Аннотация – Разработан автоматизированный координатограф, позволяющий методом гравировки по лаку изготавливать рисунки полосковых проводников микрополосковых схем на площади 60×48 mm^ с точностью ±5 μΓΠ.

» Читать запись: АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ КООРДИНАТОГРАФ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОПОЛОСКОВЫХ ПЛАТ МЕТОДОМ ГРАВИРОВКИ ПО ЛАКУ

ОПЕРАТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

July 23, 2012

Диапазон частот: 1… 18 ГГц.

Пространственный сектор :

передняя четверть сферы (конус) относительно нормали к плоскости решётки (полярный угол 9<45гр.).

Типы сигналов :

импульсные (ИИ), непрерывные (НИ), квазинепрерывные (КНИ).

» Читать запись: ОПЕРАТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ СВЧ РАЗРЯДА НА ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

July 1, 2012

Бордусов С. В. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220027, Минск, П. Бровки, 6 E-mail: Bordusov@gw.bsuir.unibel.by

Аннотация Существующие методы вакуумноплазменной обработки (методы очистки, травления, осаждения материалов) вносят, как правило, значительную дополнительную дефектность в кристаллическую структуру приповерхностных слоев и пленок [1-4], что ухудшает их электрофизические свойства, а значит, и параметры приборов, изготовленных на их основе. Результаты измерений параметров структур ИС после СВЧ плазмохимической обработки показали, что проводимый в целях удаления фоторезистивных маскирующих пленок процесс не вызывает каких-либо заметных эффектов электрической деградации КМОП-структур и может быть использован на операциях фотолитографии при производстве сверхбольших интегральных схем.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ СВЧ РАЗРЯДА НА ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

РАСЧЕТ СТРУКТУР РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ ДЛЯ СУБГАРМОНИЧЕСКИХ СМЕСИТЕЛЕЙ

June 19, 2012

Алкеев Н. А.

Институт Радиотехники и Электроники РАН 141190, Россия, Московская обл. г. Фрязино, пр. Введенского, 1 Fax: (095) 2032406, e-mail: alkeev@ms.ire.rssi.ru Голант Е. И., Пашковский А. Б.

Федеральное государственное унитарное предприятие НПП «Исток» 141190, Россия, Московская обл. г. Фрязино, Вокзальная 2а Fax: (095) 4658620, e-mail: eugenegolant@mail.ru

» Читать запись: РАСЧЕТ СТРУКТУР РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ ДЛЯ СУБГАРМОНИЧЕСКИХ СМЕСИТЕЛЕЙ

ИССЛЕДОВАНИЕ, РАЗРАБОТКА И ИЗГОТОВЛЕНИЕ СТРУКТУР КНИ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И РАЗЛИЧНЫХ ПРИБОРОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

April 25, 2012

Тимошенков С. П., Дягилев В. В., Калугин В. В. Московский институт электронной техники (Технический университет) Москва – 124498, Зеленоград Графутин В. И., Прокопьев Е. П. ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А. И. Алиханова Ул. Б. Черемушкинская, 25, Москва – 117218, Россия

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ, РАЗРАБОТКА И ИЗГОТОВЛЕНИЕ СТРУКТУР КНИ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И РАЗЛИЧНЫХ ПРИБОРОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ

April 22, 2012

Бекбергенов С. Е. Каракалпакский государственный университет им. Бердаха Нукус, Узбекистан e-mail: saparbay@rambler.ru

Аннотация – Рассмотрены некоторые аспекты применения лазерной обработки в технологии формирования арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структур и омических контактов к ним, основанные на анализе литературных данных и экспериментальных результатов автора.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты