Записи с меткой ‘структура’

Структура источников питания

May 18, 2015

Большинство электронных систем функционируют с использованием источников питания постоянного тока. Маломощные устройства, такие как сотовые телефоны, ноутбуки, переносные радиоприемники и другие, работают на батареях или аккумуляторах, которые вырабатывают постоянный ток. Для стационарного оборудования, как правило, требуется преобразование стандартного электропитания переменного тока (220 В, 50 Гц в Европе и 110 В, 60 Гц в Америке) в напряжение постоянного тока. Существуют три типа таких преобразователей [18, 19]:

» Читать запись: Структура источников питания

Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

June 2, 2013

Бор — единственный элементарный полупроводник, расположенный левее IVA подгруппы в периодической системе. Структура его валентной оболочки — 2s2p1. В большинстве соединений он трехвалентен, поэтому распределение электронов по валентным орбиталям в нем можно представить в виде 2s12p2. Однако при образовании простых sp2-гибридных связей в боре валентная оболочка атомов бора не заполняется полностью, тем не менее бор, как полупроводник, должен иметь полностью заполненную валентную зону. По-видимому, заполнение происходит при участии в гибридизации, помимо 2s-электронов, еще и 1s-электронов.

» Читать запись: Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

Подгруппа VIA: сера, селен, теллур – основы материаловедения

April 30, 2013

Структура валентной оболочки — ns2np4 (n = 3 для серы, 4 для селена, 5 для теллура. Элементы этой группы содержат два неспаренных p-электрона на внешней оболочке, поэтому две ковалентные связи от каждого атома могут быть направлены либо к одному атому (при этом будут образовываться двухатомные молекулы как в O2), либо к двум различным атомам (образуются многоатомные молекулы в виде замкнутых колец или бесконечных протяженных цепочек). Угол между соседними ковалентными связями, направленными к двум различным атомам, не

» Читать запись: Подгруппа VIA: сера, селен, теллур – основы материаловедения

ИНФОРМАЦИОННО-УЧЕБНАЯ СИСТЕМА ПО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОЙ ТЕХНИКЕ «INFUS_TK»

May 2, 2012

Шелковников Б. Н., Шелковников А. Б., Ильченко М. Е., Колчанов О. В., Емцев П. А., Бондарь Д. Б., Глубокое А. А. Национальный технический университет Украины «КПИ» 4020, пр. Победы, 37, Киев, 03056, Украина факс: 380(44)241-7623, e-mail: shelk@ukr.net

» Читать запись: ИНФОРМАЦИОННО-УЧЕБНАЯ СИСТЕМА ПО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОЙ ТЕХНИКЕ «INFUS_TK»

ОСОБЕННОСТИ КОЛЕБАНИЙ Н-ТИПА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ РЕЗОНАТОРЕ В ФОРМЕ ПОЛУСФЕРЫ

March 24, 2012

Голубничая Г. В., Кириченко А. Я., КогутА. Е., Кутузов В. В., Максимчук И. Г., Солодовник В. А.

Институт радиофизики и электроники НАН Украины ул. Акад. Проскуры, д. 12, Харьков – 61085, Украина Тел.: (057) 744-83-23; e-mail: kharkovs@ire.kharkov.ua

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ КОЛЕБАНИЙ Н-ТИПА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ РЕЗОНАТОРЕ В ФОРМЕ ПОЛУСФЕРЫ

Некоторые функциональные и конструктивные аналоги из числа ЛЭ И—НЕ ТТЛ универсальных серий

September 28, 2011

 

Логическая структура

СССР

» Читать запись: Некоторые функциональные и конструктивные аналоги из числа ЛЭ И—НЕ ТТЛ универсальных серий

Проверка других компонентов

March 19, 2011

Если неизвестна внутренняя структура элемента (например микросхемы), то его можно попытаться проверить путем сравнения с таким же, но заведомо исправным. Проводится поочередная про- звонка цепей обоих элементов (при разных полярностях подключения ктесгеру) и, если показания прибора в каком-то месте существенно отличаются от эталонного значения, с большой вероятностью можно утверждать — здесь неисправность. Сравнение можно проводить и по режимам (напряжению, току или форме сигналов, контролируя их осциллографом) в рабочем состоянии.

» Читать запись: Проверка других компонентов

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты