Записи с меткой ‘структуре’

Соединения с резонансной связью – основы материаловедения

April 26, 2013

В соединениях первого типа наиболее электроотрицательный элемент IVA подгруппы играет роль компонента B. Рассмотрим этот тип замещения на примере соединения Mg2Sn. Mg2Sn кристаллизуется в структуре антифлюорита, которая показана на рис. 2.24. Видно, что эта структура отличается от структуры алмаза, а в молекуле два атома A и число валентных электронов в расчете на один атом меньше 4 (8/3 < 4). Тем не менее, Mg2Sn является полупроводником, а правила нормальных валентностей (K = 2; a = 2; L = 4; b = 1), Музера-Пирсона (ne = 8; NB = 1; NBB = 0) и остальные общие полупроводниковые закономерности выполняются.

» Читать запись: Соединения с резонансной связью – основы материаловедения

GaAs МИС PIN ДИОДНОГО ДВУХПОЗИЦИОННОГО КОММУТАТОРА

January 20, 2013

Баров А. А., Гущин С. М. НПФ «Микран», ОАО «НИИПП» ул. Вершинина, д. 47, г. Томск, 634034, Россия тел.: +7(3822) 413403, e-mail: a_barov@micran.ru

Аннотация – Описывается разработка GaAs МИС p-i-n диодного коммутатора.

I.                                       Введение

» Читать запись: GaAs МИС PIN ДИОДНОГО ДВУХПОЗИЦИОННОГО КОММУТАТОРА

ЛАВИННО-ИНЖЕКЦИОННАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ И МАЛЫЕ ПРОБИВНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

April 24, 2012

Бувайлик Е. В., Мартынов Я. Б., Погорелова Э. В. Федеральное государственное унитарное предприятие «НПП «Исток» Вокзальная, 2а, г. Фрязино, Московская область, 141190, Россия Fax:(095) 4658686; e-mail: istkor@elnet.msk.ru

Аннотация – Впервые показано, что при некоторых условиях в n-i-n структуре возникает неустойчивость, связанная с ударной ионизацией носителей тока, имеющая S- образную вольтамперную характеристику, приводящую к шнурованию тока и локальным разрушениям полупроводниковой структуры. Исследованы ее свойства.

» Читать запись: ЛАВИННО-ИНЖЕКЦИОННАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ И МАЛЫЕ ПРОБИВНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Фототранзисторы

March 4, 2011

по своей структуре аналогичны обычным транзисторам (чаще всего биполярным) и работают так же. В отличие от фотодиодов, обладают существенно большей фоточувствительностью, так как у них есть дополнительные усилительные свойства за счет наличия фототока в эмиттерном р-п-переходе. могут использоваться как фотодиоды (когда база не

» Читать запись: Фототранзисторы

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты