Записи с меткой ‘substrates’

PHYSICS-TECHNOLOGICAL FABRICATION FEATURES AND PARAMETERS OF InP MM-WAVE GUNN DIODES

February 6, 2013

I. N. Arsentiev\ A. E. Belyaev^, A. V. Bobyl\ N. S. Boltovets^, V. N. Ivanov^, V. M. Kovtonyuk^,

R. V. Konakova^, Ya. Ya. Kudryk , V. V. Milenin^, I. S. Tarasov\ E. P. Markovskyi^, R. A. Red’ko^, E. V. Russu^

^Ioffe Physico-Technical Institute RAN 26 Politekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg, 194021 Russia e-mail: arsentyev@mail.ioffe.ru; Ph.: +{7-812) 247-91-34 ^V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine

» Читать запись: PHYSICS-TECHNOLOGICAL FABRICATION FEATURES AND PARAMETERS OF InP MM-WAVE GUNN DIODES

NEW MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR InP EPITAXIAL LAYERS AND PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES MADE ON THEIR BASIS

April 15, 2012

Arsentiev I. N.1, Bobyl A. V.1, Boltovets N. S.2, Ivanov V. N.2, Konakova R. V.3,

Kudryk Ya. Ya.3, Lytvyn O. S.3, Milenin V. V.3, Tarasov I. S.1, Belyaev A. E.3, Rusu E. V.4 11offe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences 26, Polytekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg – 194021, Russia Tel.: + (7-812) 247-91-34, e-mail: tarasa@hpld.ioffe.rssi.ru 2State Enterprise Research Institute “Orion”

» Читать запись: NEW MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR InP EPITAXIAL LAYERS AND PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES MADE ON THEIR BASIS

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты