Записи с меткой ‘surface’

АНАЛИЗ СОБСТВЕННЫХ ИМПЕДАНСНЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЛН МЕТОДОМ ЭТАЛОННОЙ ЗАДАЧИ

January 15, 2013

Звягинцев А. А., Иванов А. И., Катков Д. В. Харьковский национальный университет им. В. И. Каразина пл. Свободы 4, г. Харьков, 61077, Украина Тел.: 8057-7075424, e-mail: alexei.i.ivanov@univer.kharkov.ua

Аннотация – Представлено решение задачи о нахождении высокочастотной асимптотики собственных поверхностных волн гладкой криволинейной импедансной поверхности. Решение произведено методом эталонной задачи. Рассмотрено влияние неоднородностей окружающей среды на направление распространения и амплитуду поверхностных волн.

» Читать запись: АНАЛИЗ СОБСТВЕННЫХ ИМПЕДАНСНЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЛН МЕТОДОМ ЭТАЛОННОЙ ЗАДАЧИ

АНАЛИЗ ПОЛЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ГИБРИДНО-ЗЕРКАЛЬНОЙ АНТЕННЫ КАССЕГРЕНА

July 31, 2012

Лобкова Л. М., Головин В. В., Боромекова М. А., Тыщук Ю. Н. Севастопольский национальный технический университет 99053, г. Севастополь, Украина Тел.: (0692) 23 51 52; e-mail: rt.sevgtu@stel.sebastopol.ua


Аннотация На основании разработанного метода теоретического исследования гибридно-зеркальных антенн

» Читать запись: АНАЛИЗ ПОЛЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ГИБРИДНО-ЗЕРКАЛЬНОЙ АНТЕННЫ КАССЕГРЕНА

ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОМАСШТАБНОЙ СТРУКТУРЫ БЛИЖНЕГО ПОЛЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА

July 31, 2012

Гайкович К. П., Дряхлушин В. Ф., Жилин А. В. Институт физики микроструктур РАН ГСП-105, Н. Новгород 603950, Россия Тел.: (8312)675037; факс: (8312)675553; e-mail: gaitfbjpm.sci-nnov.ru

Аннотация Представлены результаты исследования структуры ближнего поля полупроводникового лазера по данным сканирующей ближнепольной оптической микроскопии (СБОМ). Достигнутое высокое разрешение позволило зарегистрировать тонкую наномасштабную структуру неоднородностей излучения, которая может быть обусловлена наномасштабными неоднородностями излучающей поверхности лазера.. Разрешающая способность системы СБОМ, определяемая эффективным размером апертуры зонда, составляла ~50-100 нм, т.е. много меньше рабочей длины волны. Дальнейшее увеличение разрешения (до 2030 нм) достигалось путём учёта формы аппаратной функции с помощью деконволюции получаемых двумерных изображений методом Тихонова. Обнаруженные в результате анализа вариации излучения с амплитудой 3-4% имели характерный размер ~50 нм, сравнимый с наблюдавшимися одновременно с помощью атомно-силового микроскопа неоднородностями излучающей поверхности лазера.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОМАСШТАБНОЙ СТРУКТУРЫ БЛИЖНЕГО ПОЛЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА

ЭФФЕКТИВНОЕ СНИЖЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА ДЛЯ ТУННЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР

July 14, 2012

В. Д. Фролов*, С. М. Пименов, В. И. Конов Институт общей физики РАН 119991, Москва, ул. Вавилова 38 *E-mail: frolov@ran.gpi.ru В. И. Кузькин Институт нанотехнологии 105184 Москва, Б. Татарская ул., 38

Аннотация Методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС) проведено исследование электронных свойств углеродных наночастиц. Наночастицы холмообразные нанообъекты сформированы с различными размерами и конфигурацией на поверхности алмазоподобной углеродной пленки в присутствии хлорорганического адсорбата с помощью СТМ-литографа. Главным результатом исследований является обнаружение эффекта снижения поверхностного потенциала электронов с уменьшением характерного размера нанообъекта.

» Читать запись: ЭФФЕКТИВНОЕ СНИЖЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА ДЛЯ ТУННЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МОДИФИЦИРОВАННОЙ дипольнои АНТЕННЫ В ПОДПОВЕРХНОСТНЫХ РАДАРАХ СО СТУПЕНЧАТОЙ ПЕРЕСТРОЙКОЙ ЧАСТОТЫ

May 7, 2012

Максимович Е. С., Михнев В. А., Вайникайнен П.

Институт прикладной физики НАН Беларуси, Академическая, 16, 220072, Минск, Беларусь Тел.(+375-17) 2842439; e-mail: makhel@iaph.bas-net.by, mikhnev@iaph.bas-net.by Helsinki University of Technology, P. O. Box 3000, FIN-02015 HUT, Finland Тел. (+358-9)4512251; e-mail: pertti.vainikainen@hut.fi

» Читать запись: ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МОДИФИЦИРОВАННОЙ дипольнои АНТЕННЫ В ПОДПОВЕРХНОСТНЫХ РАДАРАХ СО СТУПЕНЧАТОЙ ПЕРЕСТРОЙКОЙ ЧАСТОТЫ

ФРАКТАЛЬНАЯ РАЗМЕРНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФРАКТАЛЬНЫХ СЕНСОРОВ

April 30, 2012

Даник Ю. Г., Горобец Н. Н., Толстая А. А., Тимонюк В. А. Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина пл. Свободы, д. 6, Харьков – 61077, Украина Тел.: +3080(572)707-51-75, E-mail: Nicolay.N.Gorobets@univer.kharkov.ua

» Читать запись: ФРАКТАЛЬНАЯ РАЗМЕРНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФРАКТАЛЬНЫХ СЕНСОРОВ

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ДЛЯ РАСЧЕТА ХАРАКТЕРИСТИК ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА

April 15, 2012

Кореновская О. Л., Липкань О. К., Манойлов В. П. Житомирский государственный технологический университет ул. Черняховского, 103, Житомир – 10005, Украина Тел.: (0412) 22-14-10, e-mail: niki80@rambler.ru

These equations allow calculating of dielectric resonator parameters.

» Читать запись: МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ДЛЯ РАСЧЕТА ХАРАКТЕРИСТИК ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА

NEW MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR InP EPITAXIAL LAYERS AND PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES MADE ON THEIR BASIS

April 15, 2012

Arsentiev I. N.1, Bobyl A. V.1, Boltovets N. S.2, Ivanov V. N.2, Konakova R. V.3,

Kudryk Ya. Ya.3, Lytvyn O. S.3, Milenin V. V.3, Tarasov I. S.1, Belyaev A. E.3, Rusu E. V.4 11offe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences 26, Polytekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg – 194021, Russia Tel.: + (7-812) 247-91-34, e-mail: tarasa@hpld.ioffe.rssi.ru 2State Enterprise Research Institute “Orion”

» Читать запись: NEW MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR InP EPITAXIAL LAYERS AND PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES MADE ON THEIR BASIS

КРЕМНИЕВЫЕ МДП-ВАРИКАПЫ С ДВУХСЛОЙНЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

April 5, 2012

Рожков В. А., Родионов М. А., Пашин А. В., Гурьянов А. М. Самарский государственный университет ул. акад. Павлова, 1, Самара – 443011, Россия Тел.: (8462)34-54-55; e-mail: rozhkov@ssu.samara.ru

Аннотация – Исследованы электрофизические свойства МДП-структур Al-Dy203-Gd203-Si. Установлено, что электропроводность МДП-структур на постоянном токе удовлетворительно описывается механизмом Пула – Френкеля. Определены значения плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник – диэлектрик, величины скорости поверхностной генерации и времени жизни неосновных носителей заряда. Показана перспективность использования исследованных структур в качестве МДП- варикапов и параметрических СВЧ диодов.

» Читать запись: КРЕМНИЕВЫЕ МДП-ВАРИКАПЫ С ДВУХСЛОЙНЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

ЧАСТОТНАЯ СЕЛЕКЦИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН ШЕРОХОВАТЫМ ЗЕРКАЛОМ

April 1, 2012

Воробйов Р. В., Бутакова С. В. Харьковский институт ВВС Украины а/я 10744, 61140, Харьков, Украина Тел.: (0572) 272409, e-mail: svetvik@ukr.net, vorbut@ukr.net

Аннотация – Рассмотрена физическая основа частотной селекции электромагнитного излучения, отраженного от шероховатой металлической поверхности. Получено совпадение экспериментальных и расчётных данных о спектральных свойствах зеркала миллиметровой антенны в ИК диапазоне.

» Читать запись: ЧАСТОТНАЯ СЕЛЕКЦИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН ШЕРОХОВАТЫМ ЗЕРКАЛОМ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты