Записи с меткой ‘свечения’

Индексы цветопередачи для источников света, расположенных вне кривой Планка

September 4, 2011

Следующие расчеты справедливы для тестируемых источников света, расположенных за пределами кривой Планка. Метод расчета, приведенный здесь, описан в публикации (МКО, 1995). В нем учитывается адаптивный сдвиг цвета, возникающий из-за способности человека к цветовой адаптации.

» Читать запись: Индексы цветопередачи для источников света, расположенных вне кривой Планка

Спектр излучения светодиода с перепоглощением фотонов

September 3, 2011

В работе (Guoetal., 1999) описаны светодиоды на основе светодиодов синего свечения InGaN/GaNи электрически пассивного вторичного источника AlInGaP, излучающего свет в красной области спектра, использующего перепоглощение фотонов. На рис. 21.17 показан спектр излучения такого устройства. Видно, что спектральная линия первичного светодиода находится на длине волны 470 нм, а вторичного источника —на длине волны 630 нм, что соответствует поглощению

» Читать запись: Спектр излучения светодиода с перепоглощением фотонов

История создания светодиодов видимого диапазона оптического спектра из AlInGaP

August 31, 2011

Система материалов AlInGaPподходит для получения яркого свечения в красном (626 нм), оранжевом (610 нм) и желтом (590 нм) спектральных диапазонах и в настоящее время является основной для изготовления светодиодов повышенной яркости, излучающих свет в данном интервале длин волн. На рис. 1.13 приведены примеры наи-

» Читать запись: История создания светодиодов видимого диапазона оптического спектра из AlInGaP

Электрические характеристики сверхъярких светодиодов

August 30, 2011

На рис. 12.19 представлены вольтамперные характеристики светодиодов красного свечения на основе AlInGaP, а также светодиодов голубого и зеленого свечения на основе InGaNв режиме прямого смещения. Прямая зависимость между пороговым напряжением и интенсивностью излучения свидетельствует о хороших рабочих характеристиках диодов. При токе 1 мА напряжения прямого смещения светодиодов зеленого и голубого свечения оказались близки (2,65 В и 2,75 В), даже несмотря на заметную разницу в энергиях излучений (для светодиодов голубого свечения Л = 470 нм,hv= 2,64 эВ, а для светодиодов зеленого свечения А = 525 нм, а hv— 2,36 эВ). Малое различие напряжений смещения, возможно, указывает на вероятность того, что при инжекции носителей в активную область InGaNчерез барьерный слой GaNчасть из них теряют энергию на излучение фононов. Потери увеличиваются при инжекции носителей в активные слои InGaNс высокой концентрацией индия для светодиодов зеленого свечения. Энергия расходуется на излучение фононов, восполняется внешним напряжением, подаваемым на светодиоды.

» Читать запись: Электрические характеристики сверхъярких светодиодов

Основные характеристики сверхъярких светодиодов

August 20, 2011

Темпы повышения световой отдачи светодиодов видимого спектра впечатляют. Их можно сравнить с темпами разработки кремниевых интегральных схем, скорость улучшения характеристик которых подчиняется «закону Мура», согласно которому производительность этих микросхем удваивается приблизительно каждые 18 мес.

» Читать запись: Основные характеристики сверхъярких светодиодов

ЗАТЕМНИТЕПЬ ГАЛОГЕНОВЫХ ЛАМП

August 18, 2011

Галогеновое освещение завоевывает все большую. популярность. Оно используется в квартирах, увеселительных заведениях, витринах магазинов. Яркость потока света, образуемого галогеновой лампой, почти в два раза больше, чем от традиционной лампочки такой же мощности. Во многих случаях возникает необходимость регулирования яркости свечения галогеновой лампы. Для этих целей служит описываемый затемнитель.

» Читать запись: ЗАТЕМНИТЕПЬ ГАЛОГЕНОВЫХ ЛАМП

Мерцающая лампа

April 14, 2011

Любую лампу накаливания можно заставить хаотично изменять яркость свечения, воспользовавшись схемой на рис. 4.9. Такой эффект может пригодиться для подсветки в искусственном ка-

» Читать запись: Мерцающая лампа

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты