Записи с меткой ‘светодиодов’

Световая эффективность и световая отдача

November 3, 2011

Зная радиометрическую мощность излучения, можно найти величину светового потока Ф1ит:

» Читать запись: Световая эффективность и световая отдача

Безызлучательная рекомбинация

November 1, 2011

Очень важно, чтобы для формирования активной области использовались высококачественные материалы, в которых мало точечных дефектов, нежелательных примесей, дислокаций и прочих дефектов, способных привести к созданию глубоких примесных уровней.

» Читать запись: Безызлучательная рекомбинация

Температурная зависимость интенсивности излучения

October 31, 2011

С ростом температуры интенсивность излучения светодиодов падает. Это снижение интенсивности происходит из-за:

1)   безызлучательной рекомбинации через глубокие примесные уровни,

2)    рекомбинации на поверхности,

» Читать запись: Температурная зависимость интенсивности излучения

История создания светодиодов красного и инфракрасного свечения из GaAsи AlGaAs

October 28, 2011

К 1950-м гг. полупроводниковые материалы типа АIIВVI, а также SiC, были уже довольно хорошо изучены, поскольку это материалы, встречающиеся в природе. Поэтому не случайно, что первые светодиоды были изготовлены из SiCв 1907 г., а в 1936 г. появилась публикация о создании французским ученым Ж. Дестрио светодиодов на основе кристаллов ZnS (Destriau, 1936).

» Читать запись: История создания светодиодов красного и инфракрасного свечения из GaAsи AlGaAs

Координаты цветности светодиодов

October 28, 2011

Монохроматические источники излучения

Рис. 17.10. Расположение различных типов светодиодов на цветовой диаграмме

(Schubert, Miller, 1999)

 

Источник:

 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. — 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.

Спектр излучения

October 27, 2011

Механизм свечения полупроводниковых светодиодов заключается в излучении фотонов в результате спонтанной рекомбинации электронно-дырочных пар. Спонтанные процессы излучения света принципиально отличаются от процессов вынужденного (индуцированного) излучения, характерных для полупроводниковых лазеров и суперлюминесцентных диодов. Оптические параметры светодиодов непосредственно связаны с процессами спонтанной излучательной рекомбинации. Поэтому в этом разделе будут обсуждаться характеристики спонтанного излучения светодиодов.

» Читать запись: Спектр излучения

Светодиоды на основе AlGaAs/GaAs

October 25, 2011

Гетероструктуры AIa;Gai_a;As/GaAsбыли разработаны в 1970-е гх., а в начале 1980-е гг. на их основе были реализованы первые светодиоды, с высокой яркостью свечения (Steranka, 1997) ‘). Поскольку алюминий и галлий имеют весьма близкие атомные радиусы (1,82 А и 1,81 А), система Al^Gai-xAs(или просто AlGaAs) остается согласованной по параметрам решетки с подложкой GaAsво всем диапазоне изменений молярной доли алюминия в трехкомпонентном составе. На рис. 12.6 показаны значения ширины запрещенной зоны и постоянных решеток некоторых полупроводников типа А^^’В^ и их трех- и четырехкомпонентных твердых растворов. Видно отсутствие зависимости между постоянной решетки и молярной долей алюминия (Tien, 1988).

» Читать запись: Светодиоды на основе AlGaAs/GaAs

Оптические характеристики сверхъярких светодиодов

October 21, 2011

На рис. 12.16 показаны спектры излучения светодиодов красного свечения на основе AlInGaP, голубого и зеленого свечения на основе InGaN (ToyodaGoseyCorp., 2000). Видно, что спектр светодиодов зеленого свечения значительно шире спектров светодиодов голубого й красного свечения. Это может быть связано с проблемами выращивания структур на основе InGaNс высоким содержанием индия. Было обнаружено, что в процессе выращивания слоев InGaN, особенно при высоком содержании индия, формируются скопления его атомов или

» Читать запись: Оптические характеристики сверхъярких светодиодов

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты