Записи с меткой ‘световодов’

ВОЛОКОННО- ОПТИЧЕСКАЯ связь – ЧАСТЬ 1

November 21, 2011

Е. М. ДИАН OB, А. М. ПРОХОРОВ

 

Семидесятые годы этого столетия ознаменовались крупными успехами в разработке стеклянных волоконных световодов с малыми оптическими потерями. Это было вызвано необходимостью создания передающей среды для систем оптической связи, поскольку опыты по передаче информации с помощью луча лазера через свободную атмосферу показали, что из-за воздействия метеорологических условий она не является подходящей средой для передачи света на значительные расстояния. Использование труб с корректирующими элементами изолировало свет от влияния нестабильной атмосферы, но это были сложные, громоздкие и дорогостоящие устройства.

» Читать запись: ВОЛОКОННО- ОПТИЧЕСКАЯ связь – ЧАСТЬ 1

ВОЛОКОННО- ОПТИЧЕСКАЯ связь – ЧАСТЬ 2

November 17, 2011

Таким образом, наибольший интерес для волоконно-оптической связи с точки зрения получения низких оптических потерь представляет диапазон длин волн 0,8…1,8 мкм, в котором поглощение света в стеклах обусловлено в основном примесями пере-

» Читать запись: ВОЛОКОННО- ОПТИЧЕСКАЯ связь – ЧАСТЬ 2

Поверхностно-излучающие светодиоды, работающие на длине волны 1300 нм

October 11, 2011

В волоконно-оптических системах связи на основе кварцевых световодов с градиентным профилем показателя преломления, позволяющих передавать информацию с высокой скоростью, используют светодиоды, излучающие свет на длине волны 1300 нм. На рис. 23.2 показана структура такого светодиода (Sauletal., 1985). Излучение проходит через подложку InP, прозрачную на длине волны 1300 нм. Соответственно кристалл в корпусе светодиода монтируется эпитаксиальным слоем вниз.

» Читать запись: Поверхностно-излучающие светодиоды, работающие на длине волны 1300 нм

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты