Записи с меткой ‘связей’

Связи внутри устройств – для новичков в радиоделе

June 12, 2014

Связи между всеми элементами электронного устройства внутри этого устройства, если говорить о связях, предусмотренных электрической схемой, осуществляют проводники: медные дорожки печатной платы, провода, выводы деталей Проводники – основной вид связей и внутри электронных устройств, и между электронными устройствами

» Читать запись: Связи внутри устройств – для новичков в радиоделе

Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

June 2, 2013

Бор — единственный элементарный полупроводник, расположенный левее IVA подгруппы в периодической системе. Структура его валентной оболочки — 2s2p1. В большинстве соединений он трехвалентен, поэтому распределение электронов по валентным орбиталям в нем можно представить в виде 2s12p2. Однако при образовании простых sp2-гибридных связей в боре валентная оболочка атомов бора не заполняется полностью, тем не менее бор, как полупроводник, должен иметь полностью заполненную валентную зону. По-видимому, заполнение происходит при участии в гибридизации, помимо 2s-электронов, еще и 1s-электронов.

» Читать запись: Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

May 21, 2013

ANB8−N

Проследим, каким образом реализуется ковалентная связь в полупроводниковых бинарных соединениях ANB8−N, у которых ∆X < 1. Было установлено, что неполярная ковалентная связь, приводящая к формированию алмазоподобной структуры (Zк = 4), наблюдается в гомеополярных кристаллах при образовании в них sp3-гибридных связей. Такие гибридные связи могут образовываться и в соединениях ANB8−N, поскольку во всех них среднее число валентных электронов на атом компонента

» Читать запись: Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

Полупроводниковые соединения других групп – основы материаловедения

May 14, 2013

Соединения AIVBVI

Из рассмотренных выше примеров может создаться неверное впечатление, что полупроводниковыми свойствами обладают только соединения с тетраэдрической или производной от нее координацией атомов. Соединения AIVBVI, к которым относятся халькогениды свинца, олова и германия, также обладают полупроводниковыми свойствами, хотя их структу

» Читать запись: Полупроводниковые соединения других групп – основы материаловедения

Соединения с резонансной связью – основы материаловедения

April 26, 2013

В соединениях первого типа наиболее электроотрицательный элемент IVA подгруппы играет роль компонента B. Рассмотрим этот тип замещения на примере соединения Mg2Sn. Mg2Sn кристаллизуется в структуре антифлюорита, которая показана на рис. 2.24. Видно, что эта структура отличается от структуры алмаза, а в молекуле два атома A и число валентных электронов в расчете на один атом меньше 4 (8/3 < 4). Тем не менее, Mg2Sn является полупроводником, а правила нормальных валентностей (K = 2; a = 2; L = 4; b = 1), Музера-Пирсона (ne = 8; NB = 1; NBB = 0) и остальные общие полупроводниковые закономерности выполняются.

» Читать запись: Соединения с резонансной связью – основы материаловедения

Введение в твердотельную электронику

January 26, 2012

Транзистор изготавливается из полупроводникового материала двух различных типов. Для понимания работы транзистора необходимо рассмотреть некоторые свойства этого необычного класса материалов, называемых полупроводниками.

Полупроводники

По своим электрическим свойствам твердые вещества можно разделить на три класса: проводники, изоляторы и полупроводники. Класс, в который попадает тот или иной материал, зависит от поведения электронов на внешней орбите атома. В случае изолятора, такого как полиэтилен, эти валентные электроны прочно связаны с ядром, и лишь немногие из них способны порвать связь со своими атомами и участвовать в движении, образующем электрический ток. В проводнике, таком как медь, очень много свободных электронов при любой температуре выше абсолютного нуля, поскольку валентные электроны совсем слабо связаны со своими атомами и свободно дрейфуют.

» Читать запись: Введение в твердотельную электронику

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты