Записи с меткой ‘температуре’

Источник опорного напряжения, равного ширине запрещенной зоны полупроводника

June 4, 2015

Наиболее широкое распространение в ИМС стабилизаторов напряжения и других аналоговых ИМС в настоящее время получили источники опорного напряжения, равного ширине запрещенной зоны полупроводника [16].

» Читать запись: Источник опорного напряжения, равного ширине запрещенной зоны полупроводника

Датчик температуры – для новичков в радиоделе

July 10, 2014

Это, наверное, самые распространённые сегодня датчики Современный уличный термометр, медицинский термометр, и даже звуковой усилитель – все имеют датчик температуры

» Читать запись: Датчик температуры – для новичков в радиоделе

Сигнализатор оледенения

May 26, 2013

Более 10 лет автомобили фирмы Rover оснащаются сигнализатором, предупреждающим водителя о возможной гололедице. С появлением универсальных и экономичных счетверенных блоков операционных усилителей такое устройство можно устанавливать на автомобиле любой модели.

» Читать запись: Сигнализатор оледенения

Кристаллизация в неравновесных условиях – основы материаловедения

May 9, 2013

Все, что до сих пор говорилось о фазовых превращениях, относилось к равновесным при данной температуре состояниям, то есть предполагалось, что скорость изменения температуры так мала, что при каждой температуре в системе успевает установиться равновесие. Однако установление равновесия в системе, осуществляемое путем диффузии, требует времени, продолжительность которого зависит от природы диффундирующих элементов, среды, температуры, размера и степени совершенства кристаллов и других факторов. В реальных условиях время, необходимое для достижения равновесия, может изменяться от долей секунд до многих сотен часов. Кроме того, как отмечалось в начале главы, фазовое превращение при температуре фазового равновесия невозможно, так как в этом случае нет энергетического выигрыша, стимулирующего это превращение. Поэтому равновесную диаграмму состояния следует рассматривать как предельный случай, при котором скорость изменения температуры настолько мала, что фазовое превращение совершается с бесконечно малой скоростью. Тем не менее, этот предельный случай крайне важен для изучения реальных условий кристаллизации.

» Читать запись: Кристаллизация в неравновесных условиях – основы материаловедения

КВАЗИОПТИЧЕСКИЕ СМЕСИТЕЛИ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА НА ЭФФЕКТЕ РАЗОГРЕВА ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ NbN

February 25, 2013

Вахтомин Ю.Б., Антипов С.В., Масленников С.Н., Смирнов К.В., Поляков С.Л., Чжан В., Свечников С.И., Каурова Н.С., Гришина Е.В., Воронов Б.М. и ГН. Гольцман Г.Н. Московский педагогический государственный университет ул. М. Пироговская, д. 1, г. Москва, 119992, Россия тел.: 495-2461202, e-mail: vachtomin@mail.ru

» Читать запись: КВАЗИОПТИЧЕСКИЕ СМЕСИТЕЛИ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА НА ЭФФЕКТЕ РАЗОГРЕВА ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ NbN

Динамический контроль системы терморегуляции, путём контроля метаболизма в тканях и мышцах

February 18, 2013

Булгаков В. И., Булгакова Н. В., Сакало С. Н. Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ) просп. Ленина, д. 14, г. Харьков, 61166, Украина тел. +38(057)7021478, e-mail: rtf@kture.l<harl<ov.ua

Аннотация – С использованием метода СВЧ радиотермометрии проведен динамический контроль системы терморегуляции, путём контроля метаболизма в тканях и мышцах.

» Читать запись: Динамический контроль системы терморегуляции, путём контроля метаболизма в тканях и мышцах

СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СМЕСИТЕЛЬ НА ЭФФЕКТЕ ЭЛЕКТРОННОГО РАЗОГРЕВА ДЛЯ СРЕДНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА

February 15, 2013

Свечников С. И., Финкель М. И., Масленников С. Н., Вахтомин Ю. Б., Смирнов К. В., Селезнев В. А., Коротецкая Ю. П., Каурова Н. С., Воронов Б. М., Гольцман Г. Н.

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский педагогический государственный университет» г. Москва, 119992, Россия тел.: 495-2461202, e-mail: svechnikov@mspu-phys.ru

» Читать запись: СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СМЕСИТЕЛЬ НА ЭФФЕКТЕ ЭЛЕКТРОННОГО РАЗОГРЕВА ДЛЯ СРЕДНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА

PHYSICS-TECHNOLOGICAL FABRICATION FEATURES AND PARAMETERS OF InP MM-WAVE GUNN DIODES

February 6, 2013

I. N. Arsentiev\ A. E. Belyaev^, A. V. Bobyl\ N. S. Boltovets^, V. N. Ivanov^, V. M. Kovtonyuk^,

R. V. Konakova^, Ya. Ya. Kudryk , V. V. Milenin^, I. S. Tarasov\ E. P. Markovskyi^, R. A. Red’ko^, E. V. Russu^

^Ioffe Physico-Technical Institute RAN 26 Politekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg, 194021 Russia e-mail: arsentyev@mail.ioffe.ru; Ph.: +{7-812) 247-91-34 ^V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine

» Читать запись: PHYSICS-TECHNOLOGICAL FABRICATION FEATURES AND PARAMETERS OF InP MM-WAVE GUNN DIODES

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТА ОТРАЖЕНИЯ ПОГЛОЩАЮЩЕГО СЛОЯ НА ОСНОВЕ ГЕКСАФЕРРИТОВ СИСТЕМЫ C02-xZnxW

February 2, 2013

Сусляев В. И., Доценко О. А. Томский государственный университет пр. Ленина, 36, г. Томск, 634050, Россия тел.: (8-382-2) 413-964, e-mail: susl.rff@elefot.tsu.ru

Аннотация – В работе исследуются поглощающие свойства гексаферритов системы Co2-xZnxW (где х=1.0, 1.3 и 1.4) на сверхвысоких частотах при изменении температуры. Измерения спектров магнитной проницаемости произведены на перестраиваемом нерегулярном микропо- лосковом резонаторе.

» Читать запись: ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТА ОТРАЖЕНИЯ ПОГЛОЩАЮЩЕГО СЛОЯ НА ОСНОВЕ ГЕКСАФЕРРИТОВ СИСТЕМЫ C02-xZnxW

ДИАГНОСТИКА СОСТОЯНИЯ ОРГАНИЗМА ПО РАСПРЕДЕЛЕНИЮ ТЕПЛОВЫХ ПОЛЕЙ

January 25, 2013

Азархов А. Ю., Сакало С. Н. Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ) просп. Ленина, д. 14, г. Харьков, 61166, Украина тел. +38(057)7021478, e-mail: rtf@kture.kharkov.ua

Аннотация – Для формирования требований к методике проведения температурных измерений биологических объектов, рассмотрено поведение организма человека как динамической открытой системы на основе теории устойчивости.

» Читать запись: ДИАГНОСТИКА СОСТОЯНИЯ ОРГАНИЗМА ПО РАСПРЕДЕЛЕНИЮ ТЕПЛОВЫХ ПОЛЕЙ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты