Записи с меткой ‘технической’

Динамические характеристики транзисторов IGBT

August 27, 2013

Динамические характеристики транзисторов IGBT, как мы уже говорили, «закладываются» на этапе их изготовления. Конечно, в технической документации имеются данные о величине заряда затвора транзисторов IGBT, обозначаемого как Qgy и эта величина пригодится для проектирования схемы управления (драйвера), или его выбора из имеющихся на рынке готовых вариантов. Но однозначно использовать величину заряда затвора для оценки потерь переключения по методике, приведенной в рассказе о транзисторах MOSFET, для транзисторов IGBT нельзя. Такая ситуация складывается потому, что транзистор IGBT имеет сложную внутреннюю структуру, а также сложный характер выключения с «токовым хвостом».

» Читать запись: Динамические характеристики транзисторов IGBT

Отбор IGBT транзисторов

August 20, 2013

В силу сложности своего внутреннего устройства транзисторы IGBT требуют более тщательного и глубокого анализа информации, содержащейся в технической документации. И здесь очень важно иметь как можно более подробную техническую информацию «от производителя». Ведущие зарубежные фирмы давно научились не экономить на информационной поддержке и бесплатно предоставлять разработчику огромное количество параметров, графиков режимов, примеров типовых применений, чего не скажешь, к сожалению, о фирмах отечественных с их скудными рекламными материалами. Поэтому мы воспользуется технической информацией, предоставляемой фирмой «International Rectifier». Кстати, эта фирма не без основания гордится тем, что наиболее полно обеспечивает разработчиков справочной информацией.

» Читать запись: Отбор IGBT транзисторов

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты