Записи с меткой ‘технологии’

Обобщенная структура методологии сквозного статистического анализа и оптимизации в силовой электронике

June 4, 2015

Блок-схема алгоритма реализации собственного комплексного подхода [106] к решению задачи статистического анализа в процессе сквозного проектирования изделий микроэлектроники от этапа проектирования технологического процесса до проектирования системы представлена на рис. 5.3. Выходные характеристики (результаты аппроксимации) каждого предыдущего этапа являются входными параметрами для последующего этапа проектирования.

» Читать запись: Обобщенная структура методологии сквозного статистического анализа и оптимизации в силовой электронике

Достоинства и недостатки ИМС силовой электроники, реализованных по разным технологиям

March 27, 2015

Основные достоинства и недостатки ИМС силовой электроники, изготовленных по разным технологиям (биполярным, КМОП, ДМОП, КДМОП, БиКМОП, БиКДМОП), в обобщенном виде представлены в сводной табл. 4.1.

» Читать запись: Достоинства и недостатки ИМС силовой электроники, реализованных по разным технологиям

ДМОП, КДМОП и БиКДМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

March 26, 2015

МОП транзистор с малой длиной канала (меньшей 1 мкм) может быть сформирован следующим образом: сначала сквозь вскрытое окно проводят легирование р типа, а затем через то же окно проводят легирование п+ истоков. Поскольку из-за поликремниевого затвора получается самосовмещение п+ир областей, эффективная длина канала определяется как расстояние между двумя горизонтальными областями п+ и р типа проводимости. Длина канала, следовательно, определяется профилями рип+ областей и автоматически совмещается с областью истока. Таким способом можно получать точно расположенные каналы, не зависящие от точности изготовления и наложения фотошаблонов, травления и фотолитографии [4].

» Читать запись: ДМОП, КДМОП и БиКДМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

Статистический анализ и оптимизация параметров микросхем силовой электроники

March 12, 2015

Современное состояние микроэлектроники характеризуется неуклонным повышением сложности и стоимости разработки интегральных микросхем (ИМС), снижением их «времени жизни». Условия острой конкуренции на этом стремительно развивающемся рынке диктуют необходимость сокращения сроков проектирования и производственного освоения новых изделий.

» Читать запись: Статистический анализ и оптимизация параметров микросхем силовой электроники

ФОРМИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ МАГНИТОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРИНЦИПА «СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ»

February 25, 2013

Власов В. В., Безъязычная А. В., Демченко А. И., Лукоянов С. А., Плебанович В. И. НТЦ «Белмикросистемы» НПО «Интеграл» Ул. Корженевского, д. 12, г. Минск, Республика Беларусь тел.: (+375 17) 2782822, e-mail: office@bms.by

Аннотация – Рассмотрены особенности создания магниточувствительных ИС на основе анизотропного магниторезистивного преобразователя. Приведены примеры практической реализации, области применения и направления перспективных разработок. Показано, что создание магниточувствительных интеллектуальных ИС с использованием технологии «система на кристалле» актуально и целесообразно. Такой подход позволяет сохранить имеющиеся наработки при создании новых систем, снизить стоимость разработок, увеличить функциональность. Одновременно решается проблема повышения основных технических характеристик магнитоуправляемых устройств, в частности, уменьшается вес, энергопотребление, существенно возрастает надежность. Микросхемы, сочетающие в себе функции измерения, вычисления и коммуникации в будущем могут стать основой для построения распределенных самонастраивающихся систем.

» Читать запись: ФОРМИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ МАГНИТОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРИНЦИПА «СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ»

ОСОБЕННОСТИ ПОСТРОЕНИЯ СЕТЕЙ ШИРОКОПОЛОСНОГО РАДИОДОСТУПА НА БАЗЕ ТЕХНОЛОГИИ WIMAX

February 1, 2013

Ильченко М. Е., Кайденко Н. Н., Кравчук С. А. Научно-исследовательский институт телекоммуникаций НТУУ «КПП» Индустриальный пер., 2, Киев, 03056, Украина тел. 241-77-23, e-mail: M.Kaydenko@tecno-at.kiev.ua

Аннотация – Представлены особенности построения сетей широкополосного радиодоступа на базе оборудования, базирующегося на технологии WiMAX, включая особенности технологии, ориентированность сетей, функциональные требования к ним и архитектуру построения сетей.

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ ПОСТРОЕНИЯ СЕТЕЙ ШИРОКОПОЛОСНОГО РАДИОДОСТУПА НА БАЗЕ ТЕХНОЛОГИИ WIMAX

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А3В5 ДЛЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

January 12, 2013

Журавлев К. С., Торопов А. И., Мансуров В. Г. Институт физики полупроводников, Сибирское отделение Российской Академии наук пр. Ак. Лаврентьева, 13, г. Новосибирск, 603950, Россия тел.: 383-304474, e-mail: zhur@thermo.isp.nsc.ru

» Читать запись: МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А3В5 ДЛЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

ИНТЕГРАЦИЯ НОРМАЛЬНО-ОТКРЫТЫХ И НОРМАЛЬНО-ЗАКРЫТЫХ AIGaAs/GaAs ПТШ ДЛЯ БЫСТРДЕЙСТВУЮЩИХ МИС

January 11, 2013

Гусенкова А. В. *, Малеев Н. А.*, Михрин В. С.*, Кузьменков А. Г.*, Васильев А. П.*, Кулагина М. М.*, Жуков А. Е.*, Шуленков А. С. *®

*Минский НИИ радиоматериалов ул. Кижеватова, 86, г. Минск, 220024, Беларусь ®тел.: +37517-2785697, ®e-mail: shulenkov@inbox.ru * Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе ул. Политехническая, 26, г. С.-Петербург, 194021, Россия

» Читать запись: ИНТЕГРАЦИЯ НОРМАЛЬНО-ОТКРЫТЫХ И НОРМАЛЬНО-ЗАКРЫТЫХ AIGaAs/GaAs ПТШ ДЛЯ БЫСТРДЕЙСТВУЮЩИХ МИС

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

July 31, 2012

8.                                                                                 Тестовый объем не менее, л                0,5

» Читать запись: ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ ПРОТОКОЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В СИСТЕМЕ МИТРИС-ИНТ

May 18, 2012

Казимиренко В. Я., Нарытник Т. Н. Институт Электроники и связи УАННП, г. Киев, Тел.: 477-65-47 Макаров А. Г. Украинская компьютерная лаборатория, г. Киев Тел.: 467-56-22 Файнгольд А. М., Орлов А. Т. НПП «Трирема», г. Киев Тел.: 457-14-49

Аннотация – Рассмотрены технологии, используемые в Системе МИТРИС-ИНТ для предоставления абонентам доступа к коммуникационным и информационным службам.

» Читать запись: ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ ПРОТОКОЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В СИСТЕМЕ МИТРИС-ИНТ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты