Записи с меткой ‘толщины’

Электронные толщиномеры в народном хозяйстве

August 21, 2015

Определение толщины различных покрытий на проводящей и непроводящей основе — важная и сложная народнохозяйственная задача. Сотни тысяч изделий различного назначения ежедневно покрывают разнообразными защитными илн декоративными покрытиями. Как правило, избыточный расход красителя приводит к увеличению толщины пленок и к снижению их прочностных характеристик. С другой стороны, снижение толщины пленок не обеспечивает требуемых защитных и декоративных свойств. Поддержание толщины пленок в необходимых пределах требует создания соответствующей контрольной аппаратуры. Наибольшее распространение для контроля толщины пленок получили индуктивные методы измерения, основанные на измерении изменения индуктивности датчика в зависимости от зазора между разомкнутыми частями магнитопровода и замыкающей их металлической накладкой. В случае окраски металлических изделий роль накладки выполняет металлическая основа. При этом зазор целиком определяется толщиной лакокрасочного покрытия.

» Читать запись: Электронные толщиномеры в народном хозяйстве

Измеритель толщины лакокрасочных покрытий

October 20, 2013

При проверке качества окраски и грунтовки плоских изделий из черного металла, а также при исследовании состояния кузовов автомобилей нередко возникает необходимость измерения толщины лакокрасочного покрытия.

» Читать запись: Измеритель толщины лакокрасочных покрытий

ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ

January 16, 2013

Костенко В. И., Сорочак А. М., Чамор Т. Г., Чевнюк Л. В. Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко ул. Владимирская, 64, г. Киев, 01033, Украина тел.: +38044-526-64-03, e-mail: ctamila@univ.kiev.ua

Аннотация – Экспериментально исследуется влияния толщины ферритового слоя на параметры ФМР при намагничивании вдоль легкой оси в образцах BaFei20i9. Проведено сравнение с теорией магнитостатических колебаний для структуры плоскопараллельных доменов (ППДС) в эпитаксиальных пленках и объемных монокристаллах гексаферрита бария.

» Читать запись: ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ

СОСТАВНОЙ ДИСКОВЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР

January 8, 2013

Кириченко А. Я., Мартынюк С. П., Моторненко А. П., Скуратовский И. Г. Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины Ул. Акад. Проскуры, 12, г. Харьков, 61085, Украина Тел.: (0572) 7203378, e-mail: briz@ire.kharkov.ua

Аннотация – В работе исследованы особенности собственных азимутальных электромагнитных колебаний в составном дисковом диэлектрическом резонаторе (СДДР). СДДР состоял из основного дискового диэлектрического резонатора, изготовленного из плавленого кварца и вспомогательного тефлонового диска большего диаметра, помещенного соосно на основном резонаторе. Показана возможность управления собственными резонансными частотами и амплитудами азимутальных колебаний в СДДР за счет изменения толщины тефлонового диска, а также изучено влияние на резонансные характеристики СДДР сильно поглощающей жидкости, помещенной в резонатор.

» Читать запись: СОСТАВНОЙ ДИСКОВЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР

ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ НА СТОЙКОСТЬ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

July 29, 2012

В.             В. Старостенко, Е. В. Григорьев, Е. П. Таран, А. А. Рукавишников Таврический национальный университет ул.Ялтинская, 4, Симферополь 95007, Украина Тел: (0652)230360; e-mail: taran(S)tnu. crimea. ua

Аннотация приведена методика численного расчета стойкости ИМС в зависимости от толщины металлизации при воздействии импульсных электромагнитных полей. Получены данные по влиянию толщины неоднородной металлизации на пороговые значения напряженности электрического поля падающей электромагнитной волны.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ НА СТОЙКОСТЬ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

СНИЖЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ТОЛЩИНЫ МАТЕРИАЛА ПРИ ИЗМЕРЕНИЯХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ

April 27, 2012

Шевченко К. Л., Скрипник Ю. А., Горкун В. В. Киевский национальный университет технологий и дизайна ул. Немировича-Данченко, 2, Киев – 01011, Украина Тел.: 38 (044) 2562993; e-mail: autom@i.com. и а

Аннотация – Рассмотрена возможность конструктивной оптимизации СВЧ резонансных коаксиальных датчиков, используемых при контроле диэлектрической проницаемости пластин и листовых материалов.

» Читать запись: СНИЖЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ТОЛЩИНЫ МАТЕРИАЛА ПРИ ИЗМЕРЕНИЯХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ

ИССЛЕДОВАНИЕ, РАЗРАБОТКА И ИЗГОТОВЛЕНИЕ СТРУКТУР КНИ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И РАЗЛИЧНЫХ ПРИБОРОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

April 25, 2012

Тимошенков С. П., Дягилев В. В., Калугин В. В. Московский институт электронной техники (Технический университет) Москва – 124498, Зеленоград Графутин В. И., Прокопьев Е. П. ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А. И. Алиханова Ул. Б. Черемушкинская, 25, Москва – 117218, Россия

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ, РАЗРАБОТКА И ИЗГОТОВЛЕНИЕ СТРУКТУР КНИ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И РАЗЛИЧНЫХ ПРИБОРОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

СВЧ-МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ

April 3, 2012

Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С. Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского ул. Московская, 155, Саратов – 410026, Россия Тел.:+7 (8452) 514563; e-mail: usanovda@info.sgu.ru Московский государственный институт электронной техники ГУ НПК «Технологический центр» МИЭТ

» Читать запись: СВЧ-МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты