Записи с меткой ‘транзистора’

Биполярный транзистор – Цифровая техника – ЧАСТЬ 2

July 14, 2015

Из за разных, порой противоречивых требований к характеристикам усилителя коэффициент уси пения кус одного транзисторного каска та обычно бывает небольшим и редко превышает 20 раз. Если нужно получить больший коэффициент усиления, то обычно применяют Поспеловагельное включение двух и более каскадов, при этом суммарный коэффициент усиления равен произведению (т. е. их перемножают) коэффициентов усиления всех каскадов.

» Читать запись: Биполярный транзистор – Цифровая техника – ЧАСТЬ 2

Нагрев радиоэлементов: причины, последствия и борьба с ним. Импульсные источники питания

July 10, 2015

Одна из серьезнейших проблем, с которой периодически сталкиваются как начинающие, так и профессиональные радиолюбители, — нагрев элементов схемы. Греются практически все устройства средней и большой мощности. При этом опасен не сам разогрев (многие устройства, например электрочайник, предназначены именно для этой цели), а перегрев устройства — когда его температура повышается выше некоторой предельно допустимой. При этом резисторы и некоторые другие неполупроводники обугливаются (т. е. в буквальном смысле «сгорают»), а у полупроводников происходит пробой р-п-переходов, и эти переходы, вместо того чтобы пропускать ток только в одном направлении, начинают пропускать его в обоих (т. е. «превращаются» в обычные проводники с небольшим сопротивлением) или вообще не пропускают его ни в прямом, ни в обратном направлении. Про такие приборы, по аналогии с резисторами, тоже говорят, что они «сгорели», хотя это и не совсем правильно, тем более что современные полупроводники (диоды, транзисторы) выпускаются в герметичных корпусах, из-за которых невозможно определить, «сгорел» этот прибор или нет.

» Читать запись: Нагрев радиоэлементов: причины, последствия и борьба с ним. Импульсные источники питания

Транзисторные усилители – Радиолюбительская азбука

July 1, 2015

Принцип работы и основные схемы включения транзисторов были подробно рассмотрены в томе 1 книги. Поэтому в этом пункте я лишь кратко повторю уже изложенное.

» Читать запись: Транзисторные усилители – Радиолюбительская азбука

Согласование аналоговых схем – Радиолюбительская азбука

June 8, 2015

При согласовании аналоговых схем нужно учитывать:

•амплитуду входного и выходного напряжений;

•входное и выходное сопротивление схемы (ток, потребляемый от источника питания, и ток, отдаваемый в нагрузку);

» Читать запись: Согласование аналоговых схем – Радиолюбительская азбука

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) – Полупроводниковая силовая электроника

June 4, 2015

В биполярном транзисторе с изолированным затвором (IGBT — Isolated Gate Bipolar Transistor) соединены в одном кристалле по схеме составного фактически два типа транзисторов: мощный биполярный транзистор и управляющий MOSFET (рис. 2.13).

» Читать запись: Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) – Полупроводниковая силовая электроника

«Кирпичи» Микросхемы – Цифровая техника

May 31, 2015

Выше, в гл. 1.1, нами были рассмотрены так называемые навесные элементы, или, по моей терминологии, цемент (глина) для сложной схемы — стройки. Рассмотренные в этой главе элементы выгодно использовать только в качестве связующего звена — для согласования друг с другом более сложных схем. Все попытки построить на основе одних только навесных элементов что-нибудь довольно сложное практически бессмысленны; вы затратите огромные средства на приобретение всех нужных элементов, потратите уйму времени на настройку и доведение его «до ума» и в итоге получите устройство необъятных размеров, которое будет «есть» энергии больше, чем электрочайник…

» Читать запись: «Кирпичи» Микросхемы – Цифровая техника

Биполярный транзистор – Цифровая техника – ЧАСТЬ 1

May 31, 2015

Биполярный транзистор — полупроводниковый прибор, который управляется током и имеет коэффициент усиления больше единицы. Он имеет два р п-перехода и три вывода Эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). Биполярные транзисторы бывают двух структурр-п р и п p-η. Транзисторы структуры π р п применяются гораздо чаще, чем структуры p-η р. поэтому дальше будут рассматриваться только они. Для транзисторов структуры р-п р справедливо все то. что относится и к структуре п-р п, отличая только в полярности источника питания («плюс» и «минус» нужно поменять местами). Упрощенная структурная схема транзистора нарисована на рис. 1.10. Вывод базы располагается между эмиттером и коплектором, толщина базы очень мала — десятки микрометров (1000 мкм = 1 мм). Бпагодаря наличию двух р-п переходов, любой транзистор (биполярный) можно представить в виде двух диодов: с большим напряжением

» Читать запись: Биполярный транзистор – Цифровая техника – ЧАСТЬ 1

Мощные биполярные транзисторы и каскады Дарлингтона

May 29, 2015

Мощный биполярный транзистор является прибором с вертикальной структурой: с коллектором на подложке и выводами базы и эмиттера сверху (рис. 2.7) [15].

» Читать запись: Мощные биполярные транзисторы и каскады Дарлингтона

Схемы защиты от превышения температуры кристалла – Полупроводниковая силовая электроника

May 26, 2015

Установлено, что предельно допустимая температура кремниевого кристалла ИМС — плюс 150 °С. Данная температура задается не только внешней средой, но и нагреванием активной структуры кристалла в процессе работы микросхемы. Для маломощных микросхем данный нагрев несущественен и температура кристалла ненамного превышает температуру окружающей среды. Для мощных схем при неправильно выбранном тепловом режиме эксплуатации температура кристалла может достичь этой и большей величины при температуре окружающей среды плюс 25 °С и даже минус 60 °С.

» Читать запись: Схемы защиты от превышения температуры кристалла – Полупроводниковая силовая электроника

Биполярные технологии изготовления ИМС – Полупроводниковая силовая электроника

May 25, 2015

Биполярные технологии рассмотрим на примере так называемой «сорокавольтовой» биполярной технологии с изоляцией p-η переходом, которая была исторически первой технологией для производства кристаллов ИМС силовой электроники. На рис. 4.1 представлен вертикальный срез типовой полупроводниковой структуры биполярной силовой микросхемы.

» Читать запись: Биполярные технологии изготовления ИМС – Полупроводниковая силовая электроника

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты