Записи с меткой ‘транзистора’

Защита силовых схем статических преобразователей от перегрузок и токов

August 22, 2013

При разработке силовых схем статических преобразователей определенную проблему всегда представляет защита от перегрузок и токов

Рис. 2.1.17. Радиатор с параллельно включенными MOSFETB схеме трехфазного моста

» Читать запись: Защита силовых схем статических преобразователей от перегрузок и токов

Отбор IGBT транзисторов

August 20, 2013

В силу сложности своего внутреннего устройства транзисторы IGBT требуют более тщательного и глубокого анализа информации, содержащейся в технической документации. И здесь очень важно иметь как можно более подробную техническую информацию «от производителя». Ведущие зарубежные фирмы давно научились не экономить на информационной поддержке и бесплатно предоставлять разработчику огромное количество параметров, графиков режимов, примеров типовых применений, чего не скажешь, к сожалению, о фирмах отечественных с их скудными рекламными материалами. Поэтому мы воспользуется технической информацией, предоставляемой фирмой «International Rectifier». Кстати, эта фирма не без основания гордится тем, что наиболее полно обеспечивает разработчиков справочной информацией.

» Читать запись: Отбор IGBT транзисторов

Обеспечение надежной работы импортных телевизоров в ждущем режиме

August 17, 2013

Во многих моноплатных цветных телевизорах с размером экрана 14, 20 или 21 дюйм производства таких фирм, как LG, Akai, Samsung, Funai, JVC, Condor и некоторых других, при переводе телевизора в дежурный режим используется коммутатор напряжения питания строчной развертки телевизора. При этом отсутствие напряжения на выходе коммутатора соответствует переходу телевизора в дежурный режим.

» Читать запись: Обеспечение надежной работы импортных телевизоров в ждущем режиме

IGBT транзисторы для силовых преобразователей

August 17, 2013

Ранее мы называли транзисторы MOSFET почти идеальными приборами для использования в изделиях силовой электроники. Сейчас настало время повторить одну существенную оговорку, также сделанную нами выше: справедливость слов об идеальности транзисторов MOSFET не ставится под сомнение, если рабочее напряжение силовых цепей преобразователей не превышает 250…300 (максимум — 400) В. При дальнейшем повышении рабочего напряжения приходится выбирать транзисторы с более высокой величиной напряжения «сток-исток», а это означает, что нам будет затруднительно найти в номенклатуре серийно выпускаемых приборов такой типономинал, который при высоких допустимых напряжениях «сток—исток» будет иметь низкое сопротивление канала в открытом состоянии, и, соответственно, высокий ток стока. Максимальная величина допустимого напряжения «сток—исток» большинства серийных транзисторов MOSFET сегодня составляет порядка 800 В, но сопротивление канала в открытом состоянии у них измеряется уже единицами Ом. Справедливости ради отметим, что иногда все-таки можно встретить приборы с допустимым напряжением «сток—исток» порядка 1000… 1200 В, но это — опять же «штучный товар», не находящий практического применения, а потому потихоньку исчезающий с рынка силовых полупроводников. Как же поступить разработчику в случае разработки высоковольтного мощного статического преобразователя? Опять возвращаться к биполярным транзисторам? Ни в коем случае!

» Читать запись: IGBT транзисторы для силовых преобразователей

Микросхемы для построения преобразовательной техники небольшой мощности

August 12, 2013

Обратимся теперь к другим зарубежным фирмам, выпускающим драйверные микросхемы для построения преобразовательной техники небольшой мощности. Фирма «ONSemiconductor» [28] представлена на рынке силовой электроники линейкой драйверов в интегральном

» Читать запись: Микросхемы для построения преобразовательной техники небольшой мощности

Берем за основу MOSFET и IGBT

August 12, 2013

Без всякого преувеличения можно сказать, что появившиеся не слишком давно транзисторы типа MOSFET и IGBT, составляют сегодня основу силовой преобразовательной техники. Более того, без использования этих типов транзисторов немыслима разработка сколько-нибудь надежного статического преобразователя, отвечающего современным требованиям. Поэтому данную главу, посвященную основной элементной базе силовой электроники, мы начнем с рассказа именно об этих электронных элементах.

» Читать запись: Берем за основу MOSFET и IGBT

Процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов

August 12, 2013

Теперь рассмотрим более подробно процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов, используя такую же методику, которая применялась нами для транзисторов MOSFET, то есть при условии подачи на затвор прямоугольных импульсов с высокой крутизной фронтов и спадов. Но вначале предупредим читателя, что в составе IGBT прибора также имеются паразитные межэлектродные емкости, которые «затягивают» динамические процессы (рис. 2.1.32). Далее мы увидим, что в транзисторе IGBT также действует эффект Миллера, предпосылкой к возникновению которого является емкость Cgc.

» Читать запись: Процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов

Оценка теплового режима транзистора IGBT

August 6, 2013

Оценка теплового режима транзистора IGBT является отправной точкой для принятия решения о разработке дополнительного радиатора охлаждения. В технической документации все необходимые данные для такой оценки есть: приведены тепловые сопротивления «кристалл—корпус», «корпус—радиатор», «кристалл—среда», имеется графически представленная зависимость нормированного теплового сопротивления «кристалл—корпус» от частоты следования импульсов

» Читать запись: Оценка теплового режима транзистора IGBT

Драйвероа MOSFET и IGBT от ОАО «Электровыпрямитель»

July 26, 2013

На отечественном рынке можно встретить также предложения драйверов от ОАО «Электровыпрямитель» [21], правда, номенклатура их значительно более скудная, нежели производимых ЗАО «Электрум АВ».

» Читать запись: Драйвероа MOSFET и IGBT от ОАО «Электровыпрямитель»

Перспективы в области создания новых модификаций транзисторов IGBT

July 21, 2013

А теперь мы поговорим о том, какие направления на сегодняшний момент являются «передним краем» области создания новых модификаций транзисторов IGBT. Поскольку рассматриваемый нами тип транзистора находит применение в направлениях электронной техники, где необходимо управлять большими токами при высоком напряжении, актуальной остается задача повышения максимально-допустимого напряжения «коллекор—эмиттер». Если работы в этом направлении пойдут успешно, то в ближайшем будущем IGBT смогут полностью вытеснить мощные высоковольтные тиристоры, которые традиционно применяются в электроэнергетическом оборудовании, где, как известно, напряжения измеряются десятками киловольт, а токи — десятками тысяч ампер.

» Читать запись: Перспективы в области создания новых модификаций транзисторов IGBT

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты