Записи с меткой ‘транзистора’

Полевые транзисторы – Цифровая техника

May 15, 2015

Полевые транзисторы — это полупроводниковые приборы, сопротивление канала которых изменяется в широких пределах под воздействием приложенного к управляющему выводу (затвору) напряжения. Таким образом, полевые транзисторы, в отличие от биполярных, управляются не током, а напряжением. Ток же, текущий через управляющий вывод (ток утечки затвора Ι^)Ρ крайне мал, и у современных полевых транзисторов его смело можно приравнять к нулю.

» Читать запись: Полевые транзисторы – Цифровая техника

Драйверы MOSFET и IGBT с расширенными функциональными возможностями

May 13, 2015

Для построения целого ряда приборов бытовой и промышленной техники необходимы драйверы, которые могут работать как с нижним, так и с верхним ключом стойки (полумостом). Поскольку напряжение питания транзисторного полумоста может составлять несколько сотен вольт, такое же напряжения должна выдерживать и конструкция самого драйвера.

» Читать запись: Драйверы MOSFET и IGBT с расширенными функциональными возможностями

Требования к входным сигналам MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

May 11, 2015

По определению MOSFET и IGBT представляют собой переключающие устройства, управляемые напряжением. В электрической цепи управления они не потребляют ток в статическом режиме. Однако непосредственно в моменты переключения в мощных транзисторах протекают значительные импульсы («броски») тока, обусловленные наличием паразитных элементов в структуре (главным образом емкости затвора). Обычно при включении MOSFET ток стока нарастает быстрее, чем происходит спад напряжения в канале транзистора. В результате могут наблюдаться существенные потери мощности при переключении, вызывающие также увеличение тока управления затвором. Оптимальная форма кривой зарядного тока при включении MOSFET приведена на рис. 3.95 [58], на котором изображены временные диаграммы изменения напряжения на затворе ί/^Κ^, напряжения сток — исток ί/Η(Κ^), тока стока /(/^, тока затвора. На практике реализовать такие эпюры очень сложно, но этого и не требуется. Важно, чтобы время нарастания тока затвора было равно сумме времен нарастания тока стока и падения напряжения 1/и. Величина тока затвора должна быть достаточной для заряда емкости затвора. Цепи управления MOSFET являются более простыми и дешевыми, легко воспроизводимыми по сравнению с аналогичными цепями биполярных транзисторов.

» Читать запись: Требования к входным сигналам MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

Биполярный транзистор – Полупроводниковая силовая электроника

May 8, 2015

Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор, изготовленный в виде трехслойной полупроводниковой структуры, образующей два близко расположенных р-п-перехода. Транзистор имеет три вывода: «эмиттер», «база», «коллектор».

» Читать запись: Биполярный транзистор – Полупроводниковая силовая электроника

Мощные полевые транзисторы (MOSFET)

April 24, 2015

Существуют значительные различия между параметрами, конструкцией и технологией изготовления маломощных и мощных полевых транзисторов MOSFET (Metal—Oxide—Semiconductor Field-Effect Transistor) [15].

На рис. 2.10 представлен эскиз структуры маломощного МОП транзистора, а на рис. 2.11 — эскиз структуры мощного MOSFET транзистора.

» Читать запись: Мощные полевые транзисторы (MOSFET)

Схемы управления MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

April 17, 2015

Разработчику энергосберегающей аппаратуры, который использует современную элементную базу силовой электроники, необходимо уметь правильно организовывать структуру управления мощными силовыми полупроводниковыми приборами. Ниже рассмотрим наиболее часто встречающиеся на практике случаи организации такого управления. В зависимости от конкретной ситуации можно использовать управление КМОП-логикой, эмитгерными повторителями, схемами управления с разделением цепей заряда и разряда входной емкости. Рассмотрим особенности организации управления с помощью КМОП-логики. На рис. 3.97 показан КМОП инвертор, образованный рМОП и пМОП транзисторами с индуцированным каналом.

» Читать запись: Схемы управления MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

Результаты проведения сквозного статистического анализа и оптимизации параметров типовой микросхемы силовой электроники

March 20, 2015

Описываемая здесь методология сквозного статистического проектирования ТПСС, предложенная авторами в работах [106—109], тестировалась на простейшем примере ячейки инвертора, сформированном на основе МОП-транзисторов.

Статистический анализ параметров технологии

» Читать запись: Результаты проведения сквозного статистического анализа и оптимизации параметров типовой микросхемы силовой электроники

Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)

March 16, 2015

На основании данных (полученных с использованием RSM методологии), показывающих «отклик» выходных характеристик технологического маршрута формирования структуры η-МОП транзистора на флуктуации значимых технологических параметров, далее проводится статистический анализ электрических характеристик прибора — в обсуждаемом здесь примере — η-МОП транзистора.

» Читать запись: Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)

АППАРАТУРА ДЛЯ РАДИОУПРАВЛЕНИЯ МОДЕЛЯМИ

August 30, 2014

Я. МЫНАРИК (ЧССР}

В последнее время в аппаратуре радиоуправления моделями (кораблей, самолетов, автомобилей и т. д.) все шире используется частотная модуляция. Ее преимущества (в том числе применительно к задачам дистанционного управления) хорошо известны и подробно рассмотрены в литературе. Однако для этих целей по-прежнему широко применяется и аппаратура с амплитудной модуляцией, которую отличает простота изготовления и налаживания.

» Читать запись: АППАРАТУРА ДЛЯ РАДИОУПРАВЛЕНИЯ МОДЕЛЯМИ

ХЛАДОСБЕРЕГАЮЩИЙ СИГНАЛИЗАТОР – СДЕЛАЙ САМ

August 3, 2014

Современные холодильники и холодильные камеры, как правило, снабжены автоматическим устройством контроля закрытой дверцы. Это позволяет обеспечить нормальную работу холодильной установки, исключает обрастание морозильного отсека «шубой» из снега и способствует длительной безотказной работе всего устройства. Однако пользователи бытовой техники, коими мы с вами являемся, не спешат . купить, скажем, новый холодильник, пока старый работает нормально. Подавляющее большинство использует холодильное оборудование разных моделей выпуска 1990 г. и более поздних лет. Не исключено, что в некоторых из этих моделей конструкцией холодильника не предусмотрено такое устройство, как сигнализатор незакрытой дверцы. В этом случае дверца остается открытой и в холодильную камеру проникает теплый воздух. При этом электродвигатель холодильника длительное время остается включенным в сеть, продукты быстро портятся, и в конце концов требуется разморозка холодильника.

» Читать запись: ХЛАДОСБЕРЕГАЮЩИЙ СИГНАЛИЗАТОР – СДЕЛАЙ САМ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты