Записи с меткой ‘транзистора’

Измерение усиления отдельных каскадов в усилителях

September 25, 2013

Будьте внимательны при измерении усиления в отдельных каскадах усилителя, особенно охваченных обратной связью. Например, в схеме на рис. 6.35 при измерении сигнала на базе транзистора Q1 напряжение на базе относительно «земли» не является величиной входного напряжения. Поэтому для получения правильного значения усиления необходимо подключить общий зажим измерителя (или осциллографа) к эмиттерному выводу транзистора, а измерительный щуп – к базовому. Фактически следует произвести измерение на переходе база-эмиттер транзистора. При этом учитывается действие сигнала обратной связи.

» Читать запись: Измерение усиления отдельных каскадов в усилителях

Индикатор анодного напряжения

September 17, 2013

Этот простой индикатор был разработан для определения наличия и примерной величины напряжения на выходных контактах лабораторного источника напряжения, применяемого для питания анодных цепей радиоламп. После корректировки значений величин некоторых элементов данное устройство может быть использовано для индикации включенного состояния любых устройств, питаемых от батарей напряжением от 9 В до 12 В (не было испытано). При этом в качестве индикатора используется светодиод с высокой излучающей способностью, который периодически генерирует интенсивные вспышки света. При входном напряжении 20 В периодичность вспышек составляет примерно 1 с (частота 1 Гц), при увеличении напряжения период световых импульсов уменьшается и при 250 В составляет около 0,2 с (частота 5 Гц). Входной ток индикатора мал – от 0,11 мА при входном напряжении 20 В до 1,53 мА при 250 В.

» Читать запись: Индикатор анодного напряжения

Хитрый выпрямитель

September 11, 2013

Выпрямитель предназначен для питания бытовых потребителей, которые могут рабо-тать как на

» Читать запись: Хитрый выпрямитель

IPS-драйверы

September 10, 2013

Завершая наш рассказ о разновидностях современных драйверов, следует упомянуть так называемые, в составе которых имеется мощная система диагностики исправного состояния, а также программируемый микроконтроллер, определяющий стратегию работы и защиты управляемого IGBT транзистора. Применение IPS-драйверов оправдано в случае, если выход из строя IGBT модуля ведет к большим финансовым потерям, например, есть смысл их установки в преобразователи для тяговых двигателей электротранспорта.

» Читать запись: IPS-драйверы

Элементы, с помощью которых силовые преобразовательные схемы защищаются от опасных паразитных индуктивных выбросов напряжения

September 9, 2013

А теперь мы поговорим об элементах, с помощью которых силовые преобразовательные схемы защищаются от опасных паразитных индуктивных выбросов напряжения. Мы еще не раз упомянем о том, что любая схема силового статического преобразователя электрической энергии требует серьезной конструктивной проработки, связанной с компактным размещением силовых элементов, минимизацией электрических связей между ними. Почему? Давайте вспомним, что силовые транзисторы подвержены потенциальному пробою, и если входное (коммутируемое) напряжение, подаваемое на силовую часть транзистора, легко рассчитать, то с перенапряжениями, возникающими на паразитных индуктивностях схемы, дело обстоит гораздо хуже. Даже первый (обычно — не слишком удачный) опыт проектирования статического преобразователя позволяет разработчику убедиться в том, что паразитные выбросы напряжения — далеко не безобидное явление. Чтобы убедиться в этом, проведем небольшие теоретические выкладки. Для этого нам потребуется вычислить собственную индуктивность прямого проводника по формуле:

» Читать запись: Элементы, с помощью которых силовые преобразовательные схемы защищаются от опасных паразитных индуктивных выбросов напряжения

Меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя

September 2, 2013

При разработке силовых схем статических преобразователей первостепенными являются меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя. Поскольку полевые транзисторы MOSFET не имеют вторичного пробоя, в расчетах тепловых режимов вполне можно руководствоваться значениями максимальной температуры и максимальной рассеиваемой мощности. Полная мощность, выделяющаяся на транзисторе в режиме его переключения, определяется из выражения:

» Читать запись: Меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя

Драйверы для управления силовыми элементами

August 27, 2013

В этом разделе мы подробно поговорим о таких специфических узлах силовой электроники, как драйверы управления мощными ключевыми элементами, и, в частности, силовыми транзисторами MOSFET и IGBT. Как показывает практика, качественные технические показатели драйверных узлов в значительной степени определяют надежность функционирования статических преобразователей. Почему? Дело в том, что надежная работа электронной техники может быть обеспечена только качеством элементной базы, заложенной при ее проектировании, а также физическим исполнением этой элементной базы. Иными словами, чем меньше номенклатура и количество элементов в составе электронного устройства, тем надежнее его работа. Кроме того, немаловажным для обеспечения надежности является замена дискретных элементов на узлы, выполненные в интегральном (или хотя бы гибридном) исполнении. Хорошо известно, что с появлением интегральных микросхем резко сократилось число незащищенных межэлементных электрических связей, а поэтому стало меньше причин к возникновению отказов. Красноречивое тому свидетельство — стремительное уменьшение масс и габаритов персональных компьютеров при росте их производительности и функциональных возможностей.

» Читать запись: Драйверы для управления силовыми элементами

Динамические характеристики транзисторов IGBT

August 27, 2013

Динамические характеристики транзисторов IGBT, как мы уже говорили, «закладываются» на этапе их изготовления. Конечно, в технической документации имеются данные о величине заряда затвора транзисторов IGBT, обозначаемого как Qgy и эта величина пригодится для проектирования схемы управления (драйвера), или его выбора из имеющихся на рынке готовых вариантов. Но однозначно использовать величину заряда затвора для оценки потерь переключения по методике, приведенной в рассказе о транзисторах MOSFET, для транзисторов IGBT нельзя. Такая ситуация складывается потому, что транзистор IGBT имеет сложную внутреннюю структуру, а также сложный характер выключения с «токовым хвостом».

» Читать запись: Динамические характеристики транзисторов IGBT

Серийный выпуск большой номенклатуры IGBT ОАО «Электровыпрямитель»

August 27, 2013

Серийный выпуск большой номенклатуры IGBT модулей общепромышленного исполнения налажен в ОАО «Электровыпрямитель» [21] (г.Саранск). Без преувеличения можно сказать, что это предприятие — ведущее в России по выпуску IGBT модулей. Продукция ОАО «Электровыпрямитель» по своей номенклатуре и техническим параметрам может соперничать с аналогичной продукцией ведущих зарубежных фирм, таких, как «Mitsubishi», «International Rectifier», «Еирес», «Semikron». Более того, отечественные модули спроектированы полностью взаимозаменяемыми с зарубежными прототипами, и поэтому их можно просто устанавливать на штатные места, не опасаясь неправильных подключений.

» Читать запись: Серийный выпуск большой номенклатуры IGBT ОАО «Электровыпрямитель»

Программа Melcosim для расчета силовых преобразователей

August 23, 2013

Еще один свободно распространяемый программный продукт под названием «Melcosim» выпускается компанией «Mitsubishi Electric». На момент написания этой книги на сайте фирмы доступна версия 4.03, которой мы и воспользуемся. Главное окно программы показано на рис. 3.3.37.

» Читать запись: Программа Melcosim для расчета силовых преобразователей

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты