Записи с меткой ‘транзисторов’

МИКРОФОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ

April 16, 2014

В настоящее время микрофонные усилители выполняются на специализированных интегральных микросхемах, практически недоступных для радиолюбителей Поэтому предлагается собирать микрофонные усилители караоке из более распространенных деталей, в том числе недорогих кремниевых транзисторов высокой частоты и несложных интегральных микросхем, которые можно приобрести в магазине «Чип и Дип» Описываемые ниже микрофонные усилители отличаются друг от друга как используемыми деталями, так и своими характеристиками

» Читать запись: МИКРОФОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ

Электронная сирена. Кузьмин В.

April 9, 2014

Это несложное устройство вырабатывает звуковой сигнал, тон которого периодически изменяется, что делает его похожим на звучание обычной механической сирены Принципиальная схема электронной сирены приведена на рис 16

На комплементарной паре транзисторов Т1 и Т2 собран ждущий мультивибратор, который запускается вручную с помощью кнопки Кн1 В исходном состоянии, показанном на схеме, если на схему подано питание с помощью выключателя Вк1,

» Читать запись: Электронная сирена. Кузьмин В.

Ключи на полевых транзисторах в схемах на микроконтроллере

March 29, 2014

Полевые транзисторы служат опорой современной микроэлектроники. Без них не было бы ни СБИС, ни ПЛИС, ни MK. Все современные компьютеры, мобильные телефоны, ноутбуки построены на полевых транзисторах, и достойной альтернативы им пока не видно.

На выходах портов MK находятся каскады с полевыми транзисторами. Казалось бы, что подключить к ним ещё одного полевого «тёзку» — проще простого. Однако новичок-радиолюбитель впадает в шоковое состояние, узнав, что существуют десятки разновидностей полевых транзисторов с разной структурой проводимости, разной топологией изоляции затвора, разной технологией легирования канала, разными фирменными названиями и брэндами, а также разными условными графическими изображениями на электрических схемах.

» Читать запись: Ключи на полевых транзисторах в схемах на микроконтроллере

ДРАЙВЕР МАРКИ «ЭЛЕКТРУМ» В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

March 6, 2014

Драйвер марки «Электрум» являются полностью законченным функциональным устройством (рис. 6.12). Он содержит все необходимые элементы управления затвором или стоком мощного транзистора, обеспечивающие нужные уровни согласования токовых и потенциальных сигналов, длительности фронтов и задержек, необходимые уровни защиты транзисторов при опасных уровнях напряжения насыщения (токовая перегрузка, к.з.), при недостаточном напряжении на затворе.

» Читать запись: ДРАЙВЕР МАРКИ «ЭЛЕКТРУМ» В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

«Цифровые» транзисторы

February 13, 2014

В биполярных транзисторных ключах, как ни старайся, но приходится ставить резисторы, ограничивающие базовый ток. Напрашивается идея — имплантировать миниатюрные резисторы внутрь корпуса транзистора и получить трёхвыводной компонент, не требующий внешней «обвязки». Первыми идею реализовали специалисты японской фирмы ROHM, затем появились аналогичные изделия фирм Motorola и Siemens. Новые ЭРИ назвали «цифровыми» транзисторами (англ. «digital transistor»), поскольку на их входы можно подавать сигналы непосредственно с выходов цифровых логических микросхем.

» Читать запись: «Цифровые» транзисторы

Усилитель мощности на комплементарных транзисторах с полной симметрией плеч для обеих полуволн усиливаемого сигнала и с двойным дифференциальным каскадом на входе

November 21, 2013

Он имеет следующие основные технические характеристики:

Номинальная выходная мощность ……. 60 Вт

» Читать запись: Усилитель мощности на комплементарных транзисторах с полной симметрией плеч для обеих полуволн усиливаемого сигнала и с двойным дифференциальным каскадом на входе

Сдвоенный драйвер, переключающий повышенные напряжения LTC1155

October 4, 2013

На рис. 8.46 приведена схема включения ИС LTC1155 в качестве драйвера транзисторных МОП переключателей, подсоединенного к выводам с повышенным напряжением (см. главу 2). Питаясь от источника с напряжением 5 В, схема вырабатывает напряжение 12 В,достаточноедля полного открывания n-канальных МОП транзисторов. При этом не требуются внешние компоненты. Типичное значение потребляемого схемой тока составляет 85 мкА при полном открывании транзисторов и 8 мкА при переводе ИС LTC1155 в режим ожидания (оба входа выключены). Такая комбинация n-канальных МОП переключателей с малым падением напряжения и микромощного драйвера – очень эффективное средство управления мощностью при комплексных нагрузках. Эффективность переключения на уровне 99% – явление обычное. (См. «Linear Technology», Application Note 53, p. 1.)

» Читать запись: Сдвоенный драйвер, переключающий повышенные напряжения LTC1155

Параллельная работа силовых полупроводниковых приборов с целью распределения мощной токовой нагрузки IGBT

September 12, 2013

А теперь возвратимся к разговору о параллельной работе силовых полупроводниковых приборов с целью распределения мощной токовой нагрузки между однотипными маломощными приборами, и выясним, насколько возможно реализовать стремление разработчиков к параллельному включению нескольких IGBT приборов? Можно ли обойтись без токовыравнивающих резисторов в эмиттерных цепях, как это делается в случае применения классических биполярных транзисторов? Ведущие мировые производители силовой элементной базы, в частности, такие как «International Rectifier», «Еирес» и другие, провели независимые подробные исследования режимов работы параллельно-включенных IGBT транзисторов и установили, что IGBT транзисторы более подвержены несимметрии токов при параллельной работе, чем транзисторы MOSFET. Однако в случае выполнения несложных схемотехнических и конструктивных мероприятий на этапе разработки преобразователей параллельно включенные IGBT гораздо лучше симметрируются, чем классические «биполярники», а поэтому их можно включать без токовыравнивающих сопротивлений в эмиттерных цепях.

» Читать запись: Параллельная работа силовых полупроводниковых приборов с целью распределения мощной токовой нагрузки IGBT

Переключающие свойства IGBT приборов, имеющихся на рынке

September 5, 2013

Что можно уверенно сказать в отношении переключающих свойств IGBT приборов, имеющихся на рынке? Оказывается, что создать IGBT прибор «для всех времен и народов» принципиально невозможно — слишком много противоречий и взаимоисключающих факторов влияет на их характеристики. Поэтому частотный диапазон возможных применений IGBT приборов был поделен на несколько участков, для которых и бьши созданы «свои» приборы с оптимизированными параметрами. На взгляд автора, наиболее удачное деление провела фирма «International Rectifier», исключив ситуации, связанные как со слишком большим, так и со слишком маленьким количеством «скоростных» участков. В результате деления были определены всего лишь 4 класса, маркируемые соответствующими буквами в обозначении серийных приборов и рассчитанные на следующие диапазоны частот коммутации:

» Читать запись: Переключающие свойства IGBT приборов, имеющихся на рынке

Меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя

September 2, 2013

При разработке силовых схем статических преобразователей первостепенными являются меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя. Поскольку полевые транзисторы MOSFET не имеют вторичного пробоя, в расчетах тепловых режимов вполне можно руководствоваться значениями максимальной температуры и максимальной рассеиваемой мощности. Полная мощность, выделяющаяся на транзисторе в режиме его переключения, определяется из выражения:

» Читать запись: Меры по защите силовых транзисторов от теплового пробоя

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты