Записи с меткой ‘транзисторов’

Интегральный многокристальный быстродействующий модуль для управления и защиты транзисторами MOSFET и IGBT с гальванической развязкой  ЗАО «Электрум АВ»

September 2, 2013

Чуть выше мы говорили о том, что отечественные драйверы, предназначенные для работы в составе специальной техники, просто-напросто отсутствуют, что ставит ее разработчиков в весьма невыгодное положение по сравнению с разработчиками техники общепромышленного применения. И, тем не менее, работы в данном направлении специалистами ЗАО «Электрум АВ» ведутся: практически закончена разработка интегрального многокристального быстродействующего модуля с гальванической развязкой, предназначенного для управления и защиты транзисторами MOSFET и IGBT с предельно-допустимыми напряжениями между силовыми выводами до 1700 В. В составе этого драйвера (проектная маркировка — 2005XX1) имеются узлы защиты от перегрузок, КЗ и недостаточного уровня напряжения на затворах, а в случае срабатывания защиты обеспечивается «мягкое» отключение силовых транзисторов. Этот драйвер не имеет встроенных источников питания цепей с гальванической развязкой, что заставляет разработчика предусмотреть такие источники в своей схеме. Конечно, данное обстоятельство увеличит общие габариты драйвера, но поскольку для спецтехники пока более ничего лучшего не разрабатывается, придется смириться с этим обстоятельством.

» Читать запись: Интегральный многокристальный быстродействующий модуль для управления и защиты транзисторами MOSFET и IGBT с гальванической развязкой  ЗАО «Электрум АВ»

Динамические характеристики транзисторов IGBT

August 27, 2013

Динамические характеристики транзисторов IGBT, как мы уже говорили, «закладываются» на этапе их изготовления. Конечно, в технической документации имеются данные о величине заряда затвора транзисторов IGBT, обозначаемого как Qgy и эта величина пригодится для проектирования схемы управления (драйвера), или его выбора из имеющихся на рынке готовых вариантов. Но однозначно использовать величину заряда затвора для оценки потерь переключения по методике, приведенной в рассказе о транзисторах MOSFET, для транзисторов IGBT нельзя. Такая ситуация складывается потому, что транзистор IGBT имеет сложную внутреннюю структуру, а также сложный характер выключения с «токовым хвостом».

» Читать запись: Динамические характеристики транзисторов IGBT

Общемировые тенденции развития силовой элементной базы (транзисторы)

August 25, 2013

В последнее время достаточно динамично улучшаются характеристики классических трехэлектродных MOSFET. Сегодня на отечественном рынке электронных компонентов можно встретить представителей так называемого пятого поколения транзисторов MOSFET, выпускаемых фирмой «International Rectifier». В маркировке этих транзисторов присутствует буква «N», например, IRFZ44N, но их достаточно легко спутать с более старой модификацией, такой буквы не имеющих — IRFZ44. Размер кристалла полупроводника у транзисторов пятого поколения в среднем меньше на 10…20 %, снижено также сопротивление канала в открытом состоянии (ЛЛ(оп)), уменьшена величина заряда затвора (Qg), в несколько раз снижен заряд обратного восстановления (Q^) паразитного диода.

» Читать запись: Общемировые тенденции развития силовой элементной базы (транзисторы)

Защита силовых схем статических преобразователей от перегрузок и токов

August 22, 2013

При разработке силовых схем статических преобразователей определенную проблему всегда представляет защита от перегрузок и токов

Рис. 2.1.17. Радиатор с параллельно включенными MOSFETB схеме трехфазного моста

» Читать запись: Защита силовых схем статических преобразователей от перегрузок и токов

Отечественные драйвера управления IGBT транзисторами и транзисторными сборками

August 22, 2013

Одним из интересных и перспективных шагов на пути интегрирования силовой элементной базы можно считать появление отечественных драйверов управления IGBT транзисторами и транзисторными сборками. Технические характеристики поставляемыхдрайверов находятся на уровне (а в чем-то даже и превосходят) лучших зарубежных разработок аналогичного плана. О зарубежных драйверах мы будем говорить в этом разделе чуть ниже, а сейчас расскажем об отечественной продукции, и в частности, о модульных интегральных драйверах, серийно изготавливаемых ЗАО «Электрум АВ» [22] (г. Орел). Номенклатура драйверов, производимых этой фирмой, чрезвычайно широка: выпускаются драйверы управления одиночными силовыми ключами, драйверы управления полумостами, в бескорпурном исполнении (в виде печатной платы) и в защитных корпусах с размерами не более 60 x 46 x 12,5 мм, оснащенные широким набором сервисных функций, со встроенными DC/DC преобразователями и без них (с обеспечением их внешнего подключения). Фирмой также выпускаются драйверы IGBT с гальванической развязкой цепи управления и питания, с рабочим напряжением до 4500 В и рабочими токами силовых цепей ключевых приборовдо 2000 А, с частотами коммутациидо 100 кГц. В составе этихдрайверов можно встретить следующие сервисные узлы, выполняющие защитные функции:

» Читать запись: Отечественные драйвера управления IGBT транзисторами и транзисторными сборками

Широкополосный УМ для телевизионного вещания

August 20, 2013

Широкополосные усилители мощности (ШУМ) применяются всверхширокопопосных системах радиолокации и связи, при построении перестраиваемых генераторов, создании панорамных измерителей импедансов и модуляторов лазерного излучения. Предлагаемый ШУМ предназначен для работы в составе системы кабельного телевидения, обеспечивающей местную трансляцию 5…10 каналов ТВ-вещания в низкорасположенных жилых районах. Данный усилитель является модификацией усилителей, описанных в J1]. Его достоинства — простота изготовления и настройки, большой коэффициент усиления, наличие ручной регулировки усиления и индикатора уровня выходной мощности. Усилитель (рис.1) содержит пять каскадов усиления на транзисторах VT2, VT4.VT6,VT8.VT10.

» Читать запись: Широкополосный УМ для телевизионного вещания

Отбор IGBT транзисторов

August 20, 2013

В силу сложности своего внутреннего устройства транзисторы IGBT требуют более тщательного и глубокого анализа информации, содержащейся в технической документации. И здесь очень важно иметь как можно более подробную техническую информацию «от производителя». Ведущие зарубежные фирмы давно научились не экономить на информационной поддержке и бесплатно предоставлять разработчику огромное количество параметров, графиков режимов, примеров типовых применений, чего не скажешь, к сожалению, о фирмах отечественных с их скудными рекламными материалами. Поэтому мы воспользуется технической информацией, предоставляемой фирмой «International Rectifier». Кстати, эта фирма не без основания гордится тем, что наиболее полно обеспечивает разработчиков справочной информацией.

» Читать запись: Отбор IGBT транзисторов

IGBT транзисторы для силовых преобразователей

August 17, 2013

Ранее мы называли транзисторы MOSFET почти идеальными приборами для использования в изделиях силовой электроники. Сейчас настало время повторить одну существенную оговорку, также сделанную нами выше: справедливость слов об идеальности транзисторов MOSFET не ставится под сомнение, если рабочее напряжение силовых цепей преобразователей не превышает 250…300 (максимум — 400) В. При дальнейшем повышении рабочего напряжения приходится выбирать транзисторы с более высокой величиной напряжения «сток-исток», а это означает, что нам будет затруднительно найти в номенклатуре серийно выпускаемых приборов такой типономинал, который при высоких допустимых напряжениях «сток—исток» будет иметь низкое сопротивление канала в открытом состоянии, и, соответственно, высокий ток стока. Максимальная величина допустимого напряжения «сток—исток» большинства серийных транзисторов MOSFET сегодня составляет порядка 800 В, но сопротивление канала в открытом состоянии у них измеряется уже единицами Ом. Справедливости ради отметим, что иногда все-таки можно встретить приборы с допустимым напряжением «сток—исток» порядка 1000… 1200 В, но это — опять же «штучный товар», не находящий практического применения, а потому потихоньку исчезающий с рынка силовых полупроводников. Как же поступить разработчику в случае разработки высоковольтного мощного статического преобразователя? Опять возвращаться к биполярным транзисторам? Ни в коем случае!

» Читать запись: IGBT транзисторы для силовых преобразователей

Публикации в отечественных научно-технических журналах, относящиеся к практике использования транзисторов IGBT

August 16, 2013

Публикации в отечественных научно-технических журналах, относящиеся к практике использования транзисторов IGBT, а также реальные предложения на рынке силовой преобразовательной техники, красноречиво свидетельствуют, что в последнее время стремительно увеличивается число отечественных разработчиков, которые освоили принципы работы с силовыми электронными компонентами, активно применяют их при создании промышленных серийно-способных изделий. Однако ситуация с ценообразованием элементной базы значительно осложнена тем, что производство отечественных IGBT приборов очень долго находилось в стадии подготовки и значительно отстало от общемирового. Сегодня отечественный производитель «выбрасывает» на рынок образцы, аналоги которых были давно освоены зарубежными фирмами, и в настоящее время снимаются с производства в пользу более совершенных разработок. Но как бы там ни было, рынок наполняется вполне работоспособными IGBT транзисторами отечественного производства.

» Читать запись: Публикации в отечественных научно-технических журналах, относящиеся к практике использования транзисторов IGBT

Микросхемы для построения преобразовательной техники небольшой мощности

August 12, 2013

Обратимся теперь к другим зарубежным фирмам, выпускающим драйверные микросхемы для построения преобразовательной техники небольшой мощности. Фирма «ONSemiconductor» [28] представлена на рынке силовой электроники линейкой драйверов в интегральном

» Читать запись: Микросхемы для построения преобразовательной техники небольшой мощности

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты