Записи с меткой ‘транзисторов’

Берем за основу MOSFET и IGBT

August 12, 2013

Без всякого преувеличения можно сказать, что появившиеся не слишком давно транзисторы типа MOSFET и IGBT, составляют сегодня основу силовой преобразовательной техники. Более того, без использования этих типов транзисторов немыслима разработка сколько-нибудь надежного статического преобразователя, отвечающего современным требованиям. Поэтому данную главу, посвященную основной элементной базе силовой электроники, мы начнем с рассказа именно об этих электронных элементах.

» Читать запись: Берем за основу MOSFET и IGBT

Процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов

August 12, 2013

Теперь рассмотрим более подробно процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов, используя такую же методику, которая применялась нами для транзисторов MOSFET, то есть при условии подачи на затвор прямоугольных импульсов с высокой крутизной фронтов и спадов. Но вначале предупредим читателя, что в составе IGBT прибора также имеются паразитные межэлектродные емкости, которые «затягивают» динамические процессы (рис. 2.1.32). Далее мы увидим, что в транзисторе IGBT также действует эффект Миллера, предпосылкой к возникновению которого является емкость Cgc.

» Читать запись: Процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов

Перспективы в области создания новых модификаций транзисторов IGBT

July 21, 2013

А теперь мы поговорим о том, какие направления на сегодняшний момент являются «передним краем» области создания новых модификаций транзисторов IGBT. Поскольку рассматриваемый нами тип транзистора находит применение в направлениях электронной техники, где необходимо управлять большими токами при высоком напряжении, актуальной остается задача повышения максимально-допустимого напряжения «коллекор—эмиттер». Если работы в этом направлении пойдут успешно, то в ближайшем будущем IGBT смогут полностью вытеснить мощные высоковольтные тиристоры, которые традиционно применяются в электроэнергетическом оборудовании, где, как известно, напряжения измеряются десятками киловольт, а токи — десятками тысяч ампер.

» Читать запись: Перспективы в области создания новых модификаций транзисторов IGBT

Импульсный блок питания с регулятором напряжения 1….32 V мощностью 200 W

June 24, 2013

Представленный блок питания имеет возможность менять напряжение поворотом ручки резистора R9 от 1 до 32 вольт, он имеет защиту от перенагрузки и необходимую мощность для всех радиолюбительских экспериментов.

» Читать запись: Импульсный блок питания с регулятором напряжения 1….32 V мощностью 200 W

Усилитель мощности, выполненный по мостовой схеме

April 7, 2013

Он имеет выходную мощность 60 Вт при однополярном источнике питания напряжением +40 В. Получение большой выходной мощности связано с рядом трудностей, одной из которых является ограничение напряжения источника питания, вызванного тем, что ассортимент высоковольтных мощных транзисторов пока еще довольно невелик. Одним из способов увеличения выходной мощности является последовательно-параллельное включение однотипных транзисторов, но это вызывает усложнение конструкции усилителя и его настройку. Между тем имеется способ увеличения выходной мощности, позволяющий избежать применение труднодоступных элементов и не увеличивать напряжение источника питания. Этот способ заключается в использовании двух одинаковых усилителей мощности, включенных так, что входной сигнал подается на их входы в противофазе, а нагрузка включена непосредственно между выходами усилителей (мостовая схема включения усилителей).

» Читать запись: Усилитель мощности, выполненный по мостовой схеме

Широкополосный УМЗЧ с малыми искажениями

March 26, 2013

ительная эксплуатация описанного ниже усилителя мощности в составе радиокомплекса для воспроизведения программ с компакт-дисков и высококачественных магнитофонных записей показала, что, несмотря на больший коэффициент гармоник, субъективное качество выходного сигнала удовлетворяет самым высоким требованиям. Многочисленные прослушивания различных музыкальных программ при разных уровнях выходной мощности самыми взыскательными слушателями не выявили каких-либо заметных на слух погрешностей воспроизведения.

» Читать запись: Широкополосный УМЗЧ с малыми искажениями

МОДЕЛИРОВАНИЕ СОГЛАСУЮЩИХ ЦЕПЕЙ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА КЕРАМИКЕ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ

February 24, 2013

Галдецкий А. В., Климова А. В., Манченко Л. В., Пашковский А. Б., Пчелин В. А., Силин Р. А., Чепурных И. П. ФГУП НПП «Исток» Вокзальная 2а, г. Фрязино, 141190, Россия тел.: (495) 4658620, e-mail: solidstate10@mail.ru

Аннотация – Предложена простая методика моделирования согласующих цепей мощных внутрисогласованных полевых транзисторов на керамике с высокой диэлектрической проницаемостью, основанная на замене системы связанных линий на керамике – системой эквивалентных независимых микрополосков. Предложенная методика позволяет проводить нелинейную оптимизацию параметров согласующих цепей без потери точности моделирования отдельных элементов согласования.

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ СОГЛАСУЮЩИХ ЦЕПЕЙ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА КЕРАМИКЕ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ

Усилитель мощности ЗЧ(80 Вт)

February 22, 2013

Усилитель ЗЧ имеет очень низкие коэффициенты гармонических и интермодуляционных искажений, он сравнительно прост, способен выдерживать кратковременное короткое замыкание в нагрузке, не требует выносных элементов термостабилизации тока транзисторов выходного каскада.

» Читать запись: Усилитель мощности ЗЧ(80 Вт)

СУММИРОВАНИЕ ТРЕХ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ДВУХСАНТИМЕТРОВОМ ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН

February 17, 2013

Галдецкий А. В., Климова А. В., Манченко Л. В., Пчелин В. А. ФГУП НПП «Исток» Вокзальная 2а, г. Фрязино, 141190, Россия тел.: (495) 4658620, e-mail: solidstate10@mail.ru

Аннотация – Разработан сумматор/делитель типа бегущей волны для сложения мощностей трех внутрисогласо- ванных транзисторов. Данная схема позволяет получать в двухсантиметровом диапазоне длин волн выходную мощность более 16 Вт при КСВН входа менее 1,6 и КСВН выхода менее 2,0.

» Читать запись: СУММИРОВАНИЕ ТРЕХ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ДВУХСАНТИМЕТРОВОМ ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН

ОБЪЯСНЕНИЕ АНОМАЛЬНОЙ ЗАВИСИМОСТИ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОБОЯ ЗАТВОР-СТОК ОТ ПОТЕНЦИАЛА ЗАТВОРА В СУБМИКРОННЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ

February 13, 2013

Бувайлик Е. В., Мартынов Я. Б., Погорелова Э. В. Федеральное государственное унитарное предприятие «НПП «Исток» Вокзальная, 2а, г. Фрязино, 141190, Россия факс: (495) 4658686, e-mail: istkor@elnet.msk.ru

Аннотация – Измерения напряжения пробоя затвор-сток в субмикронных полевых транзисторах с затвором Шоттки на GaAS, а также в гетероструктур ных ПТШ выявили зависимость этого напряжения от потенциала затвора, что противоречит как простейшей теории, так и проводимым ранее подобным измерениям на кремниевых ПТШ. В настоящей работе это противоречие разъясняется с помощью численного моделирования двух типов полевых транзисторов.

» Читать запись: ОБЪЯСНЕНИЕ АНОМАЛЬНОЙ ЗАВИСИМОСТИ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОБОЯ ЗАТВОР-СТОК ОТ ПОТЕНЦИАЛА ЗАТВОРА В СУБМИКРОННЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты