Записи с меткой ‘транзисторов’

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А3В5 ДЛЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

January 12, 2013

Журавлев К. С., Торопов А. И., Мансуров В. Г. Институт физики полупроводников, Сибирское отделение Российской Академии наук пр. Ак. Лаврентьева, 13, г. Новосибирск, 603950, Россия тел.: 383-304474, e-mail: zhur@thermo.isp.nsc.ru

» Читать запись: МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А3В5 ДЛЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

ИНТЕГРАЦИЯ НОРМАЛЬНО-ОТКРЫТЫХ И НОРМАЛЬНО-ЗАКРЫТЫХ AIGaAs/GaAs ПТШ ДЛЯ БЫСТРДЕЙСТВУЮЩИХ МИС

January 11, 2013

Гусенкова А. В. *, Малеев Н. А.*, Михрин В. С.*, Кузьменков А. Г.*, Васильев А. П.*, Кулагина М. М.*, Жуков А. Е.*, Шуленков А. С. *®

*Минский НИИ радиоматериалов ул. Кижеватова, 86, г. Минск, 220024, Беларусь ®тел.: +37517-2785697, ®e-mail: shulenkov@inbox.ru * Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе ул. Политехническая, 26, г. С.-Петербург, 194021, Россия

» Читать запись: ИНТЕГРАЦИЯ НОРМАЛЬНО-ОТКРЫТЫХ И НОРМАЛЬНО-ЗАКРЫТЫХ AIGaAs/GaAs ПТШ ДЛЯ БЫСТРДЕЙСТВУЮЩИХ МИС

РЯД ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ высокой МОЩНОСТИ 10, 5, 3, 2 см ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН ФГУП НПП «исток»

January 2, 2013

Королев А. Н., Климова А. В., Красник В. А., Ляпин Л. В., Малыщик В. М., Манченко Л. В., Пчелин В. А., Трегубов В. Б. ФГУП НПП «Исток» Вокзальная 2а, г. Фрязино, 141190, Россия тел.: (495) 4658620, e-mail: solidstate10@mail.ru

Аннотация – Разработан ряд мощных корпусированных внутрисогласованных транзисторов для диапазонов длин волн 10, 5, 3, 2 см с выходными мощностями и коэффициентами усиления не менее 10, 10, 5, 5 Вт и 8, 7, 6 и 5 дБ соответственно. Транзисторы предназначены для работы, как в непрерывном, так и импульсном режиме.

» Читать запись: РЯД ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ высокой МОЩНОСТИ 10, 5, 3, 2 см ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН ФГУП НПП «исток»

Телефонный ретранслятор (прослушка) с питанием от телефонной линии повышенной мощности

October 21, 2012


Этот передатчик обеспечивает большую дальность действия – до
300 м. При оптимальной настройке удавалось получить выходную мощность до
500 метров. Работает он в диапазоне 65-108 МГц с частотной модуляцией.
   Автогенератор собран по обычной двухтактной схеме на
транзисторах VT1 и VT2 типа КТ368. Частотная модуляция происходит за
счет изменения напряжения в линии и, как следствие, изменения напряжения
на базах транзисторов VT1 и VT2. Частота задается параметрами контура
L1, C5. При изменении емкости конденсатора С5 в пределах от 8 до 30 пФ
диапазон возможного изменения частоты генератора составляет от 65 до 108
МГц, при постоянной индуктивности катушки L1. Дроссель Др1-любой
индуктивности в диапазоне от 50 до 100 мкГн. Катушка L1 наматывается на
корпусе подстроечного конденсатора С5 и содержит 4 витка провода ПЭВ 0,5
мм с отводом от середины. Катушка L2 намотана поверх L1 и имеет 2 витка
того же провода. В качестве транзисторов VT1, VT2 можно использовать
любые высокочастотные транзисторы, но желательно указанные в схеме.
Стабилитрон VD2 – на напряжение 6-12 В. От него зависит мощность и
диапазон девиации частоты передатчика.
   Настройка производится при занятой телефонной линии путем
подстройки контура L1, C5.
   От нас Вам совет : при повышении мощности передатчика
происходит падение напряжение на телефонном аппарате, что может привести
к рассекречиванию Вашего устройства поэтому мы рекомендуем как и в
прежнем варианте не переусердствовать. Соблюдайте пожалуста баланс.
» Читать запись: Телефонный ретранслятор (прослушка) с питанием от телефонной линии повышенной мощности

Усилитель с малыми динамическими искажениями и повышенной термостабильностью

October 19, 2012

Снижение динамических искажений в усилителе достигнуто расширением полосы пропускания исходного (без общей ООС) усилителя, применением линеаризующих местных ООС и соответствующим выбором частот среза амплитудно-частотных характеристик каскадов. Высокая термостабильность обеспечивается местными ООС, применением в предоконечном каскаде транзисторов, корпуса которых имеют одинаковые тепловые сопротивления, и сравнительно большим (около 250 мА) током покоя транзисторов оконечного каскада.
» Читать запись: Усилитель с малыми динамическими искажениями и повышенной термостабильностью

Схема двухтактного передатчика повышенной мощности (27 – 28 мГц)

October 18, 2012

Внимание. Использование данного устройства в некоторых случаях запрещено законодательством РФ и может привести к административной или уголовной ответственности.

   От подобных устройств предлагаемый радиопередатчик отличается конструкцией задающего генератора, позволяющей получить повышенную мощность излучения без использования дополнительного усилителя мощности.

» Читать запись: Схема двухтактного передатчика повышенной мощности (27 – 28 мГц)

Простой усилитель звуковой частоты на микросхеме К.548УН1А

October 18, 2012

Предлагаемый вниманию читателей стереофонический усилитель мощности разработан для автомобильного кассетного проигрывателя, но, естественно, может быть использован и в носимой аппаратуре с напряжением питания 9…13 В.

Усилитель содержит минимум деталей, прост в изготовлении и налаживании, экономичен, не боится короткого замыкании в нагрузке, может работать при повышенной температуре окружающей среды. Помимо регулировки громкости, в нем предусмотрена регулировка стереобаланса и тембра звучания по высшим частотам

» Читать запись: Простой усилитель звуковой частоты на микросхеме К.548УН1А

Усилитель мощности ЗЧ (80 Вт)

October 16, 2012

Усилитель ЗЧ имеет очень низкие коэффициенты
гармонических и интермодуляционных искажений,
он сравнительно прост, способен выдерживать
кратковременное короткое замыкание в нагрузке,
не требует выносных элементов термостабилизации
тока транзисторов выходного каскада.

» Читать запись: Усилитель мощности ЗЧ (80 Вт)

Приставка к осциллографу для наблюдения характеристик транзисторов

October 15, 2012

   На рис. 83, а изображена схема приставки для наблюдения на экране осциллографа характеристик транзисторов. Переменный резистор R1 предназначен для регулировки тока базы. К экрану прикладывают лист кальки и обводят характеристику. Типичная характеристика коллекторного перехода показана на рис. 83, б.

» Читать запись: Приставка к осциллографу для наблюдения характеристик транзисторов

Осциллограф

October 12, 2012

   При изготовлении и ремонте радиоэлектронной аппаратуры устанавливаются различные радиоэлементы. Чтобы убедиться в их исправности, проводится предварительный (входной) контроль, который можно осуществлять с помощью приставки к любому осциллографу. Принципиальная схема приставки изображена на рнс. 78.

» Читать запись: Осциллограф

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты