Записи с меткой ‘утечки’

Лучшей формы изоляторы

May 20, 2015

На фиг. 7-28 показан проходной изолятор сферической формы. Что это: ошибка конструктора, или вариа-

» Читать запись: Лучшей формы изоляторы

Методы проверки интегральных коммутаторов и ключей

October 28, 2013

Основной способ контроля работоспособности ИС – проверка выполнения главных функций. Если микросхема их не выполняет, ее нельзя считать работоспособной.

Конечно, такое решение принимается тогда, когда вы измерили все напряжения, поступающие на схему, проконтролировали правильность подключения заземления (как указано в главе 1), а также убедились в исправности всех внешних компонентов, в особенности проводных соединений. После проверки основных функций измеряются параметры интегральной схемы. Далее описываются наиболее важные параметры интегральных коммутаторов и ключей, а также способы их измерений.

» Читать запись: Методы проверки интегральных коммутаторов и ключей

Искажения в каскадах усилителя на дискретных элементах

October 2, 2013

Искажения могут быть вызваны неправильной величиной смещения, насыщением при слишком большом усилении либо слишком малым усилением, недостаточным для того, чтобы сигнал обратной связи мог сгладить искажения. Проблемой, часто встречающейся в каскадах усилителей, охваченных обратной связью, и приводящей к искажениям, является увеличение усиления из-за тока утечки транзистора. Как правило, считается, что повышение тока утечки перехода коллектор- база транзистора снижает усиление, так как этот ток имеет противоположенное по отношению к току сигнала направление. Несмотря на то что данное утверждение справедливо для одиночного каскада, оно может оказаться не совсем верным для многокаскацного усилителя, охваченного обратной связью.

» Читать запись: Искажения в каскадах усилителя на дискретных элементах

Бутстрепный методе управления силовыми ключами

August 16, 2013

Атеперь мы поговорим о бутстрепном методе управления силовыми ключами, реализованном в большинстведрайверных микросхем фирмы «International Rectifier». Поможет нам в этом рис. 2.3.10. Итак, заряд, накапливаемый в бутстрепном конденсаторе Сь, имитирует «плавающий» источник питания, который обеспечивает энергией ту половинудрайвеpa, которая относится к «верхнему» плечу силового транзистора. Посколькудрайвер построен на полевых элементах, суммарная мощность, расходуемая на управление, незначительна и может быть быстро пополнена из источника питания. В динамическом режиме работы «плавающий» источник заменяется конденсатором соответствующей емкости, подзаряжающимся от источника питания драйвера.

» Читать запись: Бутстрепный методе управления силовыми ключами

«Рассыпуха» силовой электроники для преобразователей энергии

August 5, 2013

Этим словом в среде разработчиков электронной техники обычно именуют комплектующие изделия, которые считаются тривиальными, то есть давно известными и применяющиеся широко. Обычно таким элементам в литературе не уделяют достаточного внимания. Это прежде всего выпрямительные диоды и диодные модули, конденсаторы, резисторы и т. д. Быть может, нам тоже имеет смысл поддаться всеобщей тенденции и отослать читателя к сайтам производителей и торгующим фирмам? Давайте все-таки не будем спешить: разговор этот не только возможен, но и принципиально важен, поскольку работоспособность статических преобразователей электроэнергии в значительной степени зависит от того, какие именно элементы, входящие в класс «рассыпуха», будут выбраны при проектировании.

» Читать запись: «Рассыпуха» силовой электроники для преобразователей энергии

ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

August 7, 2012

Бринкевич Д. И., Просолович В. С., Янковский О. Н., Янковский Ю. Н. Белорусский государственный университет пр. Ф. Скарыны, 4, Минск 220050, Беларусь Тел: 017-2095051; e-mail: brinkevich(8)_.bsu.bv

» Читать запись: ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Тестирование транзисторов

January 31, 2012

В экспериментальной электронике полезно иметь простой метод тестирования транзисторов. Двумя параметрами, которые лучше всего указывают на исправность транзистора, являются ток утечки коллектор—эмиттер ICEQ и коэффициент усиления постоянного тока hFE. Оба они измеряются в схеме, приведенной на рис. 1.17. Когда ключ S разомкнут, ток базы не течет, и миллиамперметр в коллекторной цепи показывает ток утечки 1СЕ0. Когда ключ замкнут, базовый ток около 10 мкА течет через резистор R (около 0,6 В падает на переходе база—эмиттер, так что 1В = (9 — 0,6)/820 ООО = 10 мкА). Таким образом, усиленный ток в коллекторной цепи равен hFE/100 мА.

» Читать запись: Тестирование транзисторов

Ток утечки между коллектором и базой

January 28, 2012

Хотя переход коллектор—база смещен в обратном направлении, все же существует очень небольшой ток утечки из коллектора в базу, обозначаемый 1СВ0, поскольку он измеряется с разомкнутой цепью эмиттера. В кремниевом транзисторе при комнатной температуре /сдо очень мал, обычно менее 0,01 мкА. Однако в случае, когда транзистор включен в схему с общим эмиттером и цепь базы разорвана, как показано на рис. 1.14, а, ток 1СВ0, протекающий по переходу коллектор—база, должен течь в эмиттер, для которого он неотличим от внешнего тока базы. Таким образом, 1СВ0 усиливается транзистором, и ток утечки между коллектором и эмиттером возрастает до значения 1СЕ0 = hFEICB0, которое может доходить до 1 мкА. Поскольку ток 1СВ0 в значительной степени является результатом теплового нарушения связей, он увеличивается приблизительно вдвое с ростом температуры на каждые 18 °С. Когда ICBQ становится сравнимым с нормальным током коллекторной цепи, транзистор обычно считается слишком горячим. Кремниевые /?-и-переходы могут работать до 200 °С, а германиевые, имеющие много больший ток утечки, только до 85 °С.

» Читать запись: Ток утечки между коллектором и базой

Оптоэлектронные приборы

December 21, 2011

Обратный ток утечки в р-n-переходе обусловлен, как мы видели, неосновными носителями.

Обычно пары электрон—дырка возникают только за счет тепловой энергии. Но если на р-п-переход падает свет, то это приводит к значительному увеличению плотности неосновных носителей. Электроны и дырки, освобожденные энергией падающих фотонов, вызывают значительное увеличение обратного тока утечки.

» Читать запись: Оптоэлектронные приборы

Обмотка, удовлетворяющая нормам безопасности

November 25, 2011

Если входное напряжения импульсного источника питания превышает 40 В, то источник питания подпадает под нормативы одного или более международных агентств по нормированию безопасности. Многие из этих агентств повторяют друг друга в установлении пределов безопасности, однако проектировщик все равно должен изучать требования для рынков, на которых будут продаваться изделия его компании. Международный инженерный консорциум (International Engineering Consortium, IEC) является главным разработчиком стандартов, которые были приняты на вооружение всеми агентствами по безопасности Европейского Союза. Остальные агентства по безопасности, такие как Underwriters Laboratories (UL) в США, Canadian Standards Agency (CSA) в Канаде и VCCI в Японии, работают совместно для принятия единообразного набора стандартов безопасности, основанном на стандарте IEC. Это позволит использовать во всем мире один набор стандартов. До тех пор же, пока "согласованные" стандарты не приняты, в разных странах мира они будут различаться.

» Читать запись: Обмотка, удовлетворяющая нормам безопасности

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты