Записи с меткой ‘вакансий’

Влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на скорость и параметры диффузии

June 11, 2013

Диффузия в полупроводниковых материалах имеет ряд особенностей. Важнейшей из этих особенностей является наличие в полупроводниках электрически активных примесей и собственных дефектов, прежде всего вакансий. Кулоновское взаимодействие между ними изменяет подвижность, концентрацию и характер распределения дефектов и соответственно условия и скорость диффузии. Важно также, что влияние примесей в полупроводниках проявляется при весьма малых концентрациях. Кроме того, на процессы диффузии в полупроводниках сказывается и низкая компактность решеток последних.

» Читать запись: Влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на скорость и параметры диффузии

Точечные дефекты – основы материаловедения

June 7, 2013

Точечный дефект — это нарушение кристаллической структуры, размеры которого во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими межатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру.

Вакансия — это простейший структурный дефект, представляющий собой свободный узел решетки, который должен быть занят атомом или ионом в совершенном кристалле. Вакансии обозначаются VA, VB, … , где индексы A, B … указывают тип отсутствующего атома. Например, в GaAs VGa и VAs — вакансии Ga и As, соответственно. Образование вакансий сопровождается упругой деформацией решетки. Соседние с вакансией атомы сближаются, смещаясь в направлении центра пустого узла.

» Читать запись: Точечные дефекты – основы материаловедения

Вакансионный  механизм – основы материаловедения

May 25, 2013

При наличии вакансии  в объеме или в  поверхностном слое решетки какой-либо из соседних с ней атомов может скачком занять ее место. Это равносильно тому, что вакансия скачком переместится на место атома. Многократное повторение такого акта и будет представлять собой миграцию вакансий и соответственно диффузию атомов в обратном направлении. Однако даже при переходе атома из своего узла в соседнюю вакансию он должен преодолеть определенный энергетический барьер. Переход связан с необходимостью частичного разрыва связей с атомами, соседними в исходном состоянии, и с необходимостью упругого смещения атомов, соседних со стороны вакансии.

» Читать запись: Вакансионный  механизм – основы материаловедения

ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКАНСИЙ В УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ И ФУЛЛЕРЕНАХ

February 13, 2013

Грядун в. и.

Запорожский национальный технический университет ул. Жуковского, 64, г. Запорожье, Украина, 69063 тел.: 0612-646733, e-mail: griadun@zntu.edu.ua

Аннотация – В рамках метода молекулярной механики ММ+ разработаны модели вакансий в углеродных нанот- рубках диаметрами 0,82 и 1,20 нм, а также в некоторых фуллеренах. Вакансии моделировались путём переноса атомов из соответствующих узлов наноструктуры на её поверхность. Для геометрической оптимизации полученных молекулярных моделей использовались алгоритмы наискорейшего спуска, блок-диагонали Ньютона – Рафсона и др. Энергия образования вакансий рассчитывалась расширенным методом Хюккеля, в котором наноструктура рассматривалась как молекула без спина и без учёта cl- орбиталей с константой Хюккеля равной 1,75. Для нанотрубок энергии образования вакансий оказались пропорциональными их размерам и составили 5,98 и 7,44 эВ, а для фуллеренов С20, СЗО, С60, С80, С180, С240 и С540 оказались равными: 2,91; 2,92; 9,20; 5,95; 8,09; 8,53 и 7,41 эВ, соответственно.

» Читать запись: ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКАНСИЙ В УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ И ФУЛЛЕРЕНАХ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты