Записи с меткой ‘вещества’

СТРОИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

May 17, 2015

Общие сведения

Электрики, которые работают в проектных бюро, занимаются преимущественно схемами. Но схемы — это лишь маленькая часть электротехники. И схемы, и расчеты — только вспомогательные средства, чтобы строить машины, добывать электроэнергию, распределять ее, преобразовывать в другие виды энергии. Основа электротехники, ее фундамент — это материалы.

» Читать запись: СТРОИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Проводники и изоляторы

April 11, 2015

Можно выделить две большие группы материалов: те, у которых удельное электросопротивление измеряется микроомами — это проводники, а материалы, имеющие удельное электросопротивление выше миллиона мегом, называются изоляторами или диэлектриками.

Деление всех окружающих нас материалов на проводники и изоляторы возникло впервые 300 лет тому назад. В начале 18 в. физики исследовали электризацию трением и установили, что: «янтарь, шелк, волосы, смолы, стекло, драгоценные камни, сера, каучук, фарфор не проводят электричества, а металлы, уголь, живые ткани растений, наоборот, электричество передают».

» Читать запись: Проводники и изоляторы

Тепловые процессы в силовой электронике

June 20, 2013

Много лет назад автор учавствовал в разработке маленького транзисторного инвертора, предназначенного для космического аппарата. Применительно к этому изделию самой интересной стала проблема отвода тепла в вакууме, где нет ни теплопроводности, ни конвекции. Все тепло надо было отводить излучением. Для этого на наружной поверхности алюминиевого корпуса фрезеровкой были сделаны закругленные бороздки и гребни, обеспечивавшие максимальную площадь поверхности и излучение тепла под разными углами. С тех пор была длинная череда систем с воздушным и водяным охлаждением, но тот преобразователь оставался единственным, в котором приходилось для охлаждения полагаться только на излучение.

» Читать запись: Тепловые процессы в силовой электронике

Выращивание монокристаллов из раствора

June 7, 2013

В технологии полупроводников наряду с кристаллизацией веществ из собственных расплавов широко используются процессы, основанные на кристаллизации из растворов. Основным преимуществом этого метода выращивания кристаллов является то, что процесс проводят при значительно более низких температурах, чем кристаллизация из расплавов. Выращивание из растворов зачастую является единственным методом, позволяющим получать объемные полупроводниковые монокристаллы с очень высокими температурами плавления (Tпл  > 2000◦C, например, алмазы), кристаллы соединений, имеющие при температуре плавления высокое давление паров компонентов (GaP, GaAs, InP и др.), а также инконгруэнтно плавящиеся полупроводниковые соединения (GaTe3 и др.). Основой такой возможности являются особенности фазовых диаграмм системы растворяемое вещество–растворитель: зависимость температуры начала кристаллизации от процентного содержания компонентов в сплаве.

» Читать запись: Выращивание монокристаллов из раствора

Диффузия из бесконечно тонкого слоя (из ограниченного источника)

May 15, 2013

Диффузия из бесконечно тонкого слоя соответствует ситуации, когда небольшое количество легирующего вещества осаждается на поверхности легируемого материала. В этом случае все диффундирующие в течение некоторого времени t с поверхности в объем атомы полностью переходят в кристалл, причем распределяются моноатомно. В любой момент времени полное количество диффундирующих атомов остается постоянным.

» Читать запись: Диффузия из бесконечно тонкого слоя (из ограниченного источника)

Метод химического транспорта (реакций переноса)

May 5, 2013

В основе получения монокристаллов из газовой фазы методом химического транспорта лежат химические реакции также, как и в основе метода диссоциации и восстановления газообразных соединений. Рост кристалла происходит в результате реакций разложения газообразных молекул. Примером использования этого метода может служить получение монокристаллического германия:

» Читать запись: Метод химического транспорта (реакций переноса)

Диффузия  примесей в кристаллах

April 23, 2013

Процессы диффузии очень распространены и играют огромную роль во многих важнейших технологических процессах получения и обработки полупроводников, а также при фазовых и структурных превращениях. Диффузия примесей лежит в основе процесса гомогенизации свойств материала при термообработках, в ряде случаев лимитирует очистку, играет огромную роль при распаде пересыщенных твердых растворов, их упорядочении и разупорядочении. Процессы диффузии используются для получения p n-переходов, для формирования базовых и эмиттерных областей и резисторов в биполярной технологии изготовления полупроводниковых приборов, для создания областей истока и стока в МОП-технологии и т. д. Поэтому знание основных законов диффузии, диффузионных параметров примесей необходимо для выбора оптимальных режимов технологических операций, а также для понимания некоторых эффектов, проявляющихся в процессе изготовления полупроводниковых схем и приборов.

» Читать запись: Диффузия  примесей в кристаллах

Выращивание кристаллов из газообразной фазы

April 21, 2013

Широко распространено мнение, что выращивание монокристаллов из газообразной фазы не имеет большого практического значения ввиду малых скоростей роста, присущих этому методу. Действительно, скорость роста монокристаллов из газообразной фазы обычно равна сотым долям мм/ч, что на несколько порядков ниже, чем при вытягивании кристаллов из расплава. Рост из газообразной фазы применяется в основном для выращивания тонких эпитаксиальных пленок, используемых в технологии полупроводниковых приборов, и для получения небольших монокристаллов тугоплавких материалов, а также полупроводниковых соединений, которые плавятся с разложением. Кроме того, поскольку высокопроизводительные методы выращивания монокристаллов из расплавов не всегда обеспечивают высокую однородность их свойств, то для получения особо качественных небольших кристаллов полупроводников используются методы выращивания из газообразной фазы. Эти методы, естественно, не устраняют все причины, приводящие к дефектности кристаллов. Процессы выращивания монокристаллов из газообразной фазы тоже весьма чувствительны к колебаниям внешних условий и составу питающей фазы. Однако влияние этих колебаний значительно сглажено благодаря малым скоростям роста, что способствуют приближению к более равновесным условиям роста.

» Читать запись: Выращивание кристаллов из газообразной фазы

Кристаллизационные методы очистки – основы материаловедения

April 21, 2013

Электрофизические свойства кристаллов определяются, как было выяснено в гл. 3, содержащимися в них структурными дефектами и примесями. Требование продолжительности и стабильности работы полупроводниковых приборов делает одной из важнейших задач технологии задачу получения совершенных монокристаллов с заданным значением параметров. Однако получение чистых элементарных веществ, необходимых для производства различных, в том числе легированных и сложных, полупроводников, используемых для создания приборов, является чрезвычайно сложным технологическим процессом.

» Читать запись: Кристаллизационные методы очистки – основы материаловедения

Метод химических  реакций  (диссоциации или восстановления  газообразных  химических соединений)

April 21, 2013

Метод диссоциации или восстановления газообразных химических соединений оказывается весьма эффективными для выращивания из газообразной фазы монокристаллических слитков тугоплавких соединений, компоненты которых при приемлемых технологических температурах обладают незначительными давлениями паров. В этом методе для получения монокристаллов из газовой фазы используются химические реакции. Источник состоит из газообразных молекул сложного состава, содержащих атомы кристаллизующегося вещества. Кристалл заданного состава образуется в результате химической реакции, протекающей на поверхности затравки или подложки (или вблизи нее) и приводящей к выделению атомов кристаллизующегося вещества.

» Читать запись: Метод химических  реакций  (диссоциации или восстановления  газообразных  химических соединений)

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты