Записи с меткой ‘водорода’

ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭНЕРГЕТИКЕ

January 8, 2015

А.Н. Диденко1, Б. В. Зверев2, А. Д Коляскин2 10тделение физико-технических проблем энергетики РАН, Москва;

Московский государственный инженерно-физический институт, Москва

Внедрение СВЧ-электроники в большую энергетику является одним из наиболее обещающих направлений развития современной электротехники. Первым ученым, обратившим на это внимание, является П. Л. Капица [1]. Сейчас уже совершенно четко выявляются основные преимущества СВЧ-энергетики, к числу которых относится возможность сосредоточения большой электромагнитной энергии в малых объемах, равномерного распределения энергии внутри образца и возможность ее концентрации в нужном месте, что может явиться основой разработки новых энергосберегающих технологий. Достоинством СВЧ-энергетики является и та большая гибкость, с которой СВЧ-энергия трансформируется в другие виды энергии.

» Читать запись: ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭНЕРГЕТИКЕ

Ковалентная связь – основы материаловедения

June 8, 2013

 

Химическая связь между атомами, осуществляемая обобществленными электронами, называется ковалентной. Эта связь обусловлена силами квантовомеханического происхождения — обменным взаимодействием.

Рассмотрим образование гомеополярной ковалентной связи на примере простейшей молекулы водорода H2. В квантовой механике один из методов рассмотрения электронного строения молекул основан на представлении об образовании химической связи в результате движения каждого электрона в поле всех ядер и остальных электронов молекулы. В таком одноэлектронном приближении многоэлектронная волновая функция молекулы представляет собой совокупность одноэлектронных волновых функций (молекулярных орбиталей — МО), каждая из которых описывает один электрон молекулы в определенном состоянии. МО задается определенным набором квантовых чисел и для нее справедлив принцип Паули. При этом сама одноэлектронная МО получается как линейная комбинация одноэлектронных атомных орбиталей (АО). Физическая суть этого метода заключается в следующем (для молекулы водорода). Во время движения электрона вокруг ядерного скелета молекулы H2 в какой-то

» Читать запись: Ковалентная связь – основы материаловедения

Диффузия и растворимость газов – основы материаловедения

May 1, 2013

Выращивание монокристаллов полупроводников, а также высокотемпературный прогрев при различных технологических операциях часто проводятся в атмосферах водорода, инертных газов (гелий, аргон и т. д.) или в вакууме. Кроме того, при нагреве камера роста кристаллов «дегазируется», выделяя в значительных количествах кислород и другие адсорбированные на стенках камеры газы. Все эти газы способны растворяться в расплаве и проникать в кристалл.

» Читать запись: Диффузия и растворимость газов – основы материаловедения

Водородная связь – основы материаловедения

April 24, 2013

Поскольку нейтральный атом водорода имеет только один электрон, то, естественно, считать, что он может обладать только одной химической связью. Однако известно, что при некоторых условиях атом водорода может быть связан значительными силами притяжения одновременно с двумя атомами, образуя тем самым так называемую водородную связь между ними. Энергия  такой  связи  порядка 0.1 эВ. Водородная  связь имеет электростатическую природу. Она возникает при участии атома водорода лишь между наиболее электроотрицательными атомами, в частности между атомами F, O и N. Рассмотрим образование этой связи. Атом водорода может образовать полярную ковалентную связь с одним из соседних атомов, обладающих большой электроотрицательностью (см. ниже). При этом атом водорода приобретает положительный заряд и способен образовать электростатическую связь с другим соседним атомом, обладающим неподеленной электронной парой. В предельном случае при формировании этой связи атом водорода теряет свой единственный электрон, отдавая его одному из двух соседних атомов, и превращается в протон, который и осуществляет связь между атомами. Малые размеры протона не позволяют ему иметь ближайшими соседями более чем два атома. Таким образом, водородная связь осуществляется только между двумя атомами.

» Читать запись: Водородная связь – основы материаловедения

Электронная конфигурация свободных атомов – основы материаловедения

April 21, 2013

Химическая связь в твердых телах образуется в результате взаимодействия атомов (ионов). Наиболее существенным результатом этого взаимодействия является расщепление энергетических уровней валентных электронов свободных атомов и образование энергетических зон. С другой стороны, взаимодействие электронов данного атома и соседних атомов не разрушает полностью исходную структуру электронных уровней отдельных атомов. Эти два факта дают основание считать, что электронное строение свободных атомов и, прежде всего, строение их валентных оболочек определяет химическую связь, характер ближнего порядка и, в конечном счете, электронные свойства твердых тел. Периодическая таблица элементов Д. И. Менделеева отражает закономерности электронного строения свободных атомов.

» Читать запись: Электронная конфигурация свободных атомов – основы материаловедения

Активация примесей в нитридах III группы

September 2, 2011

При работе с материалами на основе нитридов III группы возникают дополнительные трудности, вызванные необходимостью активации примесей, что связано с двумя особенностями таких полупроводников.

—   В рассматриваемых материалах происходит химическая компенсация акцепторов за счет присоединения к ним атомов водорода. Отрицательный заряд ионизированных акцепторов компенсируется положительно заряженными ионами водорода, в избытке присутствующими при эпитаксиальном выращивании. Другими возможными источниками водорода являются метиловые (-СНз) и этиловые (-С2Н5) группы металлоорганических соединений, аммиак (NH3)и водород из газа-носителя Н2.

» Читать запись: Активация примесей в нитридах III группы

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты