Записи с меткой ‘характеристик’

Иерархический статистический анализ микросхем силовой электроники

April 28, 2015

Иерархический подход к сквозному статистическому анализу ТПСС иллюстрируется рис. 5.1 Нижний уровень — уровень технологии, который отражает параметры технологических операций. Параметр, который описывает некоторую характеристику технологического процесса, является параметром технологии, как, например, толщина окисла, уровень концентрации имплантированных ионов и т.д. Второй уровень — уровень прибора, который отражает характеристики приборов (элементной базы). Параметры этого уровня — это параметры модели, такие как, например, SPICE параметры модели МОП-транзистора. Третий уровень — это уровень схемы, который отражает характеристики схемы. Параметры этого уровня — характеристики схемы. Они связаны с параметрами приборов, которые используются при моделировании схемы. И, наконец, четвертый, верхний уровень — это уровень системы. Параметрами этого уровня являются характеристики системы. На этом уровне поведение системы описывается при помощи аппаратного языка, такого как, например, Verilog-AMS. Функционирование системы анализируется с использованием параметров схемы.

» Читать запись: Иерархический статистический анализ микросхем силовой электроники

Результаты проведения сквозного статистического анализа и оптимизации параметров типовой микросхемы силовой электроники

March 20, 2015

Описываемая здесь методология сквозного статистического проектирования ТПСС, предложенная авторами в работах [106—109], тестировалась на простейшем примере ячейки инвертора, сформированном на основе МОП-транзисторов.

Статистический анализ параметров технологии

» Читать запись: Результаты проведения сквозного статистического анализа и оптимизации параметров типовой микросхемы силовой электроники

Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)

March 16, 2015

На основании данных (полученных с использованием RSM методологии), показывающих «отклик» выходных характеристик технологического маршрута формирования структуры η-МОП транзистора на флуктуации значимых технологических параметров, далее проводится статистический анализ электрических характеристик прибора — в обсуждаемом здесь примере — η-МОП транзистора.

» Читать запись: Статистический анализ параметров прибора (п-МОП транзистора)

ДИАГНОСТИКА ЭЛЕКТРОННЫХ ПОТОКОВ ДЛЯ МОЩНЫХ ВАКУУМНЫХ СВЧ-УСТРОЙСТВ

October 24, 2014

Г. Г. Соминский

Государственный технический университет, Санкт-Петербург

Вакуумные электронные устройства, используемые для получения СВЧ-излучений большой мощности, весьма разнообразны, но их роднит важное свойство: их характеристики определяются в значительной степени явлениями в своеобразной "активной среде" – пространственном заряде высокой плотности. Понимание физических процессов, происходящих в такой среде, знание характеристик электронных потоков необходимы для совершенствования существующих СВЧ-устройств, а также для выявления новых способов решения задач СВЧ-электроники больших мощностей. Пространственный заряд в сильноточных СВЧ- устройствах существенно неоднороден, представляет собой колебательную систему, свойства которой определяются условиями его создания и удержания, взаимодействием электронов с электромагнитными полями и окружающими электродами. Аналитическое рассмотрение процессов в столь сложной системе сталкивается зачастую с непреодолимыми трудностями, а численные компьютерные методы применимы, как правило, для рассмотрения только сильно идеализированных моделей явлений. По указанным причинам эксперимент до сих пор является основным, а во многих случаях и единственным способом определения важнейших характеристик активной среды электронных СВЧ-устройств. В настоящее время создано множество слабовозмущающих методов диагностики, позволяющих определять важнейшие характеристики электронных потоков высокой плотности [1-9]. В данном кратком обзоре мы ограничимся рассмотрением методов диагностики только электронно-пучковых систем и не будем детально анализировать широко используемые методы измерения. В большей степени сосредоточимся на небольшом количестве экспериментальных методов, не описанных подробно в существующих монографиях и обзорах, но представляющих интерес с практической точки зрения.мишенях [1, 3, 7]. Но эта информация может быть получена только в одном импульсе, после чего мишень должна быть заменена. Лучше приспособлены для измерения характеристик j(f) специально разработанные матричные многоэлектродные системы, использование которых позволяет одновременно фиксировать токи на разные участки поверхности коллектора [12, 13]. Указанные системы также не лишены недостатков. При их использовании необходимо одновременно измерять токи с большого количества миниатюрных коллекторов, что технически трудно. Одна из трудноразрешимых проблем данной методики состоит, кроме того, в необходимости выделения малых полезных сигналов на фоне больших по амплитуде – паразитных сигналов.

» Читать запись: ДИАГНОСТИКА ЭЛЕКТРОННЫХ ПОТОКОВ ДЛЯ МОЩНЫХ ВАКУУМНЫХ СВЧ-УСТРОЙСТВ

АППАРАТНО-ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ В МИЛЛИМЕТРОВОМ ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН

February 27, 2013

Головащенко Р. В., Горошко Е. В., Варавин А. В., Плевако А. С., Деркач В. Н. Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины ул. Ак. Проскуры, 12, г. Харьков, 61085, Украина тел.: 8(057)-7203-463, e-mail: derkach@ire.kharkov.ua

Аннотация – Рассмотрен аппаратно-программный комплекс, предназначенный для исследования спектральных и энергетических характеристик резонансных систем в миллиметровом (ММ) диапазоне длин волн. Комплекс использован в составе криодиэлектрометра для измерения потерь электромагнитной энергии в диэлектрических и полупроводниковых материалах в диапазоне частот 40-80ГГц и диапазоне температур 0.85-300К.

» Читать запись: АППАРАТНО-ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ В МИЛЛИМЕТРОВОМ ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН

ΠΡΑΟ АКЦ ФИАН

January 21, 2013

Миннебаев В. М.*, Краснов В. В.**

ФГУП «НПП «Пульсар» г. Москва, Окружной пр., 27, 105187, Россия факс. 495-366-55-83, e-mail: pulsar@dol.ru "’фИАН им. П. Н. Лебедева г. Москва, ГСП-1, В-333, Ленинский пр., 53, 119991, Россия e-mail: postmaster@lebedev.ru

» Читать запись: ΠΡΑΟ АКЦ ФИАН

АНАЛИЗ ФАЗОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НАПРАВЛЕННОСТИ АНТЕНН С ЭЛЛИПТИЧЕСКОЙ ПОЛЯРИЗАЦИЕЙ ИЗЛУЧЕНИЯ

January 14, 2013

Аннотация – Исследованы фазовые характеристики направленности антенны с эллиптической поляризацией излучения, выполненной в виде тонкопроволочной цилиндрической спирали. Предлагается метод вычисления локального фазового центра антенны и анализируется его изменение от координат точки наблюдения, геометрических параметров спирали и частоты возбуждения.

» Читать запись: АНАЛИЗ ФАЗОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НАПРАВЛЕННОСТИ АНТЕНН С ЭЛЛИПТИЧЕСКОЙ ПОЛЯРИЗАЦИЕЙ ИЗЛУЧЕНИЯ

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕЖИМОВ ПЕРЕСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ И СИНХРОНИЗАЦИИ МАГНЕТРОНОВ

January 5, 2013

Чурюмов г. И., Грицунов А. В., Старчевский Ю. Л., Фролова Т. И., Басрани К. М., Экезли А. И., Перевертайло Р. А. Харьковский национальный университет радиоэлектроники пр. Ленина, 14, г. Харьков, 61166, Украина тел. 8 057 702-10-57, e-mail: g.churyumov@ieee.org

» Читать запись: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕЖИМОВ ПЕРЕСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ И СИНХРОНИЗАЦИИ МАГНЕТРОНОВ

ИЭС УАННП

August 8, 2012

пр. 50-летия Октября, 2-Б, а/я 102, Киев 03148, Украина Тел/факс: (044) 477-94-30, e-mail: <iec(cb_navarex.kjev.иа>


Аннотация Проведен выбор функциональной схемы суммарно-разностного преобразователя, на основе которой формируется его математическая модель в виде ориентированного графа. Метод анализа суммарно-разностного преобразователя основан на применении правила Мейсона для расчета на ЭВМ значений комплексных коэффициентов передачи его парциальных каналов, используемых для вычисления параметров преобразователя. Использована программа расчета, реализующая алгоритм LU-факторизации Краута для разреженных матриц. Проведен анализ чувствительности характеристик суммарно-разностного преобразователя к изменению параметров его функциональных узлов. Установлен критерий реализации высокой идентичности амплитуднофазовых характеристик парциальных каналов суммарноразностного преобразователя.

» Читать запись: ИЭС УАННП

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты