Записи с меткой ‘характеристики’

Измеритель индуктивности и емкости

September 15, 2012

Технические характеристики прибора: диапазон измеряемой емкости (мкФ)
от 80 х 10-6 до 25 х 10 3; диапазон измеряемой индуктивности (Гн) от
2,5 х 10-6 до 40; диапазон измеряемых частот (Гн) от 1 до 16 х 10 6.
Схема измерителя показана на рисунке. На элементах DD1 и DD2 собран
генератор, времязадающим элементом которого являеться измеряемая
емкость или индуктивность. На элементах DD3 и DD4 собран делитель
частоты с коэффициентом деления 16777211. Вся шкала прибора включает 25
значений, отличающихся друг от друга в 2 раза. При работе прибора
визуально определяют, частота мигания какого светодиода ближе всего к 1
Гц. Показания напротив него и являются результатом измерения.
» Читать запись: Измеритель индуктивности и емкости

Стереоусилитель класса Д на TDA8920J (2×50 Вт)

September 14, 2012

   Интегральная схема выполнена в корпусе SOT243-1. Применяется в бытовой и телеаппаратуре.

   Особенности:

   • высокая эффективность (90%);

   • широкий диапазон напряжения (±30 В);

» Читать запись: Стереоусилитель класса Д на TDA8920J (2×50 Вт)

Микро переключатели типа МП – параметры, размеры

September 10, 2012

   Микро переключатели типа МП широко использовались и до сих пор используются в электронной техника благодаря их широкому распространению еще со времен СССР. Здесь приведены основные характеристики микропереключателей типа МП, их цоколевка и типоразмеры.

» Читать запись: Микро переключатели типа МП – параметры, размеры

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

September 10, 2012

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распостранению в странах СНГ.

» Читать запись: Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

Элементы структуры КМОП

September 8, 2012

   В логическом элементе (рис. 5), выполняющем функцию И-НЕ, работают комплементарные полевые транзисторы. Транзисторы с каналом р-типа (VT1, VT2) подключены к положительному проводнику источника питания, а с каналом N-типа (ѴТЗ, ѴТ4) соединены последовательно. Передаточная характеристика элемента приведена на рис. 6. При входном напряжении 2 В и менее транзисторы VT1 и ѴТ2 открыты, так как напряжение на участках затвор — исток (при напряжении питания 9 В) составляет не менее 7 В.

» Читать запись: Элементы структуры КМОП

Модули MAV224-OB4 и МАУ479-УВЧ

August 22, 2012

Модули MAV компании Aurel представляют собой модуляторы аудио и видеосигналов, или, проще говоря, телевизионные микропередатчики малой мощности (не более 2 мВт при нагрузке 75 Ом). Указанные версии модулей являются полностью взаимозаменяемыми (табл. 2.3) и обладают близкими основными характеристиками (табл. 2.4). Блок-схема, общая для обоих передатчиков, представлена на рис. 2.5, а их внешний вид на рис. 2.6.

» Читать запись: Модули MAV224-OB4 и МАУ479-УВЧ

Мостовой усилитель 20 Вт на TDA2005

August 21, 2012

   Усилитель мощности низкой частоты, выполненный по мостовой схеме. В нем предусмотрена защита выходного каскада от короткого замыкания, термозащита (отключение при перегреве в результате больших нагрузок), защита от скачков напряжения до 40 В, а также защита от отключения общего провода.

» Читать запись: Мостовой усилитель 20 Вт на TDA2005

Солнечные батареи разных производителей

August 18, 2012

В табл. 1.4 и 1.5 представлены электрические характеристики сол­нечных модулей и батарей.

Таблица 1.4. Электрические характеристики солнечных модулей отечественного производства

» Читать запись: Солнечные батареи разных производителей

КОМПЛЕКС ПРОГРАММ ДЛЯ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

July 19, 2012

Балабанов В. М., Крючков С. В., Обухов И. А., Румянцев С. В. Интерфейс МФГ ул. Бардина, д. 4, Москва 117334, Россия тел.: +7-(095)-105-0049, e-mail: obukhov(8)jnterface-mfg.ru


Аннотация Представлены результаты использования программного комплекса предназначенного для моделирования характеристик элементов электронных схем по их топологии. Комплекс программ используется для расчетов, как в частотной области, так и для расчетов статических параметров схем.

» Читать запись: КОМПЛЕКС ПРОГРАММ ДЛЯ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

РАЗРАБОТКА КОМПЛЕКТА ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ ДЛЯ НАСТРОЙКИ И КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ВОЛОКОННООПТИЧЕСКОГО ТРАКТА

July 15, 2012

Осинский В. И., Воронько А. А, Мержвинский П. А., Карпинский К. Б. Центр оптоэлектронных технологий НИИ Микроприборов, г. Киев, Украина Тел.: (044) 4347655; e-mail: a7@ukr.net Институт кибернетики им. В. М. Гпушкова НАН Украины Тел.: (044) 2664296; e-mail: merg@carrier.kiev.ua

» Читать запись: РАЗРАБОТКА КОМПЛЕКТА ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ ДЛЯ НАСТРОЙКИ И КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ВОЛОКОННООПТИЧЕСКОГО ТРАКТА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты