Записи с меткой ‘запрещенной’

Источник опорного напряжения, равного ширине запрещенной зоны полупроводника

June 4, 2015

Наиболее широкое распространение в ИМС стабилизаторов напряжения и других аналоговых ИМС в настоящее время получили источники опорного напряжения, равного ширине запрещенной зоны полупроводника [16].

» Читать запись: Источник опорного напряжения, равного ширине запрещенной зоны полупроводника

Примеси в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

May 27, 2013

Рассмотрим поведение примесей в полупроводниковых соединениях на примере соединений типа AIIIBV. Поведение примесей в соединениях типа AIIIBV так же, как и в элементарных полупроводниках, определяется положением примеси в периодической системе, однако оно становится более сложным из-за усложнения строения основного вещества. В соединениях возрастает число различных позиций, которые могут занимать примесные атомы.

» Читать запись: Примеси в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

Металлическая составляющая связи, ионная составляющая связи и ширина запрещенной зоны в полупроводниках

April 21, 2013

Деление веществ по преимущественному характеру межатомной связи (ионная, ковалентная, металлическая) соответствует их качественному делению на диэлектрики, полупроводники и металлы, поскольку характер химической связи определяет физические свойства материалов. Естественно, поэтому предпринимались и предпринимаются многочисленные попытки установить корреляцию между важнейшими параметрами полупроводниковых материалов (шириной запрещенной зоны Eg, подвижностью носителей заряда µ, теплопроводностью κ) и их кристаллохимиче

» Читать запись: Металлическая составляющая связи, ионная составляющая связи и ширина запрещенной зоны в полупроводниках

ВОЛНОВОДНЫЕ БРЕГГОВСКИЕ СТРУКТУРЫ С ЗАПРЕЩЕННЫМИ ЗОНАМИ В К-ДИАПАЗОНЕ

February 18, 2013

Данилов В. В., Олейник В. В. Радиофизический факультет, Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко пр. Гпушкова, 2/5, г. Киев, 03022, Украина тел. +38(044) 566 0551, e-mail: oliynyk@univ.l<iev.ua

Аннотация – Исследованы параметры запрещенной зоны волноводной брэгговской структуры, которая является аналогом одномерного фотонного кристалла в оптике. Показана возможность управления параметрами запрещенной зоны при изменении периода подобной структуры. Предлагается использовать брэгговские структуры в качестве режекторных волноводных фильтров миллиметрового, субмиллиметрового и терагерцового диапазонов с различными частотными характеристиками.

» Читать запись: ВОЛНОВОДНЫЕ БРЕГГОВСКИЕ СТРУКТУРЫ С ЗАПРЕЩЕННЫМИ ЗОНАМИ В К-ДИАПАЗОНЕ

Использование напряжения запрещенной зоны в качестве эталона

December 11, 2011

Все более широкое использование сложной электроники с батарейным питанием, такой как ноутбуки и сотовые телефоны, потребовало разработки таких схем стабилизации напряжения, которые расходуют как можно меньшую мощность. Таким схемам необходим источник опорного напряжения, который потребляет минимальный ток и обеспечивает при этом исключительно высокую стабильность в широком диапазоне температур. Для этой цели широко используется напряжение запрещенной зоны. Принцип действия таких схем основан не на эффекте Зенера или лавинного пробоя, а использует вместо этого разность потенциалов (VBE) смещенного в прямом направлении транзисторного перехода база—эмиттер. На первый взгляд это кажется невероятным, потому что известно, что VBE зависит от температуры.

» Читать запись: Использование напряжения запрещенной зоны в качестве эталона

Светодиоды на основе AlInGaP/GaAs

October 11, 2011

Твердые растворы AllnGaPбыли разработаны в конце 1980-х и начале 1990-х гг.; в настоящее время они являются основой для изготовления сверхъярких светодиодов, излучающих в длинноволновой части видимого спектра, т. е. в красном, оранжевом и желтом диапазонах. Твердый раствор AllnGaPи светодиоды на его основе описаны в работах (Stringfeliow, Craford, 1997; Chenetal., 1997; Kish, Fletcher, 1997, aболее поздние обзоры и последние разработки представлены в работах (Mueller, 1999, 2000; Kramesetal., 2002).

» Читать запись: Светодиоды на основе AlInGaP/GaAs

Светодиоды на основе InGaN

September 20, 2011

Твердый раствор InGaNпоявился в начале 1990-х гг., а во второй половине 1990-х гг. на его основе уже были созданы промышленные светодиоды, излучающие в синем и зеленом диапазонах спектра. В настоящее время светодиоды на основе InGaN— основные сверхъяркие светодиоды синего и зеленого свечения. В ряде работ (Nakamura, Fasol, 1997; Strite, Morkoc, 1992) описаны твердые растворы InGaNи дан обзор свойств светодиодов на их основе.

» Читать запись: Светодиоды на основе InGaN

Двойные гетероструктуры процессы в переходе

September 15, 2011

Практически все современные светодиоды изготавливают на основе двойных гетероструктур. Такие структуры состоят из двух пассивных барьерных слоев и одного активного слоя. На рис. 9.2 представлена зонная диаграмма двойной гетероструктуры. Ширина запрещенной зоны активного слоя всегда меньше ширины запрещенной зоны барьерных слоев. В результате этого пассивные области прозрачны для излучения, исходящего из активной области. Поскольку пассивные слои.

» Читать запись: Двойные гетероструктуры процессы в переходе

Ширина запрещенной зоны твердых растворов AlInGaN

September 10, 2011

На рис. 13.2 показана зависимость ширины запрещенной зоны от постоянной решетки для твердых растворов AlInGaN. Данные твердые растворы используются для светодиодов, работающих в широком диапазоне длин волн, охватывающем следующие спектральные области: далекого и ближнего УФ-излучения, видимого света и даже ближнего инфракрасного излучения. Было показано, что можно получить три вида бинарных полупроводниковых соединений: InN, GaNи A1N, при этом GaN, выращенный методом эпитаксии, был более совершеным. Однако твердые растворы AlGaNс большой концентрацией алюминия и InGaNс большой концентрацией индия, обладающие высоким внутренним квантовым выходом излучения, получить на практике очень сложно.

» Читать запись: Ширина запрещенной зоны твердых растворов AlInGaN

СТРУКТУРЫ с высоким КОЭФФИЦИЕНТОМ ОПТИЧЕСКОГО ВЫВОДА

August 22, 2011

Поскольку полупроводники обладают высокими показателями преломления, свет, падающий на границу полупроводник-воздух под достаточно большим углом, практически полностью отражается. Из закона Снеллиуса (иногда называемого законом Снелля) можно найти величину критического угла полного внутреннего отражения. В результате полного внутреннего отражения свет как бы попадает в ловушку — локализуется внутри полупроводника. Локализованное таким образом излучение поглощается и дефектами, и активной областью, и подложкой, и всеми другими слоями.

» Читать запись: СТРУКТУРЫ с высоким КОЭФФИЦИЕНТОМ ОПТИЧЕСКОГО ВЫВОДА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты