Бувайлик Е. В., Мартынов Я. Б., Погорелова Э. В. Федеральное государственное унитарное предприятие «НПП «Исток» Вокзальная, 2а, г. Фрязино, 141190, Россия факс: (495) 4658686, e-mail: istkor@elnet.msk.ru
Аннотация – Измерения напряжения пробоя затвор-сток в субмикронных полевых транзисторах с затвором Шоттки на GaAS, а также в гетероструктур ных ПТШ выявили зависимость этого напряжения от потенциала затвора, что противоречит как простейшей теории, так и проводимым ранее подобным измерениям на кремниевых ПТШ. В настоящей работе это противоречие разъясняется с помощью численного моделирования двух типов полевых транзисторов.