Записи с меткой ‘затвора’

Требования к входным сигналам MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

May 11, 2015

По определению MOSFET и IGBT представляют собой переключающие устройства, управляемые напряжением. В электрической цепи управления они не потребляют ток в статическом режиме. Однако непосредственно в моменты переключения в мощных транзисторах протекают значительные импульсы («броски») тока, обусловленные наличием паразитных элементов в структуре (главным образом емкости затвора). Обычно при включении MOSFET ток стока нарастает быстрее, чем происходит спад напряжения в канале транзистора. В результате могут наблюдаться существенные потери мощности при переключении, вызывающие также увеличение тока управления затвором. Оптимальная форма кривой зарядного тока при включении MOSFET приведена на рис. 3.95 [58], на котором изображены временные диаграммы изменения напряжения на затворе ί/^Κ^, напряжения сток — исток ί/Η(Κ^), тока стока /(/^, тока затвора. На практике реализовать такие эпюры очень сложно, но этого и не требуется. Важно, чтобы время нарастания тока затвора было равно сумме времен нарастания тока стока и падения напряжения 1/и. Величина тока затвора должна быть достаточной для заряда емкости затвора. Цепи управления MOSFET являются более простыми и дешевыми, легко воспроизводимыми по сравнению с аналогичными цепями биполярных транзисторов.

» Читать запись: Требования к входным сигналам MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

Мощные полевые транзисторы (MOSFET)

April 24, 2015

Существуют значительные различия между параметрами, конструкцией и технологией изготовления маломощных и мощных полевых транзисторов MOSFET (Metal—Oxide—Semiconductor Field-Effect Transistor) [15].

На рис. 2.10 представлен эскиз структуры маломощного МОП транзистора, а на рис. 2.11 — эскиз структуры мощного MOSFET транзистора.

» Читать запись: Мощные полевые транзисторы (MOSFET)

СИЛОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ АВТОМАТИКИ В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

March 6, 2014

В электрооборудовании полиграфического производства встречаются различного рода исполнительные силовые электромеханические системы (ЭМС), к которым относятся электродвигатели, электромагнитные муфты сцепления и скольжения, электромагниты, нагреватели, а также осветительные установки, обеспечивающие выполнение технологического процесса печатания. Для управления указанными ЭМС используются полупроводниковые устройства, включенные между сетью питания и этими ЭМС. Полупроводниковый преобразователь – это статическое электромагнитное устройство, преобразующее электрическую энергию одного вида в электрическую энергию иного вида при помощи периодически повторяющихся процессов коммутации токов, протекающих через силовые ключи (транзисторы, тиристоры, симисторы-триаки) этих устройств. Совокупность этих силовых ключей образует основную часть преобразователя, которая формирует требуемую временную зависимость выходного напряжения (тока). Эта зависимость образуется из отрезков кривых напряжения (тока) разных фаз при воздействии на силовые ключи сигналов управления, генерируемых схемой управления, за счет которых реализуется поочередная проводимость силовых ключей этих фаз. Полупроводниковые устройства имеют различные схемные решения в зависимости от их функционального назначения и рода тока ЭМС. Например, для управления двигателями постоянного тока применяются управляемые выпрямители, для двигателей переменного тока – регуляторы напряжения и автономные инверторы и т. п. Основными элементами этих устройств являются силовые полупроводниковые ключи: диоды, транзисторы, тиристоры, симисторы, коммутирующие цепи постоянного или переменного тока. Успехи технологической индустрии изготовления полупроводниковых приборов привело к появлению их высоких эксплуатационных характеристик. Примером управляемых силовых приборов являются биполярный транзистор с изолированным затвором типа IGBT, запираемый тиристор GTO и интегрированный управляемый коммутирующий тиристор IGCT. Эти приборы выпускаются на токи 10…2400 А и более, а коммутируемые ими напряжения достигают 4500 В.

» Читать запись: СИЛОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ АВТОМАТИКИ В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

Борьба с эффектом самопроизвольного открывания MOSFET

September 8, 2013

Борьба с эффектом самопроизвольного открывания может вестись несколькими способами. Во-первых, сопротивление затворного резистора Rg должно быть достаточно малым, тогда оно будет шунтировать емкость C^ ослабляя влияние {dUJdt). Типичное значение Rge реальных схемах обычно не превышает нескольких сотен Ом. Иногда применяют защитную схему, состоящую из параллельного соединения конденсатора и затворного резистора, подключая ее между стоком и истоком.

» Читать запись: Борьба с эффектом самопроизвольного открывания MOSFET

Берем за основу MOSFET и IGBT

August 12, 2013

Без всякого преувеличения можно сказать, что появившиеся не слишком давно транзисторы типа MOSFET и IGBT, составляют сегодня основу силовой преобразовательной техники. Более того, без использования этих типов транзисторов немыслима разработка сколько-нибудь надежного статического преобразователя, отвечающего современным требованиям. Поэтому данную главу, посвященную основной элементной базе силовой электроники, мы начнем с рассказа именно об этих электронных элементах.

» Читать запись: Берем за основу MOSFET и IGBT

ОБЪЯСНЕНИЕ АНОМАЛЬНОЙ ЗАВИСИМОСТИ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОБОЯ ЗАТВОР-СТОК ОТ ПОТЕНЦИАЛА ЗАТВОРА В СУБМИКРОННЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ

February 13, 2013

Бувайлик Е. В., Мартынов Я. Б., Погорелова Э. В. Федеральное государственное унитарное предприятие «НПП «Исток» Вокзальная, 2а, г. Фрязино, 141190, Россия факс: (495) 4658686, e-mail: istkor@elnet.msk.ru

Аннотация – Измерения напряжения пробоя затвор-сток в субмикронных полевых транзисторах с затвором Шоттки на GaAS, а также в гетероструктур ных ПТШ выявили зависимость этого напряжения от потенциала затвора, что противоречит как простейшей теории, так и проводимым ранее подобным измерениям на кремниевых ПТШ. В настоящей работе это противоречие разъясняется с помощью численного моделирования двух типов полевых транзисторов.

» Читать запись: ОБЪЯСНЕНИЕ АНОМАЛЬНОЙ ЗАВИСИМОСТИ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОБОЯ ЗАТВОР-СТОК ОТ ПОТЕНЦИАЛА ЗАТВОРА В СУБМИКРОННЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ

ВЛИЯНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ И РАЗМЕРА ЭЛЕКТРОДА ЗАТВОРА НА УСИЛИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА

July 25, 2012

Абрамов И. И., Игнатенко С. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220013, Минск, П. Бровки 6. E-mail: nanodev(3>_bsuir.edu.bv

Аннотация С использованием физико-топологической модели одноэлектронного транзистора проанализировано влияние положения и размера электрода затвора на его усилительные свойства. При расчетах за основу взяты экспериментальные данные для транзистора на основе туннельных переходов А1/АЮХ/А1.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ И РАЗМЕРА ЭЛЕКТРОДА ЗАТВОРА НА УСИЛИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ АДАПТИВНОЙ МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТКИ

July 23, 2012

В.   В. Радченко ЗАО «Митех», 141120, г. Фрязино, Московской обл., ул. Вокзальная, 2а тел. (095) 465-86-95, e-mail: optimizer@yandex.ru

» Читать запись: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ АДАПТИВНОЙ МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТКИ

Усилитель напряжения на полевом транзисторе

January 22, 2012

Как и в случае биполярного транзистора, в схеме усилителя напряжения должно иметь место преобразование выходного тока полевого транзистора в выходное напряжение. Для этого требуется резистор нагрузки. На рис. 2.6 показан простейший усилитель напряжения на основе недорогого полевого транзистора общего назначения 2N3819 (аналог КПЗОЗИ. — Примеч. перев.), который является транзистором с р-п-переходом с каналом n-типа. Чтобы получить достаточно большое усиление напряжения, требуется довольно большое значение RL (22 кОм), а это, в свою очередь, требует большого напряжения питания VDD (18 В). В этой простой схеме управляющий р-n-переход смещен в обратном направлении в результате включения между затвором и истоком батарейки с небольшим напряжением 1,5 В. Это неудобно и является недостатком такой схемы, так как предполагает, что для получения заданного тока стока в любом транзисторе типа 2N3819 требуется точно одно и то же напряжение смещения. На самом деле это далеко не так, и поэтому может случиться, что данная схема не будет работать с некоторыми экземплярами транзисторов.

» Читать запись: Усилитель напряжения на полевом транзисторе

Ключ на мощном полевом МОП-транзисторе

December 5, 2011

Чаще всего в качестве ключа используется мощный полевой МОП-транзистор. Его стоимость и потери насыщения в большинстве приложений сравнимы с аналогичными потерями биполярного транзистора, а переключение выполняется в 5-10 раз быстрее. Кроме того, МОП-транзисторы проще для использования в проекте.

» Читать запись: Ключ на мощном полевом МОП-транзисторе

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты