По определению MOSFET и IGBT представляют собой переключающие устройства, управляемые напряжением. В электрической цепи управления они не потребляют ток в статическом режиме. Однако непосредственно в моменты переключения в мощных транзисторах протекают значительные импульсы («броски») тока, обусловленные наличием паразитных элементов в структуре (главным образом емкости затвора). Обычно при включении MOSFET ток стока нарастает быстрее, чем происходит спад напряжения в канале транзистора. В результате могут наблюдаться существенные потери мощности при переключении, вызывающие также увеличение тока управления затвором. Оптимальная форма кривой зарядного тока при включении MOSFET приведена на рис. 3.95 [58], на котором изображены временные диаграммы изменения напряжения на затворе ί/^Κ^, напряжения сток — исток ί/Η(Κ^), тока стока /(/^, тока затвора. На практике реализовать такие эпюры очень сложно, но этого и не требуется. Важно, чтобы время нарастания тока затвора было равно сумме времен нарастания тока стока и падения напряжения 1/и. Величина тока затвора должна быть достаточной для заряда емкости затвора. Цепи управления MOSFET являются более простыми и дешевыми, легко воспроизводимыми по сравнению с аналогичными цепями биполярных транзисторов.
» Читать запись: Требования к входным сигналам MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника
