Записи с меткой ‘затворе’

Полевые транзисторы – Цифровая техника

May 15, 2015

Полевые транзисторы — это полупроводниковые приборы, сопротивление канала которых изменяется в широких пределах под воздействием приложенного к управляющему выводу (затвору) напряжения. Таким образом, полевые транзисторы, в отличие от биполярных, управляются не током, а напряжением. Ток же, текущий через управляющий вывод (ток утечки затвора Ι^)Ρ крайне мал, и у современных полевых транзисторов его смело можно приравнять к нулю.

» Читать запись: Полевые транзисторы – Цифровая техника

НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРА И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ РНЕМТ

January 23, 2013

Козловский Э. Ю., Селезнёв Б. И., Штейнгарт А. П. ЗАО «НПП «Планета-Аргалл» г. Великий Новгород, Россия тел.: 8162-663484, e-mail: argall@novgorod.net

Аннотация – Исследована зависимость начального тока стока рНЕМТ от времени травления канавки под затвор (глубины травления структуры), а также построены зависимости удельной крутизны от напряжения затвор-исток для рНЕМТ с различным уровнем начального тока стока. Установлена связь между уровнем тока, оставляемым перед напылением затвора, удельной крутизной и глубиной затворной канавки исходя из особенностей и физики работы рНЕМТ. Также установлено влияние величины начального тока стока на СВЧ параметры транзистора. Таким образом, возможно достижение высоких СВЧ параметров прибора при оптимальном выборе начального тока стока исходя из слоевой конфигурации полупроводниковой структуры.

» Читать запись: НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРА И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ РНЕМТ

ИСПЫТАТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРОВ

April 21, 2012

Прежде чем впаивать транзистор в собираемую конструкцию, его нужно прове­рить. Об этом знает каждый начинающий радиолюбитель. Убедиться в работоспо­собности транзистора можно с помощью простейших пробников, о которых не­однократно рассказывалось на страницах журнала «Радио». Но нередко в описа­нии конструкции приводятся вполне определенные требования, скажем, к стати­ческому коэффициенту передачи тока базы биполярного транзистора или к на­чальному току стока полевого транзистора. Здесь уже пробником не обойтись, по­надобится более совершенный прибор, собранный, например, по приведенной на рис. 1 схеме.

» Читать запись: ИСПЫТАТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРОВ

МОП-транзистор

December 24, 2011

На рис. 2.3, а показана принципиальная конструкция я-канального МОП- транзистора. Стоком и истоком являются области n-типа, сформированные в кремниевом бруске р-типа, который называют подложкой. Затвор представляет собой металлический электрод, изолированный от кремниевого бруска слоем оксида кремния.

» Читать запись: МОП-транзистор

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты