Записи с меткой ‘зависимость’

ГЕНЕРАТОР ЧАСТОТЫ 100 МГц – СДЕЛАЙ САМ

August 27, 2014

Важным элементом радиопередающего устройства является опорный генератор частоты 27…300 МГц. Однако часто для настройки таких устройств требуется внешний генератор высокой частоты и стабильности. Причем совсем не обязательно, чтобы это был кварцевый генератор, поскольку в качестве «проверочного» может быть использован опорный генератор требуемой высокой частоты, собранный по простой, но эффективной схеме.

» Читать запись: ГЕНЕРАТОР ЧАСТОТЫ 100 МГц – СДЕЛАЙ САМ

Преобразователь положительного и отрицательного напряжений

October 16, 2013

На рис. 7.24 показан пример использования интегральной микросхемы MAX680 в качестве преобразователя положительного и отрицательного напряжений. Конденсаторы Cl и C3 должны иметь рабочие напряжения 6 В или более, конденсаторы C2 и C4 – не менее 12 В. При использовании ИС MAX680 с низкими значениями тока нагрузки емкости конденсаторов Cl и C2 могут быть уменьшены до

» Читать запись: Преобразователь положительного и отрицательного напряжений

Импульсный стабилизатор с питанием от щелочной батареи ИС LT1270

October 16, 2013

На рис. 8.69 приведена схема включения ИС LT1270, которая обеспечивает выходное напряжение 6 В и ток 1 А при питании от 3-4 щелочных (алкалиновых) элементов, используемых вместо никель-кадмиевых аккумуляторов. Выходное напряжение можно менять путем подбора сопротивлений R1 и R2. Эти величины определяются из формулы, связывающей их с выходным напряжением (как и для большинства импульсных стабилизаторов). На рис. 8.70 показана зависимость срока службы щелочных батарей для нагрузки мощностью 6 Вт, а на рис. 8.71 – характеристика разряда щелочной батареи для той же нагрузки. На рис. 8.72 представлена зависимость КПД для различных значений напряжения щелочной батареи. (См. «LinearTechnology», Design Note41, p. 2.)

» Читать запись: Импульсный стабилизатор с питанием от щелочной батареи ИС LT1270

Замена батареи напряжением 9 В двумя элементами типа AA LT1120

October 10, 2013

На рис. 8.73 представлена схема включения линейного стабилизатора ИС LT1120, которая при использовании батареи напряжением 9 В служитдля получения выходного напряжения 5 В и тока 30 мА. На рис. 8.74 приведена схема включения импульсного стабилизатора ИС LT1173-5, которая при использовании батареи напряжением 9 В служит для получения аналогичных выходных параметров. На рис. 8.75 изображена схема включения той же ИС LT1173-5, но с двумя элементами типа AA вместо батареи; выходные параметры те же (схема с повышением напряжения). На рис. 8.76 показана зависимость КПД от напряжения батареи для схемы с понижением напряжения, а на рис. 8.77 – для схемы с повышением напряжения (вариант использования двух элементов тина AA). Зависимости, характеризующие продолжительность срока службы батарей в трех схемах, показаны

» Читать запись: Замена батареи напряжением 9 В двумя элементами типа AA LT1120

Источник питания на два выхода с напряжениями +12 и +20 В

October 10, 2013

На рис. 7.70 приведен пример использования интегральной микросхемы MAX662A при программировании флэш-памяти (см. рис. 7.67-7.69 и табл. 7.8) в качестве источника питания с двумя значениями выходных напряжений. На рис. 7.71 показана зависимость выходного напряжения от тока нагрузки. (См. «Maxim New Releases Data Book», 1995, p. 4-80.)

» Читать запись: Источник питания на два выхода с напряжениями +12 и +20 В

Быстродействующий одиночный МДП драйвер на ток 6 А MAX4429/MXT429

September 29, 2013

На схеме (см. рис. 7.41) представлен вариант включения интегральной микросхемы MAX4429/MXT429 в качестве преобразователя входного сигнала уровня ТТЛ/ КМОП в высоковольтный выходной сигнал с большим током. Выходное сопротивление равно 1,5 Ом при токе 6 А. Время задержки составляет 40 нс, время нарастания/спада выходного импульса — 25 нс (при емкости нагрузки 2500 пФ). На

» Читать запись: Быстродействующий одиночный МДП драйвер на ток 6 А MAX4429/MXT429

Малошумящий прецизионный дифференциальный усилитель с высоким коэффициентом усиления

September 25, 2013

На рис. 6.72 приведен вариант использования ИС MAX427 в качестве дифференциального усилителя. Спектральная плотность шума в широкой полосе частот составляет 2,5 нВ/Гц1/2, напряжение смещения нуля – менее 15 мкВ (типичное значение –

» Читать запись: Малошумящий прецизионный дифференциальный усилитель с высоким коэффициентом усиления

Переключатели для работы в схемах напряжением 3,3 В

September 10, 2013

На рис. 8.56 показано включение ИС LTC1157 в качестве схемы управления относительно высоковольтными ключами (см. главу 2), коммутирующими две нагрузки с напряжением 3,3 В. На рис. 8.57 приведены характеристики напряжения на затворе (превышающем напряжение источника питания) для интегральной микросхемы LTC1157, которая представляет собой сдвоенный низковольтный драйвер на МОП транзисторах, специально созданный для работы в диапазоне напряжений 2,7-5,5 В. Внутренняя схема перекачивания заряда ИС LTC1157 устанавливает напряжение управления затвором на 5,4 В выше положительного напряжения источника питания 3,3 В (или на 8,7 В выше уровня «земли»). Это напряжение полностью открывает n-канальный МОП транзистор. На рис. 8.58 представлена зависимость R^SCON) 07 ^GS для типичного n-канального МОП переключателя. (См. «LinearTechnology», Application Note 53, p.p. 11, 12.)

» Читать запись: Переключатели для работы в схемах напряжением 3,3 В

Основные параметры диффузии

May 1, 2013

Чтобы установить зависимость коэффициента диффузии D от температуры, можно использовать уравнение (8.7) для частоты прыжков атома

f = Zν exp(−Q/kT). Тогда с учетом того, что D = fδ2/6 выражение для

» Читать запись: Основные параметры диффузии

СВЧ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА 5СВ, КАПСУЛИРОВАННОГО В МАТРИЦУ ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТА

July 17, 2012

Шепов В. Н., Дрокин Н. А. Институт Физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Академгородок, Красноярск, 660036, Россия Красноярский государственный технический университет, Красноярск, 660074, Россия тел.: (3912) 494591, e-mail: shepov@kirensky.ru Берлинский А. С. Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия тел.: (3832) 460875, e-mail: a.berdinsky@ref.nstu.ru FinkD. Hahn-Meitner-lnstitut Berlin, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, Germany тел.: 030-8062-3029, Fax: 030-8062-2293, e-mail: fink(3)_hmi.de

» Читать запись: СВЧ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА 5СВ, КАПСУЛИРОВАННОГО В МАТРИЦУ ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты