Записи с меткой ‘зеленого’

Многоцветные светодиоды на микроконтроллере

February 18, 2014

Многоцветные светодиоды появились вслед за двух цветными «красно-зелёными», когда достижения технологии позволили разместить на их кристаллах излучатели синего цвета. Изобретение «синих» и «белых» светодиодов полностью замкнуло RGB-круг: теперь стала реальной индикация любого цвета радуги в видимом диапазоне длин волн 450…680 нм с любой насыщенностью.

» Читать запись: Многоцветные светодиоды на микроконтроллере

ЛОГИЧЕСКИЙ ПРОБНИК С ДВУМЯ СВЕТОДИОДАМИ

April 21, 2012

Этот пробник позволяет контролировать логические уровни в различных цепях устройств на цифровых микросхемах, проверять наличие импульсов и приблизи­тельно оценивать их скважность. Кроме того, он позволяет определить и «третье состояние», когда уровень логического сигнала находится между 0 и 1. Для этих целей в пробник введены два светодиода (см. рисунок): HL1 — зеленого свечения, HL2 — красного.

» Читать запись: ЛОГИЧЕСКИЙ ПРОБНИК С ДВУМЯ СВЕТОДИОДАМИ

Функции согласования цвета и цветовая диаграмма

October 22, 2011

Свет возбуждает рецепторы красного, зеленого и синего цвета в разной степени. При этом разные люди по-разному воспринимают один и тот же цвет и его световой поток. Более того, восприятие цвета является субъективной величиной, которую нельзя измерить объективно. По этим причинам Международная комиссия по освеи^е- нию {МКО) стандартизировала цветовые измерения, введя понятия функций согласования цвета и цветовой диаграммы(CIE, 1931).

» Читать запись: Функции согласования цвета и цветовая диаграмма

Оптические характеристики сверхъярких светодиодов

October 21, 2011

На рис. 12.16 показаны спектры излучения светодиодов красного свечения на основе AlInGaP, голубого и зеленого свечения на основе InGaN (ToyodaGoseyCorp., 2000). Видно, что спектр светодиодов зеленого свечения значительно шире спектров светодиодов голубого й красного свечения. Это может быть связано с проблемами выращивания структур на основе InGaNс высоким содержанием индия. Было обнаружено, что в процессе выращивания слоев InGaN, особенно при высоком содержании индия, формируются скопления его атомов или

» Читать запись: Оптические характеристики сверхъярких светодиодов

История создания светодиодов из GaAsPи GaP, легированных оптически активными примесями

October 11, 2011

Первые светодиоды из GaPкрасного и зеленого свечения были созданы группой ученых под руководством Ральфа Логана в BellLaboratoriesв Мюррей Хилл (Нью-Джерси) в начале 1960-х г. В те годы полупроводниковые материалы уже применялись для создания биполярных и полевых транзисторов, используемых в электронных схемах в качестве ключей и усилителей. Именно тогда инженеры и исследователи осознали, что полупроводники являются лучшими материалами для изготовления излучающих устройств.

» Читать запись: История создания светодиодов из GaAsPи GaP, легированных оптически активными примесями

Светодиоды на основе InGaN

September 20, 2011

Твердый раствор InGaNпоявился в начале 1990-х гг., а во второй половине 1990-х гг. на его основе уже были созданы промышленные светодиоды, излучающие в синем и зеленом диапазонах спектра. В настоящее время светодиоды на основе InGaN— основные сверхъяркие светодиоды синего и зеленого свечения. В ряде работ (Nakamura, Fasol, 1997; Strite, Morkoc, 1992) описаны твердые растворы InGaNи дан обзор свойств светодиодов на их основе.

» Читать запись: Светодиоды на основе InGaN

Электрические характеристики сверхъярких светодиодов

August 30, 2011

На рис. 12.19 представлены вольтамперные характеристики светодиодов красного свечения на основе AlInGaP, а также светодиодов голубого и зеленого свечения на основе InGaNв режиме прямого смещения. Прямая зависимость между пороговым напряжением и интенсивностью излучения свидетельствует о хороших рабочих характеристиках диодов. При токе 1 мА напряжения прямого смещения светодиодов зеленого и голубого свечения оказались близки (2,65 В и 2,75 В), даже несмотря на заметную разницу в энергиях излучений (для светодиодов голубого свечения Л = 470 нм,hv= 2,64 эВ, а для светодиодов зеленого свечения А = 525 нм, а hv— 2,36 эВ). Малое различие напряжений смещения, возможно, указывает на вероятность того, что при инжекции носителей в активную область InGaNчерез барьерный слой GaNчасть из них теряют энергию на излучение фононов. Потери увеличиваются при инжекции носителей в активные слои InGaNс высокой концентрацией индия для светодиодов зеленого свечения. Энергия расходуется на излучение фононов, восполняется внешним напряжением, подаваемым на светодиоды.

» Читать запись: Электрические характеристики сверхъярких светодиодов

СВЕТОДИОДНЫЙ ИНДИКАТОР C ИЗМЕНЯЮЩИМСЯ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ

November 6, 2010

Popular Electronics       Рис. 28.3

 

B показанной на рис. 28.3 схеме используются светодиоды, последовательно изменяющие Цвег (желтый-красный-желтый-зеленый-желтый, после чего цикл повторяется). Оба таймера, входящие в состав микросхемы 556, работают в режимах неустойчивой генерации, которые характеризуются коэффициентом заполнения 50%. Один из таймеров настроен на большую, а другой на заметно меньшую частоту. Напряжение на времязадающем конденсаторе каждого генератора передается jia вход соответствующего компаратора, формирующего сигнал на одном из электродов трехцветного светодиода, при этом полярность результирующего сигнала зтвисит от соотношения напряжения на конденсаторах. Быстро меняющаяся сосгавляющая напряжения конденсаторов способствует попеременному включению красного и зеленого светодиода, что создает желтое свечение. При модификации медленно меняющейся составляющей коэффициент заполнения корректируется, что сопровождается более ингенсивным проявлением одного из цветов – красного или зеленого. Таким образом, обеспечивается плавный переход от одного цвета к друтому

» Читать запись: СВЕТОДИОДНЫЙ ИНДИКАТОР C ИЗМЕНЯЮЩИМСЯ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты