Записи с меткой ‘жидкой’

Диаграммы состояния систем с ограниченной растворимостью компонентов

June 6, 2013

Диаграммы состояния с эвтектическим превращением. Рассмотрим более подробно диаграмму с эвтектическим превращением (рис. 4.8). Она состоит из шести фазовых областей: области жидкой фазы L, двух двухфазных областей (жидкая фаза L + твердый раствор α и жидкая фаза L

» Читать запись: Диаграммы состояния систем с ограниченной растворимостью компонентов

T − X диаграммы состояния бинарных систем

May 29, 2013
Диаграммы состояния систем с неограниченной растворимостью компонентов

Рассмотрим простейшую фазовую диаграмму с неограниченной растворимостью компонентов друг в друге на примере  системы  Ge–Si (рис. 4.1). Под термином неограниченная растворимость имеется в виду то, что компоненты Ge и Si системы неограниченно растворяются друг в друге в жидком и твердом состояниях и образуют непрерывный ряд твердых растворов замещения.3

» Читать запись: T − X диаграммы состояния бинарных систем

Жидкостная эпитаксия – основы материаловедения

May 16, 2013

Метод жидкостной эпитаксии по своей сути ничем не отличается от метода выращивания объемных монокристаллов из растворов, который уже подробно рассматривался (см. гл. 6). Основным преимуществом метода жидкостной эпитаксии является то, что рост эпитаксиальной пленки происходит при температурах более низких, чем температура плавления исходного вещества. Разберем подробнее этот метод выращивания эпитаксиальных пленок на примере системы Ge–In. Для этого рассмотрим диаграмму состояния системы Ge–In со стороны In. Температура плавления индия значительно ниже, чем у Ge (рис. 9.6), поэтому он и используется в качестве растворителя. Из диаграммы следует, что, меняя процентное содержание индия в сплаве Ge–In в соответствии с линией ликвидуса, можно менять температуру кристаллизации сплава. При охлаждении жидкой фазы вдоль линии 1 при температуре 400◦C (точка пересечения с линией ликвидуса) раствор переходит в пересыщенное

» Читать запись: Жидкостная эпитаксия – основы материаловедения

Элементы общей теории образования фаз – основы материаловедения

May 12, 2013

В процессе получения любого материала в нем происходят переходы из одного фазового состояния в другое. Основными промышленными методами получения монокристаллов является кристаллизация из жидкой и конденсация из газовой фаз.

Кристаллизацией называется переход вещества из жидкой в  твердую фазу. Конденсацией называется переход вещества из газообразной в жидкую или твердую фазы.

» Читать запись: Элементы общей теории образования фаз – основы материаловедения

Получение кристаллов из жидкой фазы

May 6, 2013

Все технологические методы выращивания монокристаллов из жидкой фазы можно разделить на две группы: выращивание из собственных расплавов и выращивание из растворов.

Расплав — это жидкая фаза, состав которой соответствует составу кристаллизующегося нелегированного вещества или соединения.

» Читать запись: Получение кристаллов из жидкой фазы

Методы и принципиальные возможности очистки  кристаллизацией

April 20, 2013

Рассмотрим сущность основных методов очистки кристаллизацией. Для того, чтобы обеспечить получение материала с предельной степенью чистоты кристаллизационными методами необходимо, чтобы кристаллизация начиналась в заданном месте и происходила в определенном направлении, то есть необходимо создать четкую границу между твердой и жидкой фазами и обеспечить ее медленное и равномерное движение вдоль очищаемого слитка. Эти условия достигаются заданием градиента температуры, обеспечивающего направленный отвод тепла и направленное продвижение фронта кристаллизации. При этом, в зависимости от значений K, примесь будет или «захватываться» твердой фазой (K > 1), освобождая от нее расплав, или оттесняться от границы раздела в расплав (K < 1). В первом случае части слитка, затвердевающие позже, будут чище предыдущих; во втором случае наиболее чистой оказывается начальная часть слитка. При рассмотрении процессов очистки кристаллов, выращиваемых из расплава, все многообразие методов выращивания кристаллов направленной кристаллизацией можно свести к двум идеализированным схемам: нормальной направленной кристаллизации и зонной плавке. В частности, первой схемой описывается процесс очистки кристаллов, выращиваемых широко используемым в промыш

» Читать запись: Методы и принципиальные возможности очистки  кристаллизацией

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты